Android-приложение для поиска дешевых авиабилетов: play.google.com
Главная -> Домашний мастер

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 [19] 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35

Основные размеры Ш-образных сердечников (состоят из двух одинаковых Ш-образных сердечников) из магнитомягких ферритов (но ГОСТ 18614-79) приведены в табл. 2.2.

Зависимость индуктивности дросселя L2 от количества витков

Таблица 2.3

Основные размеры Ш-образных сердечников

Таблица 2.2

Типоразмер сердечника

Основные размеры сердечника, мм

Длина магнитной линии /5, мм

Площадь поперечного сечения S, мм

Ш2,5х2,5

21,5

7,63

ШЗхЗ

26,4

10,5

Ш4х4

34,5

19,3

Ш5х5

43,1

Шбхб

52,9

42,4

Ш7х7

62,9

Ш8х8

11,5

75,1

69,2

ШЮхЮ

83,8

Ш12х15

96,7

Ш16x20

Ш20х28

32,5

Зависимость индуктивности дросселя L2 от количества витков для различных сердечников (Ш5х5, Шбхб, Ш7х7) приведена в табл. 2.3.

Измерения индуктивности дросселя L2 производились цифровым измерителем LCR типа Е7- 8.

Транзисторы VT1, VT2 - IRF720, мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field

Ш5х5, зазор 8 = 0,4 мм, диаметр провода 0,31 мм

Шбхб, зазор 8 = 0,5 мм, диаметр провода 0,35 мм

Ш7х7, зазор 8 = 0,8 мм, диаметр провода 0,45 мм

Количество витков

Индуктивность, мГн

Количество витков

Индуктивность, мГн

Количество витков

Индуктивность, мГн

0,848

1,09

1,04

1,01

1,29

1,17

1,18

1,50

1,22

1,35

1,73

1,36

1,43

2,00

1,58

1,54

1,77

1,73

2,01

1,95

2,41

Effect Transistor; в отечественном варианте МОП ПТ - полевые транзисторы структуры металл-окисел-полупроводник); их параметры:

• постоянный ток стока (/р).............................3,3 А;

• импульсный ток стока (/ом)............................ 13 А;

• максимальное напряжение сток-исток (Kps).............400 В;

• максимальная рассеиваемая мощность (Fq)..............50 Вт;

• диапазон рабочих температур (7])............от -55 до -I-150 °С;

• сопротивление в открытом состоянии..................1,8 Ом;

• общий заряд затвора (Og)............................20нКл:

• входная емкость (Cjss)...............................410 пФ.

Не следует применять в высокочастотном блоке питания полевые

транзисторы IRF840 и им подобные (с большой емкостью и зарядом затвора). В свое время я сам в попытке увеличить надежность блока совершил эту ошибку. Позже выяснилось, что основная причина перегрева и вьгхода из строя транзисторов в подобных блоках - вовсе не повышенное падение напряжения на канале открытого транзистора (через него течет небольшой ток, особенно при питании одной ЛЛ мошностью 18 Вт), а динамические потери энергии на перезарядку сравнительно большой выходной емкости транзистора и общего заряда затвора. Этот эффект замаскирован тем, что при правильной настройке контура L2C10 реактивная составляющая его сопротивления частично компенсирует емкостную часть выходного сопротивления транзисторов. Однако нарушение компенсации при выходе из строя лампы или в результате обрыва в ее цепи почти неизбежно приводит к перегреву транзисторов. Использование транзисторов менее мощных, но более быстродействующих, у которых внутренние емкости значительно меньше, и обАшй заряд затвора повышает надежность.



Возможные замены:

• IRF730, IRF820, IRFBC30A (International Rectifier);

. STP4NC50, STP4NB50, STP6NC50, STP6NB50 (STMicroelectronics);

• полевые транзисторы фирмы Infineon (http: www.infineon.com) серии CoolMOS with fast body diode: SPP11N60CFD, SPA11N60CFD;

• PHX3N50E фирмы PHILIPS и т. п.

Транзисторы установлены на небольшие пластинчатые радиаторы. Длина проводников между выходами драйвера 5, 7, резисторами в цепях затворов R3, R4 и затворами полевых транзисторов должна быть минимальной.

Диодный мост VD1 - импортный RS207; допустимый прямой ток 2 А; обратное напряжение 1000 В. Можно заменить на четыре диода с соответствующими параметрами.

Диод VD2 класса ultra-fast (сверхбыстрый) - обратное напряжение не менее 400 В; допустимый прямой постоянный ток 1А; время обратного восстановления 35 не. Подойдут 11DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-FIER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106-SF109, BYT1-600. Этот диод должен располагаться как можно ближе к микросхеме.

Микросхема DA1 - IR2153 заменима на IR2152, IR2151, IR2153D, IR21531, IR2154, IR2155, L6569, МС2151, MPIC2151. При использовании IR2153D диод VD2 не требуется, т. к. он установлен внутри микросхемы.

Резисторы R1-R5 - ОМЛТ или МЛТ.

Конденсаторы С1-СЗ - К73-17 на 630 В; С4 - электролитический (импортный) на номинальное напряжение не менее 350 В; С5 - электролитический на 25 В; Сб - керамический на 50 В; С7 - керамический или К73-17 на напряжение не менее 60 В; С8, С9 - К73-17 на 400 В; СЮ - полипропиленовый К78-2 на 1600 В.

Варистор RU1 фирмы EPCOS - S14K275, S20K275, заменим на TVR (FNR) 14431, TVR (FNR) 20431 или отечественный СН2-1а-430 В.

Терморезистор (термистор) RK1 с отрицательным температурным коэффициентом (NTC - Negative Temperature Coefficient) - SCK 105 (10 Ом, 5 A) или фирмы EPCOS - B57234-S10-M, B57364-S 100-М.

Термистор можно заменить на проволочный резистор 4,7 Ом мощностью 3...5 Вт.

RK2 - термистор РТС (Positive Temperature Coefficient) с положительным температурным коэффициентом (позистор). Разработчики IR2153 рекомендуют использовать позистор фирмы Vishay Cera-Mite - 307С1260. Его основные параметры:

• номинальное сопротивление при -1-25 °С.............. 850 Ом;

• мгновенное (максимально допустимое) среднеквадратичное напряжение, прикладываемое

к позистору при зажигании лампы......................520 В;

• постоянное (максимально допустимое) среднеквадратичное напряжение, прикладываемое

к позистору при нормалной работе лампы...............175 В;

• максимальный допустимый ток переключения (переводящий позистор в высокоомное состояние).....190 мА;

• диаметр позистора.....................................7 мм.

Возможная замена - импульсные позисторы фирмы EPCOS (число

циклов переключения 50000... 100000) - В59339-А1801-Р20, В59339-А1501-Р20, B59320-J120-A20, В59339-А1321-Р20.

Позисторы с необходимыми параметрами в количестве, достаточном для восьми электронных балластов, можно изготовить из широко распространенного позистора СТ15-2-220 от системы размагничивания телевизора ЗУСЦТ. Разобрав пластмассовый корпус, извлекают две «таблетки». Алмазным надфилем делают на каждой два надпила крест-накрест, как показано на рис. 2.17, и разламывают ее по надпилам на четыре части.



Рис. 2.17. « Таблетка» позистора с надпилами

К металлизированным поверхностям изготовленного таким образом позистора очень трудно припаять выводы. Поэтому, как показано на рис. 2.18, делают в печатной плате (поз. 3) прямоугольное отверстие и зажимаю обломок «таблетки» (поз. 1) между упругими контактами (поз. 2), припаянными к печатным проводникам. Подбирая размер обломка, можно добиться желаемой продолжительности прогрева лампы.

Если люминесцентную лампу предполагается использовать в режиме нечастого включения-выключения, то позистор можно исключить.


Рис-г. 18. Крапление самодельного позистора на плате



Настройка

Разброс параметров элементов Сб, L2, СЮ может потребовать подстройки частоты драйвера.

Равенства частоты задающего генератора микросхемы IR2153 резонансной частоте контура L2C10 проще всего добиваться подборкой часто-тозадающего резистора R2. Для этого его удобно временно заменить парой последовательно соединенных резисторов: постоянного (10...12кОм) и подстроечного (10...15 кОм). Критерием правильной настройки служат надежный запуск (зажигание) и устойчивое горение лампы.

Балласт собран на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита и помещен в алюминиевый экранирующий кожух. Печатная плата и расположение элементов показана на рис. 2.19.

ВНИМАНИЕ!

Конструкция гальванически связана с электрической сетью. Потенциально опасна для жизни из-за возможного поражения электрическим током. Поэтому при изготовлении, проверке, налаживании и эксплуатации следует помнить о строгом соблюдении мер электробезопасности. Конструкция должна быть выполнена так, чтобы исключить случайное касание оголенных выводов проводников или деталей. Проверяя работу конструкции, не следует касаться руками никаких ее деталей или цепей, а заменяемые детали перепаивать только при вынутой из розетки сетевой вилке.

Миниатюрные электронные балласты на IR53HD420

Следующий пример электронного балласта, который мы рассмотрим- это миниатюрный электронный балласт, выполненный на гибридной микросхеме IR53HD420 (IR51HD420), в которую встроены силовые транзисторы и диод вольтодобавки.

Сверхминиатюрные электронные балласты, выполненные на гибридной микросхеме IR51HD420, рассчитаны на совместную работу с одиночными лампами, имеющими ток до 0,3 А, и широко используются с компактными люминесцентными лампами.

Семейство IR53HxxxAR51Hxxx с интегрированными силовыми транзисторами включает в себя несколько микросхем с различными параметрами, основные характеристики которых приведены в табл. 2.4.


юл +


IB S



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 [19] 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35



0.0163
Яндекс.Метрика