где Я (и)-ИО в режиме термоциклирования. Сравнивая (8.74) с (8.73), видим, что

X{n) = Xon/{N-n). (8.75)

Однако (8.75) противоречит тому условию, что отказы приборов при термоциклировании распределены нормально. И наоборот. Если известен закон распределения отказов, мы знаем функцию Х(и), и тогда из (8.74) можно вычислить полную ИО в данном комбинированном режиме и оценить MTTF. При этом выражения (8.72) мы, естественно, не получим. Стоит отметить, что по данным автора среднее число отказов при испытаниях на долговечность равно 2,8. В то же время из рис. 1 [8.32] ?.(Г=200° С)=10" 1/ч. и ВБР за 600 ч ехр(-10 600) = 0,942 таким образом вероятность отказа приблизительно равна 0,06, т. е. около трех приборов на партию в 50 шт. Это означает, что данные испытания, по-видимому, независимы друг от друга.

В [8.93] предпринята попытка рассчитать зависимость интенсивности параметрических отказов от времени для силовых ПП. Идея работы состоит в следующем: по мере циклирования растет тепловое сопротивление приборов, что приводит к росту температуры структуры этих приборов Tj и отказу прибора при TjTj. Однако, хотя авторы утверждают, что интересующие их режимы эксплуатации являются циклическими, они нигде не используют зависимость числа циклов до отказа Л от AT и потому возникает вопрос: а не может ли так оказаться, что величина N с учетом длительности цикла и его частоты ограничит жизнь прибора гораздо раньше, чем его средняя температура превысит T.J К тому же из рис.3 [8.93] следует, что при Tj=\i(f С (что соответствует техническим условиям), ИО равна нулю вплоть до Г = 45 ООО ч?! (это противоречит данным по эксплуатационной надежности [8.8, 8.87]).

список ЛИТЕРАТУРЫ

к главе 1

1.1. Физический энциклопедический словарь/Гл. ред. А. М. Прохоров. М.: Сов. энциклопедия, 1984.

1.2. Управляемые полупроводниковые вентили: Пер. с англ./Ф. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. фон Застров. М.: Мир, 1967.

1.3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984.

1.4. Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. М.: Энергоиздат, 1981.

1.5. Силовые полупроводниковые приборы/В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев, Н. А. Соболев и др. Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). М.: ВИНИТИ, 1986. Т. 4. С. 1-108.

1.6. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов В П. Григоренко, П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов. М.: Энергоатомиздат, 1988.

1.7. NeweU W. Е. Dissipation in Solid-State Devices -The Magic of /+" IEEE Trans. Ind. Appl. 1976. Vol. 12, N4. P. 386-396.

1.8. Расчет силовых полупроводниковых приборов/П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. М.: Энергия, 1980.

1.9 Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./Под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1981.

1.10. Герлах В. Тиристоры: Пер. с нем. М.: Энергоатомиздат, 1985.

1.11. Отблеск А. е., Челноков В. Е. Физические проблемы в силовой полупроводниковой электронике. Л.: Наука, 1984.

1.12. Гаряияов С. А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970.

1.13. Бенинг Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975.

1.14. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.

К главе 2

2.1. ГОСТ 20859.1-79. Приборы полупроводниковые силовые единой унифицированной серии. Общие технические условия. М.: Изд-во стандартов, 1985.

2.2. ГОСТ 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. М.: Изд-во стандартов, 1987.

2.3. ГОСТ 20332-84. Тиристоры. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения. М.: Изд-во стандартов, 1975.

2.4. Chu С. К., Johnson J. Е., Spisak P. В. е. а. Design consideration on high power soft recovery rectifiers Ann. Ind. Appl. Soc. Meet, record 1980 P. 720-722.

2.5. Kao \. С Chu C. K. Design Curves for PIN Rectifiers and Thvris-tors IEEE Ind. Appl. Soc. Meet. 1981. P. 739-744.

2.6. Kamahai-a K., Kawakami A., Iwanroto H. e. a. 4000 V 2500 A High Voltage High Power Thyristor IEEE Ind. Appl. Soc. Meet. 1978. P. 1022-1025.

2.7. Асина С. С, Кузьмин В. Л., Сурма А. М. Быстродействующие диоды и тиристоры большой мощности Электротехника. 1988. №5. С. 7-10.

2.8. Рабииерсон А. А., Ашкннази Г. А. Режимы нагрузки силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1976.

2.9. Newell W. Е. Transient Thermal Analysis of Solid-State Power Devices.- Making a Dreaded Process Easy IEEE Trans. Ind. Appl. 1976. Vol. 12, N4. P. 405-420.

2.10. Тиристоры (технический справочник): Пер. с англ./Под ред. В. А. Лабунцова и др. М.: Энергия, 1971.

2.11. Шпер В. Л. Определение перегрузочной способности силовых полупроводниковых приборов Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1979. №S. С. 8-11.

2.12. Yaws С. L., Dickens L. L., Lutwack R. е. а. Semiconductor Industry Silicon: Physical and Thermodynamic Properties Solid State Technology. 1981. P. 87-92.

K главе 3

3.1. Энергетическая электроника: Справочное пособие: Пер. с нем./Под ред. В. А. Лабунцова. М: Энергоатомиздат, 1987.

3.2. Чебовский О. Г., Моисеев Л. Г., Недошивпн Р. П. Силовые полупроводниковые приборы: Справочник.-2-е изд., перераб. и доп. М: Энергоатомиздат, 1985.

3.3. Силовая электроника; Примеры и расчеты/Ф. Чаки, И. Герман, И. Ипщан и др.; Пер. с англ. М: Энергоиздат, 1982.

К главе 4

4.1. Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковьк приборов. М.: Энергия, 1976.

4.2. Лабунцов В. А., Тутов Н. М. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. М.: Энергия, 1976.

К главе 5

5.1. Danielson В. Е. Studies of turn-off effects in power semiconductors devices Solid state electronics. 1985. Vol. 28, N 4. P. 375-391.

5.2. Mc Murray Wffliam. Optimum snubbers for power semiconductors IEEE Trans. Ind. Appl. 1972. N 8. P. 593-600.

5.3. Берконич E. И., Ковалев В. Н., Ковалев Ф. И. Полупроводниковые выпрямители.-2-е изд., перераб. М.: Энергия, 1978.

5.4. De Bruine P., Lawatsch Н. Sperrspannungs verlauf einer RC Beschalten Halbleiters beim Abschaltvorgang BBC Mitt. 1975. N5. S. 220-224.

5.5. Жемеров Г. Г. Тиристорные преобразователи частоты с непосредственной связью. М.: Энергия, 1977.

5.6. Некрасов О. А., Мугииштейи Л. А. Допустимая нагрузка кремниевых вентилей при их последовательно-параллельном включении Электричество. 1972. ]Чо5. С. 75-79.