Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Сведения в электровакуумных приборах

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 [132] 133 134 135 136 137 138 139

Рис. 32.12. Модуляционная характеристика прожектора

Тогда «1 = rttge =05/0,128 = 1,95, откуда

Гс =ais/WUa = l,95V0,17/860 = =0,028 мм = 28 мкм,

т. е. на порядок меньше радиуса катода.

Программа расчета радиуса скрещения на микрокалькуляторе МК56 имеет вид:

1 \ -

1 --. 1 L Xl 1

-у„к,В -20 -11 -4 0 4

ltnxl-tnx2xl+nxl П х О X X -П 3 П х 4 t F t9 Пх 3 -- хП а Пх 5 t Пх 6 F VTTx а X хП в С/П

Ввод: =П0; t =Ш; а =П2; д- =ГО; 0 =П4; С/о =П5; С/ = П6; fli = Па.

Вьшод: Гс=Пв.

Расчет главной проекщюнной линзы. Как бьшо указано (см. § 16.2), главная проекционная линза отображает скрещение, создаваемое иммерсионным объективом в виде пятна на экране ЭЛТ.

Задавшись радиусом отверстия диафрагмы второго анода/?а2, ускоряющего электрода /?у,э, равным 0,45 мм,и расстояниями между электрода а = 30 мм, b = 130 мм, = 4 мм (рис. 32.13), вычисляем апер-турньш угол со стороны скрещения 7j

tg7i =i?a2/(a -do) = 0,45/(30 - 4) =0,173, ъ 1°-

Плоскость скрещения выбираем на равном расстоянии между модулятором и ускоряющим электродом.

Радиус отверстия диафрагмы первого анода определим из условия ai> fltgrr, atg7, = 30-0,0173=0,52.

Выбираем Ri =2,0 мм, что практически исключает перехват электронов первым анодом.

Для определения радиуса пятна на экране ЭЛТ воспользуемся теоремой Лагранжа-Гельмгольца (см. § 16.2):

ГсУ/ис tg71 = А-п Vf tg72, (32.22)




Рис. 32.13. К расчету главной проекционной линзы:

УЭ - ускоряющий электрод; А1 - анод первый; А2 - анод второй; Э - экран; а - расстояние от плоскости скрещения до диафрагмы первого анода; Ь - расстояние от диафрагмы первого анода до экрана; do - расстояния между электродами линзы (ускоряющим электродом, первым и вторым анодом); Я

у, э. Rai

Ria - соответственно радиусы отверстий диафрагм ускоряющего электрода, первого и второго анодов; 7i и 72 - апертурные углы соответственно со стороны объекта и изображения

где г с - радиус скрещения (объекта); С4 - потенциал в плоскости скрещения; уу - апертурный угол со стороны объекта; г„ - радиус пятна (изображения); U„ - потенциал в плоскости пятна (изображения) ; 72 - апертурный угол со стороны пятна (изображения). Для малых апертурных углов (32.22) имеет вид:

Гс\/иГ71 =г„\/иУ2, откуда

(32.23)

Подставив в (32.33) найденное выше значение радиуса скрещения, получим:

,-п= (0,0287,/72)\С.

Отношение 71/72 равно Ъ/а = 130/30=4,33, откуда радиус пятна = = 0,028 • 4,33 = 0,12 мм.

Полученное значение для радиуса пятна удовлетворяет заданному.

Следует иметь в виду, что полученный расчетным путем радиус пятна практически всегда будет отличаться от реальных значений, так как при проведении расчета бьши сделаны упрощения и не учитьшались другие факторы, например сферические аберрации ЭОС.

Фокусное расстояние главной проекционной линзы определим из следующих условий: считаем, что линза симметричная, образована тремя диафрагмами, главные плоскости совпадают (линза тонкая), фокусные расстояния /1 = /2.

По формуле (4.22) определим ~

= 30 мм; /2 = Ь = 130 мм, откуда

где 1{=а =



iif h+h 130 + 30 „. . 1 = --=-3= 24,4 mm.

Напряжение на первом аноде найдем по приближенной формуле: 1 3 (Ub2-U2.iY

где d - расстояние между диафрагмами (d =do =4 мм); / = 24,4 мм, значительно больше d, т. е. удовлетворяет условию тонкой линзы; C/gi - напряжение на первом аноде; £/а2 ~ - ускоряющее напряжение, откуда напряжение на первом аноде

c4i = uiVWd - y/TTf) /у/ъЩ =

= 800(ч/3/32- 1/ч/24Д)/ч/"3/32 = 270 В.

Программа расчета фокусного расстояния линзы / и напряжения на первом аноде Ugy-.

Пх 2 t Пх 0 + П-хО t П-х24-хП 5 С/П

n-xSFl/xF-sT l-f*-xnC3t8nx4-

F V~ хП 7 Пх С - Пх 7 Пх 3 х хП 8 С/П

Ввод: /i = ПО; h - П2; С/г = ПЗ; d = П4. Вьшод: 1 = П5; Ui = П8.

Расчет электростатической отклоняющей системы. Из существующих конструкций отклоняющих пластин (см. рис. 17.2) выбираем однократно изломанные. Такие пластины просты в изготовлении и широко применяются в осциллографических ЭЛТ.

Для обеспечения симметричного включения пластин (см. § 17.3) и регулирования среднего потенциала между пластинами относительно второго анода в данной конструкции ЭЛТ все четыре пластины отклоняющей системы имеют независимые вьшоды в цоколь.

На рис. 32.14 изображена упрощенная схема ЭОС осциллографической ЭЛТ. Там же указаны междузлектродные расстояния, размеры отклоняющих пластин и расстояния их до экрана.

Диаметр электронного пучка между отклоняющими пластинами вьиисляем по формуле

£»п= 2tg72i,

где - расстояние от отклоняющей системы до экрана, равное 100 мм.

Значение угла 72 определяем из полученного отношения 71/72 : 72 = = 7i/4,33, где угол71 равен 1°.

Таким образом, получаем: D„ = 2tg 72 • ЮО =0,8 мм.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 [132] 133 134 135 136 137 138 139



0.0104
Яндекс.Метрика