Android-приложение для поиска дешевых авиабилетов: play.google.com
Главная -> Домашний мастер

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 [20] 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35

Характеристики микросхем

Таблица 2.4

ТипИС

Максимальное напряжение, В

Сопротивление ключа, Ом

Напряжение сети,В

Мощность лампы, Вт

IR5xH214,IR5xHD214

5...15

IR5XH224, IR5XHD224

15...25

IR5XH737, IR5XHD737

0,75

25...35

IR5xH310,IR5xHD310

5...15

)R5xH320, IR5XHD320

15...25

IR5XH420, IR5XHD420

10...20

Примечание. HD - с интефированным вольтодобавочным диодом, Н - без диода.

IR2151

IRFC420 Но

IRFC420

Рис. 2.20. Структурная схема IR53HD420/IR51HD420

Основные параметры IR51HD420 аналогичны IR2151, IR2153. Интегрированные в IR51HD420 два п-канальных транзистора HEXFET (IRFC420) имеют следующие параметры:

• постоянный максимальный ток стока .................1,2 А;

• рекомендуемый долговременный ток стока ............0,7 А;

• максимальное напряжение сток-исток Vj...............500 В;

• максимальная рассеиваемая мощность / д.........;... 2...3 Вт;

• сопротивление канала силовых ключей

в открытом состоянии Ry)s............................3,0 Ом.

Принципиальная электрическая схема миниатюрного электронного балласта изображена на рис. 2.21.

Принцип работы аналогичен электронному балласту на IR2153, который мы уже рассмотрели выше.

СС со

=4= s-- -г--

>

OZfOHlSdl

£ 6 8


§ 1

CM Q. О §



Дроссель сетевого фильтра L1 намотан на ферритовом кольце К20х12х6 М2000НМ двухжильным сетевым проводом (или сложенным вдвое МГТФ) до полного заполнения окна. Хорошие результаты помехо-подавления в сочетании с миниатюрными размерами дают специализированные фильтры EPCOS: В84110-В-А14, В84110-А-А5, В84110-А-А10, В84110-А-А20.

Дроссель электронного балласга L2 вьшолнен на Ш-образном магнитопроводе из феррита М2000НМ. Типоразмер сердечника Ш5х5 с зазором 5 = 0,4 мм под всеми тремя рабочими поверхностялш Ш-образного сердечника. Величина зазора в нашем случае - это толщина прокладки между соприкосающимися поверхностями половинок магнитопровода. Для изготовления зазора необходимо проложить прокладки из немагнитного материала (нефольгированный стеклотекстолит или гетинакс) толщиной 0,4 мм между соприкосающш.шся поверхностями половинок магнитопровода и скрепить эпоксидным клеем. От велишны немагнитного зазора зависит величина индуктивности дросселя (при постоянном количестве витков). При уменьшении зазора индуктивность возрастает, при увеличении - уменьшается.

Обмотка L2 - 180 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,25 мм. Межслойная изоляция - лакоткань. Намотка - виток к витку.

Диодный мост VD1 - импортный RS207, допустимый прямой ток 2 А, обратное напряжение 1000 В. Можно заменить на четыре диода с соответствующими параметрами.

Гибридную микросхему IR51HD420 можно заменить на IR53HD420, IR51H420, IR53H420. При использовании IR51H420, IR53H420 нужно учесть, что у этих микросхем отсутствует встроенный диод вольтодобавки (между выводами 1 и 6), и его следует установить. Используемый при этом диод должен быть класса ultra-fast (сверхбыстрый) с параметрами: обратное напряжение 400 В; допустимый прямой постоянный ток 1 А; время обратного восстановления 35 не. Подойдут I1DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-HER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106- SF109. Диод должен располагаться как можно ближе к микросхеме.

R3, С5, Сб - SMD элементы для поверхностного монтажа (Сб на 60 В). Конденсаторы С1, С2, С7 - К73-17. С1, С2 - на 630 В, С7 - на 400 или 630 В; СЗ - электролитический (два по 10 мкФ в параллель) импортный на номинальное напряжение не менее 350 В; С4 - электролитический на 25 В; С8 - полипропиленовый К78-2 на 1000 В.

Варистор RU1 фирмы EPCOS - S14K275, S20K275, заменим на TVR (FNR) 14431, TVR (FNR) 20431 или отечественный СН2-1а-430 В.

R1 - проволочный 2,2...4,7 Ом мощностью 1...2 Вт, можно заменить на терморезистор (термистор) с отрицательным температурным коэффициентом (NTC - Negative Temperature Coefficient) - SCK 105 (10 Ом, 5 A) или фирмы EPCOS - B57234-S10-M, B57364-S100-M.

RK2 - позистор, такой же как и в электронном балласте на IR2153.

Балласт собран на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита и помещен в алюминиевый экранирующий кожух. Печатная плата и расположение элементов показана на рис. 2.22.

Рекомендации по настройке аналогичны тем, которые бьши рассмотрены в разделе, посвященном электронному балласту на IR2153.

Следующий вариант электронного балласта, схема которого изображена на рис. 2.23, имеет несколько измененную цепочку предварительного прогрева катодов. Она образована элементами С7, С8, RK1.

Особенность работы заключается в том. что в начальный момент малое сопротивление (300 Ом) холодного позистора RK1 шунтирует конденсатор С8, и резонансная частота балластной схемы определяется элементами L2, С7 в соответствии с формулой

Частота ниже, чем частота внутреннего генератора F,. микросхемы, которая задается элементами R3, С4 в соответствии с формулой

1,4(ЛЗ + 75)С4

кГц.

При таких условиях лампа не зажигается. Происходит прогрев электродов током, протекающим через С7. RK1. Одновременно при этом нагревается позистор, сопротивление его резко увеличивается, и он перестает шунтировать С8. Резонансная частота балластной схемы F теперь определяется элементами L2 и последовательным соединением С7, С8. Fg становится равным F - лампа зажигается. R3 выбирается из условия обеспечения вьшолнеьшя описанных выше равенств.

Цепочка С1, СЗ, L1 - помехоподавляющая.

На рис. 2.24 представлен еще один вариант миьшатюрного электронного балласта, выполненного на гибридной микросхеме IR51HD420. Схема построена по полумостовому принципу.

Схема имеет дополнительные возможности:

• установка времени прогрева накальных электродов лампы;

• наличие защитного режима работы электронного балласта при перегорании накальных электродов и отсутствия лампы.

Схема двуступенчатого прогрева накальных электродов образована элементами R3-R5, С5, С7, VD2-VD4, VT1, VT2. Время прогрева




.jrU 0,01 мкф

Рис. 2.22. Печатная плата м расположение элементов

-220 В с, 50Гц 0,1 мк

R1 10

. RS207

470 мкГн


С2 : 10 мк 350 В

СЗ = 0,1 мк 400 В

R2 82 к

С4 22 тк 25 В ,

R3 Т

12 к

05 1000

0,1 тк L2 400 В 2,5 мГн

06 0,1 тк

ELI 13 Вт

08 , 0,01 мк 530 В

RK1 у 30701225

09 5600 630 В

Рис. 2.23. Электронный балласт с измененной цепью прогрева катодов



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 [20] 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35



0.0144
Яндекс.Метрика