§1

•X =

S S 8 I 8

i I i I

накальных электродов задается элементами R3, С5, VD2, VD3. Работает схема следующим образом. В начальный момент транзисторы VT1, VT2 закрыты - частота работы драйвера и прогрева определяется элементами R6, Сб, С7, VD4. Эта частота выше резонансной, напряжение на лампе недостаточно для ее зажигания. По мере заряда конденсатора С5 напряжение на нем возрастает. Открывается первый пороговый элемент на стабилитроне VD3, что в свою очередь приводит к открытию ключевого элемента VT1. После этого частота драйвера определяется элементами R6, Сб, С7. Процесс прогрева электродов продолжается. Далее с ростом напряжения на С5 открьшается второй пороговый элемент на стабилитроне VD2, что в свою очередь приводит к открытию ключевого элемента VT2. Частота драйвера уменьшается (определяется элементами R6, Сб) и становится равной резонансной частоте. Процесс прогрева электродов заканчивается, индуктивный резонансный выброс напряжения зажигает лампу.

Транзисторы VT1, VT2 - это л-канальные MOSFET в корпусе SOT-23 с параметрами:

• максимальный ток стока .............................1,2 А;

• импульсный максимальный ток стока У,................7,4 А;

• максимальное напряжение сток-исток Ks................20 В;

• максимальная рассеиваемая мощность .............540 мВт;

• сопротивление в открьпом состоянии.................0,25 Ом.

Защитный режим работы электронного балласта при перегорании

накальных электродов и отсутствия лампы реализован на особом способе питания IR51HD420. Элементы СИ, VD5, VD6 образуют своеобразную цепь подпитки драйвера. Резистор R2 подбирают таким образом, что при установленной и исправной лампе совместно со схемой подпитки образуется достаточный ток для нормальной работы драйвера (напряжение на выводе 1 при этом 13...15 В). Но при обрыве электродов или отсутствии лампы процесс подпитки нарушается, напряжение на питающем выводе 1 падает, шкpocxeмa IR51HD420 переходит в защитный режим работы, характеризующийся периодической блокировкой схемы управления силовыми ключами.

Осциллограмма защитного режима работы изображена на рис. 2.25.

Напряжения и токи на электродах лампы во время прогрева, зажигания и свечения показаны на рис. 2.26-2.29.

5 Зак. 255

Рис. 2.25. Напряжение на выходе полумостового ключа при отключенной (неисправной) лампе

Рис. 2.27. Ток через катод лампы

Рис. 2.26. Напряжение на катоде люминесцентной лампы

Рис. 2.28. Напрткение на лампе

0163

Рис. 2.29. Ток лампы

Дроссель электронного балласта L2 выполнен на Ш-образном магнитопроводе из феррита М2000НМ. Типоразмер сердечника Ш5х5 с зазором 5 = 0,4 мм. Обмотка L2 - 205 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,2...0,25 мм. Межслойная изоляция - лакоткань. Намотка - виток к витку.

Данный электронный балласт рассчитан на работу с компактной люминесцентной лампой мощностью 13 Вт, током 0,165 А и сопротивлением накальных электродов в холодном состоянии 4 Ом.

На рис. 2.30 представлен вариант миниатюрного электронного балласта на микросхеме IR51HD420 с одноступенчатым частотным прогревом электродов и обычной схемой питания.

Транзистор VT1 (BS170) - это и-канальный МОП транзистор в корпусе ТО-92 с параметрами:

• максимальный ток стока /р.............................0,7 А;

• максимальное напряжение сток-исток Fp................60 В;

• максимальная рассеиваемая мощность .............800 мВт;

• сопротивление в открытом состоянии is..............12 Ом.

Можно заменить на КП501, BSS89, BST76, VN2401 или любыми другими со схожими параметрами.

Печатная плата и расположение элементов показана на рис. 2.31.