ABCD-. S- И г-МАТРИЦЫ ДЛЯ НЕКОТОРЫХ ШИРОКО ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКОВ

Элемент

ЛВСО-матрш[а

S-матрица

Г-матрица

1. Отрезок линии передачи

2о г,у1 2о

Ch Z,Sh

(Z-Z)Sh 2ZZ„ , 2ZZ, (Z2-Z§) Sh

Ch- ,1 ° Sh " Sh

2ZZ„ Z-Zj 2ZZ„

2ZZ„

Sh Chi-iSh 2ZZ„

wSh-shY/; Ch=chv/; D,<-2ZZ, Ch-fZ + ZJlSh

2. последовательное сол-ротивленне

Z+Zj-Z, 2yZZ,

2y"z7z7 Z+Z,--Z,

D,= Z-\-Z,.\-Z.,. Di-2yz,Z,

Z,\Z.,Z Z,-Zy{Z Z,-Z,Z Z, + Z,--Z

3. параллельная проводимость

wd..= lH-y,-fr.,; d,=2Vr,r,

продолжение прилож. 2.1

.S-матрица

4. Разомкнутый шлейф, параллельно включенный в линию

5, Короткозамкнутый шлейф, параллельно включенный а линию

1 о 1

D,~\

где Т tgf; /5» . l+2jZr/Z„

1 О

1 D,+

где Т tgp/; D, -l+2jZ/(2„r)

1 --

22Г 22Г

2o 227-

6. Идеальный трансформатор

n 0 0 I/n

2n l-n*

Элемент

ЛВСО-матрица

S-матрица

Г-матрнца

7. П-обраэная схема

8. Т-образная схема

2V, Y,

-VS-PK.-fD Fi-l-QFo-fD.

- 1 -f -i-

-ZS-fPZ.-fD 2Z„Z, 2Z,Z, -Zg-P2,+0.

2Z,Z,

-ZHQZo-O -ZJ-fPZe-fD ZSt-PZ„-D ZHQZo+O

Z, Z,

где D, = Z* hQZo + D; D = Z, Z.-fZ, Z+ 2, Z,; Q = Z, + Zj + 2Z3; P = Z,-z2

9. Скачок волнового сопротивления

1 О О 1

Z,Z, 2yZ,Z.

2утГг7 z,-z,

Z,fZ, z,-z,

A-Z, Z,-fZ,

Ds = Z,-fZ,; D, = 2VZiZj

10. Аттенюатор на о децибел

-А + В [А-В - Zf

А-В А+В , 2Zo 2

О В

где Л =10

я/го.

-Л О О Л

3 = 1/Л