Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 [14] 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

t максимально допустимым средним током (среднее значение) заданной формы при заданной температуре корпуса; максимально допустимым прямым током (среднее значение) заданной формы при заданной температуре охлаждающей среды и заданных охладителе и интенсивности охлаждения; мак-: симально допустимой амплитудой тока рабочей перегрузки I и его длительностью при заданной форме тока, предваритель-1 ной загрузке прибора рабочим током и заданных охладителе, температуре охлаждающей среды и интенсивности охлаждения; максимально допустимой амплитудой тока аварийной перегрузки и его длительностью при заданной форме тока и известной температуре перехода полупроводниковой структуры. Подробно эти вопросы рассмотрены в гл. 4.

2.4. КЛАССИФИКАЦИЯ СИЛОВЫХ ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ

Классификация диодов и тиристоров по электрическим параметрам и характеристикам. В зависимости от характера обратной ВАХ диоды и тиристоры делятся на приборы с нелавинной и лавинной обратными характеристиками. Лавинные диоды и тиристоры (т. е. диоды и тиристоры, имеющие лавинную ВАХ) обладают способностью в состоянии лавинного

.1 пробоя при приложении к ним обратного напряжения пропускать относительно большие обратные токи и рассеивать достаточно большую мощность. Лавинные диоды и тиристоры

, имеют обратную характеристику стабилитронного типа, характеризуемую значениями напряжения лавинообразования и ди-

f намического сопротивления.

, Обратная характеристика лавинных диодов и тиристоров • • обеспечивает ограничение обратного напряжения на них в пределах, определяемых значением напряжения лавинообразования и динамического сопротивления при перенапряжениях, и тем 5 самым защищает как приборы, так и другие элементы схемы, \ в которой они применены, от перенапряжений. Способность ; защиты от перенапряжений лавинных диодов и тиристоров ограничена допустимой мощностью потерь, которую может рассеять прибор в состоянии лавинного пробоя, причем при J этом должны учитываться значение, длительность и частота Л. перенапряжений.

f В зависимости от коммутационных (динамических) характеристик среди диодов выделяются быстровосстанавливающие-. ся диоды-диоды, имеющие относительно малое время восстановления, а среди тиристоров-быстровключающиеся тиристоры-тиристоры с малым временем включения, быстро-выключающиеся-с малым временем выключения и быстродействующие-с относительно малыми временами включения и выключения.



Быстровосстанавливающиеся диоды, быстродействующие и быстровыключающиеся тиристоры, как имеющие малые коммутационные потери (потери выключения и включения) и малые заряды обратного восстановления, применяются в схемах, работающих на повышенных частотах. Быстро-включающиеся тиристоры (иногда называемые импулыными) обеспечивают пропускание в открытом состоянии кратковременных импульсов тока большой амплитуды.

Кроме того, тиристоры классифицируют по способу управления. При этом выделяют тиристоры со световым управлением-фототиристоры и фототиристоры со встроенным источником света (светодиодом)-оптронные тиристоры. Фото-и оптронные тиристоры имеют своим достоинством гальваническую развязку между основной (анодной) цепью и цепями управления, гальванически связанными между собой у обычных тиристоров.

С достаточной степенью условности СПП можно классифицировать по току как малоамперные (до 100 А) и многоамперные (выше 100 А), а по напряжению-низковольтные (до 1000-1500 В) и высоковольтные (выше 1500-2000 В). Эта классификация хотя и не выделяет приборы с какими-то специфическими свойствами, но может оказаться и оказывается важной при конкретизации номенклатуры параметров и характеристик приборов, объемов и методик их испытаний и проверок, а также при разработке конструкций корпусов приборов, охладителей к ним и т. п.

Классификация силовых полупроводниковых диодов и тиристоров по конструкции. В зависимости от конструкции корпуса, в котором размещается полупроводниковая выпрямительная структура, диоды и тиристоры разделяют на штыревые, фланцевые, таблеточные, с корпусом под запрессовку, модульные.

Штыревые корпуса СПП (рис. 2.8) состоят из массивного основания, снабженного штырем, и крышки, которая при соединении с основанием образует герметичную полость для размещения полупроводашковой структуры. Основание корпуса диода для тиристора, на котором располагается полупроводниковая структура, служит одним из основных электрических выводов СПП и одновременно теплоотводом. Соединения основания корпуса с токоподводом и охладителем осуществляется с помощью штыря, на котором имеется резьба. Крышка корпуса СПП несет на себе второй основной электрический вывод СПП и обеспечивает изоляцию его от основания. Крышки штыревых корпусов тиристоров снабжаются также проходными изоляторами для управляющего электрода. Выводы со стороны крышки корпуса могут выполняться как жесткими, так и гибкими. 46





Рис. 2.9. Тиристор фланцевой конст-Рис. 2.8. Диод штыревой конструкции рукцни с жестким (а) и гибким (б) с гибким (а) и жестким (б) выводом выводами

В зависимости от ориентации полупроводниковой структуры по отношению к основанию и крышке корпуса различают диоды и тиристоры прямой (анод на основании) и обратной (катод на основании) полярности.

Внешняя образующая поверхность основания корпусов штыревой конструкции имеет форму шестигранника и обеспечивает возможность применения гаечного ключа при монтаже СПП в преобразовательном устройстве.

Фланцевая конструкция (рис. 2.9) корпусов диодов и тиристоров отличается от штыревой конструкции отсутствием штыря у основания и формой внешней образующей основания, выполненной в виде фланца. Крепление диодов и тиристоров фланцевой конструкции к токоотводу и охладителю осуществляется путем прижима фланца основания с помощью прижимного устройства. Фланцевая конструкция корпусов в отечественном силовом полупроводниковом приборостроении не имеет широкого распространения, применяется в основном для СПП, размещаемых на вращающихся конструкциях (так называемые роторные СПП).

Штыревая и фланцевая конструкции диодов и тиристоров обеспечивают возможность одностороннего охлаждения полупроводниковой структуры и применяются для СПП на токи до 320-500 А.

Таблеточные корпуса (рис. 2.10) диодов и тиристоров представляют собой цилиндрический полый изолятор, в торцевых частях которого имеются два медных основания, между которыми располагается полупроводниковая структура. Основания корпуса служат для подсоединения токоподводов



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 [14] 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0143
Яндекс.Метрика