Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 [140] 141 142 143

где Я (и)-ИО в режиме термоциклирования. Сравнивая (8.74) с (8.73), видим, что

X{n) = Xon/{N-n). (8.75)

Однако (8.75) противоречит тому условию, что отказы приборов при термоциклировании распределены нормально. И наоборот. Если известен закон распределения отказов, мы знаем функцию Х(и), и тогда из (8.74) можно вычислить полную ИО в данном комбинированном режиме и оценить MTTF. При этом выражения (8.72) мы, естественно, не получим. Стоит отметить, что по данным автора среднее число отказов при испытаниях на долговечность равно 2,8. В то же время из рис. 1 [8.32] ?.(Г=200° С)=10" 1/ч. и ВБР за 600 ч ехр(-10 600) = 0,942 таким образом вероятность отказа приблизительно равна 0,06, т. е. около трех приборов на партию в 50 шт. Это означает, что данные испытания, по-видимому, независимы друг от друга.

В [8.93] предпринята попытка рассчитать зависимость интенсивности параметрических отказов от времени для силовых ПП. Идея работы состоит в следующем: по мере циклирования растет тепловое сопротивление приборов, что приводит к росту температуры структуры этих приборов Tj и отказу прибора при TjTj. Однако, хотя авторы утверждают, что интересующие их режимы эксплуатации являются циклическими, они нигде не используют зависимость числа циклов до отказа Л от AT и потому возникает вопрос: а не может ли так оказаться, что величина N с учетом длительности цикла и его частоты ограничит жизнь прибора гораздо раньше, чем его средняя температура превысит T.J К тому же из рис.3 [8.93] следует, что при Tj=\i(f С (что соответствует техническим условиям), ИО равна нулю вплоть до Г = 45 ООО ч?! (это противоречит данным по эксплуатационной надежности [8.8, 8.87]).



список ЛИТЕРАТУРЫ

к главе 1

1.1. Физический энциклопедический словарь/Гл. ред. А. М. Прохоров. М.: Сов. энциклопедия, 1984.

1.2. Управляемые полупроводниковые вентили: Пер. с англ./Ф. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. фон Застров. М.: Мир, 1967.

1.3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984.

1.4. Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. М.: Энергоиздат, 1981.

1.5. Силовые полупроводниковые приборы/В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев, Н. А. Соболев и др. Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). М.: ВИНИТИ, 1986. Т. 4. С. 1-108.

1.6. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов В П. Григоренко, П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов. М.: Энергоатомиздат, 1988.

1.7. NeweU W. Е. Dissipation in Solid-State Devices -The Magic of /+" IEEE Trans. Ind. Appl. 1976. Vol. 12, N4. P. 386-396.

1.8. Расчет силовых полупроводниковых приборов/П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. М.: Энергия, 1980.

1.9 Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./Под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1981.

1.10. Герлах В. Тиристоры: Пер. с нем. М.: Энергоатомиздат, 1985.

1.11. Отблеск А. е., Челноков В. Е. Физические проблемы в силовой полупроводниковой электронике. Л.: Наука, 1984.

1.12. Гаряияов С. А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970.

1.13. Бенинг Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975.

1.14. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.

К главе 2

2.1. ГОСТ 20859.1-79. Приборы полупроводниковые силовые единой унифицированной серии. Общие технические условия. М.: Изд-во стандартов, 1985.

2.2. ГОСТ 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. М.: Изд-во стандартов, 1987.



2.3. ГОСТ 20332-84. Тиристоры. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения. М.: Изд-во стандартов, 1975.

2.4. Chu С. К., Johnson J. Е., Spisak P. В. е. а. Design consideration on high power soft recovery rectifiers Ann. Ind. Appl. Soc. Meet, record 1980 P. 720-722.

2.5. Kao \. С Chu C. K. Design Curves for PIN Rectifiers and Thvris-tors IEEE Ind. Appl. Soc. Meet. 1981. P. 739-744.

2.6. Kamahai-a K., Kawakami A., Iwanroto H. e. a. 4000 V 2500 A High Voltage High Power Thyristor IEEE Ind. Appl. Soc. Meet. 1978. P. 1022-1025.

2.7. Асина С. С, Кузьмин В. Л., Сурма А. М. Быстродействующие диоды и тиристоры большой мощности Электротехника. 1988. №5. С. 7-10.

2.8. Рабииерсон А. А., Ашкннази Г. А. Режимы нагрузки силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1976.

2.9. Newell W. Е. Transient Thermal Analysis of Solid-State Power Devices.- Making a Dreaded Process Easy IEEE Trans. Ind. Appl. 1976. Vol. 12, N4. P. 405-420.

2.10. Тиристоры (технический справочник): Пер. с англ./Под ред. В. А. Лабунцова и др. М.: Энергия, 1971.

2.11. Шпер В. Л. Определение перегрузочной способности силовых полупроводниковых приборов Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1979. №S. С. 8-11.

2.12. Yaws С. L., Dickens L. L., Lutwack R. е. а. Semiconductor Industry Silicon: Physical and Thermodynamic Properties Solid State Technology. 1981. P. 87-92.

K главе 3

3.1. Энергетическая электроника: Справочное пособие: Пер. с нем./Под ред. В. А. Лабунцова. М: Энергоатомиздат, 1987.

3.2. Чебовский О. Г., Моисеев Л. Г., Недошивпн Р. П. Силовые полупроводниковые приборы: Справочник.-2-е изд., перераб. и доп. М: Энергоатомиздат, 1985.

3.3. Силовая электроника; Примеры и расчеты/Ф. Чаки, И. Герман, И. Ипщан и др.; Пер. с англ. М: Энергоиздат, 1982.

К главе 4

4.1. Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковьк приборов. М.: Энергия, 1976.

4.2. Лабунцов В. А., Тутов Н. М. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. М.: Энергия, 1976.

К главе 5

5.1. Danielson В. Е. Studies of turn-off effects in power semiconductors devices Solid state electronics. 1985. Vol. 28, N 4. P. 375-391.

5.2. Mc Murray Wffliam. Optimum snubbers for power semiconductors IEEE Trans. Ind. Appl. 1972. N 8. P. 593-600.

5.3. Берконич E. И., Ковалев В. Н., Ковалев Ф. И. Полупроводниковые выпрямители.-2-е изд., перераб. М.: Энергия, 1978.

5.4. De Bruine P., Lawatsch Н. Sperrspannungs verlauf einer RC Beschalten Halbleiters beim Abschaltvorgang BBC Mitt. 1975. N5. S. 220-224.

5.5. Жемеров Г. Г. Тиристорные преобразователи частоты с непосредственной связью. М.: Энергия, 1977.

5.6. Некрасов О. А., Мугииштейи Л. А. Допустимая нагрузка кремниевых вентилей при их последовательно-параллельном включении Электричество. 1972. ]Чо5. С. 75-79.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 [140] 141 142 143



0.0225
Яндекс.Метрика