8.49. Эксиернментальная оценка возможности прогнозирования надежности СПП методами теории распознавания образов / Е. 3. Бухтор, А. М. Григорьев, Г. В. Ермачков, Б. В. Крьшов.- В кн.: Силовые полупроводниковые приборы и преобразовательные устройства. Саранск, 1976. Вып. 6, С. 3-9.

8.50. Brindle К., Muugenast J., Weil G. The surge current rating of very large semiconductors. Some implications to the equipment designer IEEE 7th Ind. Appl. Soc. Meet. 1972. P. 841-850.

8.51. Бардия В. М., Волков Б. В. Закон распределения отказов силовых тиристоров при воздействии токовых перегрузок Электротехн. пром-сть. Сер. Преобразоват. техника. 1976. № 3. С. 1, 2.

8.52. Бардин В. М., Волков Б. В., Бартанов А. Б. Модель долговечности силовых тиристоров при воздействии токовых перегрузок/в кн.: Надежность микроэлектронных схем и элементов. Киев: Наукова думка, 1978. С. 191-196.

8.53. Капур К., Ламберсон Л. Надежность и проектирование систем: Пер. с англ. М.: Мир, 1980.

8.54 Заренин Ю. Г. Контрольные испытания на надежность. М.: Изд-во стандартов, 1970.

8.55. Зарении Ю. Г., Стоянов И. И. Определительные испытания на надежность. М.: Изд-во стандартов, 1978.

8.56. Larson Н. R. А Nomograph of the Cumulative Binomial Distribution Ind. Qual. Control. 1966. Dec. P. 270-278.

8.57. Фншбейн Ф. И. Номограмма, реализующая функцию биномиального распределения Надежность и контроль качества. 1972. № 12. С. 51-63.

8.58. Барлоу Р., Прошан Ф. Математическая теория надежности: Пер. с англ./Под ред. Б. В. Гнеденко. М.: Сов. радио, 1969.

8.59. Большей Л. Н., Смирнов Н. В. Таблицы математической статистики. М.: Наука, 1983.

8.60. Оценка показателей безотказности восстанавливаемых объектов по результатам эксплуатации или испытаний. М.: Изд-во стандартов, 1977.

8.61. Фншбейн Ф. И. Графические методы в планировании и обработке результатов испытаний на надежность/В кн.: В помощь слущателям семинара по надежности и прогрессивным методам контроля качества продукции. М.: Знание, 1979. С. 3-55.

8.62. Brindle К., Mungenast J. Differences in behavior of thyristors in AC and DC circuitry IEEE 12th Ind. Appl. Soc. Meet. 1977. P. 829-832.

8.63. Гриценко A. K., Глух E. M. Прогнозирование потенциально ненадежных тиристоров на этапе приработки Применение тиристорных преобразователей в электроэнергетике. М.: ЭНИН, 1972. Вып. 3/1. С. 200-217.

8.64 Стенд для тренировки и испытаний силовых полупроводниковых приборов/М. И. Абрамович, И. В. Кузнецова, В. Е. Либер, А. А. Сако-вич Электротехника. 1974. № 6. С. 23-26.

8.65. Buri Н., Zeipold Р. Anwendungsbezogene Prijfungen schneller Thyris-toren BBC -Nachr. 1979. Bd. 61, N 12. S. 459-564.

8.66. Stoop Th., Janseu M.H.J. Life -testing of high-power thyristors under extreme electrical and thermal condition IEEE Ind. Appl. Soc. 13th Meet. 1978. P. 1029-1035.

8.67. Гуревич M. K. О выявлении потенциально ненадежных силовых тиристоров по значениям параметров «транзисторной» ВАХ Электронная техника. Сер. 4. 1980. Вып. 5. С. 31-33.

8.68. Матвеев В. В., Лытаев Р. А. О прогнозировании надежности тиристоров по величине низкочастотных щумов Электротехника. 1986. № 11. С. 50-52.

8.69. Shappirio J. R., Cook С. F. Modem Analytical Techniques for Failure Analysis Solid State Technol. 1979. Vol. 22, N 9. P. 89-94.

8.70. Application of New Methods and Techniques for Failure Analysis Sohd State Technol. 1975. Vol. 18, N 3. P. 38-40.

8.71. Richards B. P., Footner P. K. Failure analysis in semiconductor devices - rationale, methodology and practice Gen. Electr. Сотр. J. of Research. 1983. Vol. 1, N 2. P. 74-91.

8.72. Меламедов И. М. Физические основы надежности. Л.: Энергия. Ленингр. отд-ние, 1970.

8.73. Сорокин Ю. Г. Влияние дислокаций на электрические параметры р-п переходов Тр. ВЭИ. М.: Энергия, 1980. Вып. 90. С. 91-101.

8.74. Исследование механизмов снижения напряжения пробоя кремниевых высоковольтных многослойных структур/о. в. Богородский, Т. П. Воронцова, О. С. Жгутова и др. ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып 7. С. 1419-1425.

8.75. Агаларзаде П. С, Петрнн А. И., РЬцдннов С. О. Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-п перехода. М.: Сов. радио, 1978.

8.76. Бардин В. М., Пономарев Е. П. Надежность силовых полупроводниковых приборов при работе в циклических режимах Электротехника. 1988. № 10. С. 59-61.

8.77. TserHg Н. А., Plumiee Н. R. Performance degradation of bidirectional triode thyristors due to dildt stress Sol. St. Electron. 1971. Vol. 14, N 2. P. 111 - 113.

8.78. Родов В. И., Сннегуб Г. А., Яхннс А. Р. О возможных причинах отказов импульсных тиристоров Полупроводниковые приборы и их применение. 1973. № 27. С. 117-131.

8.79. Комаишко Г. С, Пастухов А. Ю., Якерсон Л. С. Исследование влияния дефектов, обусловленных механическими напряжениями, на электрические характеристики и механические свойства полупроводниковых структур Изв. ЛЭТИ. 1984. Вып. 338. С. 82-86.

8.80. Пек, Зирдт. Надежность полупроводниковых приборов на фирме Bell System ТИИЭР. 1974. Т. 62, Ш 2. С. 65-104.

8.81. Шпер В. Л. Номограммы для расчета показателей надежности невосстанавливаемых элементов Надежность и контроль качества. 1987. № 6. С. 3-10.

8.82. Гугушвили Дж. Ф., Жгентн И. Д., Намиченшвнлн О. М. К вопросу ускоренных испытаний на надежность Изв. АН СССР. Сер. Техническая кибернетика. 1975. № 2. С. 96-99.

8.83. Седя№нн Н. М. Об одном физическом принципе надежности Изв., АН СССР. Сер. Техническая кибернетика. 1966. № 3. С. 80-87.

8.84. Сотсков Б. С. Основы теории и расчета надежности элементов и устройств автоматики и вычислительной техники. М.: Высшая школа, 1970.

8.85. Григорьев А. М., Погасни Е. Ф. Оценка эксплуатационной надежности силовых полупроводниковых приборов Тр. ВЭИ. 1980. Вып. 90. С. 125-134.

8.86. Farnholtz D. F. Operational life testing of semiconductor devices West. Иес. Eng. 1981. Vol. 25, N 3. P. 3-9.

8.87. Григорьен A. M., Шпер В. Л. Результаты экспериментального исследования показателей надежности СПП Электротехника. 1991. № 1. С. 53-57.

8.89. Мубаракшнн Ф. X. Расчет надежности вентильных блоков с неравномерным делением тока между ветвями Автоматизация энергосистем и энергоустановок пром. предприятий. Челябинск. 1987. С. 66-68.

8.90. Гаскаров Д. В., Зозанян С. И., Семенов R М. Построение модели надежности при двухступенчатом температурном испытании Пром-сть Армении. 1984. № 4. С. 33-35.

8.91. Афанасьев А. И. К вопросу выбора закона распределения отказов при расчете вероятности безотказной работы тиристорных устройств Надежность и контроль качества. 1980. № 7. С. 18-22.

8.92. Матвеев В. В. Оценка и прогнозирование надежности тиристора по текущему качеству его структуры Электронная техника. Сер. УКСМИ. 1984. Вып. 1. С. 27-29.

8.93. Хазен М. М., Семенов Г. М. Влияние температурного режима р-п-структуры на интенсивность образования дефектов в контактных соединениях силовых полупроводниковых диодов в условиях эксплуатации Дефектоскопия. 1982. Ш 3. С. 85-89.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие .......................................................................................................

Глава 1. Принцип действия и основные свойства полупроводниковых выпрямительных диодов и триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении ...........................................................................

1.1. Общие положения ............................................................................;

1.2. Электронно-дырочный переход.......................................................

1.3. Силовой полупроводниковый выпрямительный диод ................

1.4. Силовой триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении ........................................................................................ 17

Глава 2. Параметры и характеристики силовых диодов и тиристоров ....... 32

2.1. Общие сведения о параметрах и характеристиках СПП ........ 32

2.2. Основные параметры силовых диодов и тиристоров .............. 34

2.3. Основные тепловые параметры и характеристики диодов и тиристоров .............................................................................................. 40

2.4. Классификация силовых диодов и тиристоров .......................... 45

2.5. Условные обозначения силовых полупроводниковых выпрямительных диодов и триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении ......................................................................... 49

2.6. Особенности силовых диодов и тиристоров как электротехнических изделий, комплектующих схему силового полупроводникового преобразовательного устройства .................................. 53

Глава 3. Исходные данные дли расчета и выбора диодов и тиристоров

и условий их охлаждении ....................................................................... 57

3.1. Режимы и условия работы диодов и тиристоров .................... 57

3.2. Классификация силовых полупроводниковых преобразовательных устройств .................................................................................... 0

3.3. Особенности расчета и выбора диодов и тиристоров............ 63

Глава 4. Расчет и выбор диодов и тиристоров, условии их охлаждения

и расчет системы управления тиристорами .......................................... 78

4.1. Расчет, и выбор типа СПП и условий его охлаждения по

рабочему току .................................................................................... 78