йтоянным й равным Vu. С момента /н, при котором Vci »tc2=fH. регулирующий элемент насыщается, его сопротивление становится весьма малым, и в дальнейшем схема ведет себя как нестабилизированный ВИП с емкостью батареи C=Ci + C2. Напряжение при этом снижается по экспоненте:

Uci = Uc2 = С/яе(-н)/ (3.19)

где ть2=i?C.

С момента, когда напряжение на логических и запоминающих элементах ЦТС становится ниже предельно допустимого значения, их работоспособность нарушается, и информация, содержавшаяся в ЦТС, разрушается.

При перенапряжении, т. е. при возрастании напряжения Е скачком на значение АЕв, вследствие функционирования регулирующего элемента напряжение Uc2 остается равным Uh, а напряжение Uci растет по экспоненциальному закону с постоянной времени xc\=rCi до установившегося значения {Uo+\Eb):

Uci = (f/o + Ав) - Дв- • (3.20)

ОдИовременно растет температура 8 регулирующего элемента вследствие роста рассеиваемой им мощности. Полагая, что температура в статическом режиме линейно зависит от рассеиваемой на элементе мощности, а динамические свойства характеризуются тепловой постоянной времени те, можно записать

6 = keiUjR)iU, + АЕ-и-АЕ,е-"% (3.21)

где - коэффициент пропорциональности.

При превышении предельно допустимых значений напряжения или температуры происходит соответственно электрический или тепловой пробой регулирующего элемента.

Рассмотрим аналогичным образом воздействие длительных помех на бестрансформаторный ВИП с импульсным регулирующим элементом. Идеализированная схема замещения ВИП приведена на рис. 3.5, б. На схеме РП - регулирующий импульсный преобразователь напряжения, содержащий понижающий трансформатор с отношением числа витков обмоток, равным k.

Когда в момент времени = 0 наступает провал напряжения Е до нуля, то вследствие действия регулирующего

преобразователя напряжение Ua начинает снижаться по линейному закону

Uci = Uo-UjIxu (3.22)

где Uo - начальное напряжение:

U, = E-U-iUr)/kR; (3.23)

ti=/?Cafe - постоянная времени; t/д - падение напряжения на выпрямителе.

Напряжение Uc2 остается постоянным и равным Ua до момента н, при котором Uc\ становится равным kU, и регулирующие возможности ВИП исчерпываются. В дальнейшем схема ведет себя как нестабилизированный ВИП с емкостью батареи C=kCi + C2. Напряжение Uc2 при этом снижается по экспоненте

где ti,2=7?C.

При возрастании напряжения Е скачком на значение AEj, напряжение Uc2 вследствие действия регулятора остается равным f/н, а напряжение Uci растет по экспоненциальному закону в соответствии с (3.20).

Достойно внимания то, что при прочих равных условиях бестрансформаторные ВИП обладают существенно более высокой постоянной времени снижения напряжения при провалах (вследствие наличия множителя к), что обеспечивает им более высокую степень защиты от влияния провалов напряжения в сети первичного питания по сравнению с непрерывно регулируемыми ВИП.

Еще одной причиной аварийных состояний ЦТС, наступающих в результате воздействия длительных помех, является некорректно спроектированная система защиты ВИП, срабатывающая при значениях параметров провалов и перенапряжений, еще не приводящих к потере работоспособности логических и запоминающих устройств ЦТС.

Для защиты информации, содержащейся в ЦТС, от разрушения длительными помехами из сети питания может применяться резервирование первичного или вторичного питания и свертывание информации в оперативное запоминающее устройство.

Способы резервирования питания требуют много дополнительной аппаратуры. Свертывание информации требует

меньше дополнительной аппаратуры, однако применение этого способа возможно, только если кратковременные перерывы в работе ЦТС допустимы по условиям работы.

3.3. Воздействие разрядов электростатических зарядов на корпус ЦТС

Пусть некоторое тело (например, человек - оператор ЦТС) несет на себе электрический заряд q. Если собственная емкость тела равна С, то его потенциал по отношению к земле равен E = q/C. При приближении оператора к корпусу (например, при попытке открыть дверцу или нажать кнопку) в момент, когда напряжение Е становится равным напряжению пробоя воздушного промежутка между телом и корпусом, происходит искровой разряд заряда на корпус. Путь разрядного тока проходит по участкам тела, обладающим некоторым резистивным сопротивлением R, и по участкам корпуса, обладающим некоторой индуктивностью Lk. Резистивное сопротивление корпуса Rk обычно несравнимо меньше R, поэтому при анализе им можно пренебречь. Эквивалентные схемы связей для данного вида воздействия приведены на рис. 3.6. Здесь замыкание выключателя Т имитирует возникновение разрядного промежутка. (Падение напряжения на промежутке в первом приближении можно не учитывать.)

Рассмотрим случай, когда корпус ЦТС соединен с землей системы вторичного питания более чем в одной точке (рис. 3.6, в). Заряженный конденсатор можно представить

Рнс. 3.6. Эквивалентные схемы связей прн разряде электростатического заряда на корпус ЦТС, когда корпус гальванически развязан от земли вторичной системы питания (а), соединен с землей в одной точке (б), соединен с землей более чем в одной точке (в):

- паразитная емкость земли вторичного питания относительно корпуса ЦТС; Lj, - индуктивность земли вторичного питания между рассматриваемыми источником и приемником полезных сигналов