Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 [15] 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143


0=n 0=4-


Рис. 2.10. Тиристор таблеточного исполнения

И теплоотводов, прижимаемых к основаниям с помощью специального прижимного устройства.

Таблеточная конструкция корпуса диода и тиристора обеспечивает возможность как одностороннего, так и двустороннего отвода тепла от полупроводниковой структуры СПП и применяется для приборов на токи 250 А и вьппе.

Корпуса диодов под запрессовку (рис. 2.11) состоят из полого ци.г(индра с рифленой наружной образующей поверхностью, закрытого с одного из торцов дном-основанием, на котором располагается полупроводниковая структура, и проходного изолятора с гибким или жестким выводом, закрывающим второй торец цилиндра. Соединение диода в корпус под запрессовку с теплоотводом и одним из токоотводов осуществ.г(яется запрессовкой корпуса в специальное отверстие в них. Как и диоды штыревой и фланцевой конструкции, диоды в корпусах под запрессовку выполняются прямой (анод на основани*) и обратной (катод на основании) полярности.

Корпуса СПП под запрессовку обеспечивают односгороннее охлаждение полупроводниковой структуры и применяются для диодов на токи до 25 А, так называемые автотракторные диоды.

Модульная конструкция (рис. 2.12) диодов и тиристоров состоит из основания с теплопроводной электроизолирующей прокладкой, на которой располагаются одна или несколько полупроводниковых структур, соединенных между собой определенным образом, и пластмассового защитного корпуса с электрическими выводами. Основание конструищи служит


Рис. 2.11. Диод с корпусом под запрессовку с гибким {«) и жестким (б) выводами



-о 61

Рис. 2.12. Силовой полупроводниковый диодно-тиристорный модуль: а, б-общий вид; в-схема соединения

теплоотводом, электрически изолированным от выводов полупроводниковых структур СПП, входящих в состав модуля. Модульные конструкции выпускают с различными комбинациями СПП на токи до 160 А.

2.5. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ и ТРИОДНЫХ ТИРИСТОРОВ, НЕ ПРОВОДЯЩИХ в ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ

В соответствии с действующей нормативно-технической документацией принято условное обозначение диодов и тиристоров, состоящее из условного обозначения типа прибора и дополнительного условного обозначения, ряда параметров СПП, определяющих его типономинал, условного обозначения климатического исполнения и категории размещения СПП.

Условное обозначение типа диода и таристора. Для обозначения типа диода и тиристора установлено ycjtobhoe буквенно-цифровое обозначение, состоящее из букв Д и Т, обозначающих соответственно вид прибора: диод и TiipHCTop. При необходимости обозначение вида прибора дополняется буквами, обозначающими подвид прибора: Л-для лавинных хшодов и тиристоров; Ч-для быстровосстанавливающихся диодов и быстровыключающихся тиристоров; Б-для быстродейст-вую1цих тиристоров; И - для быстровключающихся (импу.чьс-ных) тиристоров; Ф-для фототиристоров, включаюпшхся светом и О-для оптронных тиристоров (фототиристоров со встроенными источником светового управления-светодиодом).

Непосредственно после буквенного обозначения вида и подвида прибора следует цифровое обозначение его модификации, состоящее из трех цифр, обозначающих: первая - порядковый номер модификации конструкции; вторая-основной размер корпуса прибора (размер шестигранника яод ктюч для штыревых приборов, диаметр корпуса для таблеточных приборов) Или номер модификащш по особенности приборов фланцевой



Таблица 2.2. Значения цифровых обозначений в условном описании СПП

Цифра условного обозначения

Размер под ключ штыревого прибора, мм

Диаметр таблеточного корпуса, мм

Конструктивное исполнение корпуса

Штыревой с гибким

выводом

Штыревой с жестким

выводом

Таблеточный

Под запрессовку

Фланцевый

конструкции; третья-конструктивное исполнение корпуса. Расшифровка цифровых обозначений модификации диодов и тиристоров приведена в. табл. 2.2.

После цифрового обозначения модификации прибора через тире следует обозначение предельно допустимого параметра прибора , по току в амперах: среднего прямого тока для диодов Ipy и среднего тока в открытом состоянии для тиристоров Ijjiy (для импульсных тиристоров допускается амплитудное значение тока в открытом состоянии Ij , если это оговорено поставочной документацией на тиристоры).

Непосредственно после цифрового обозначения тока прибора для приборов обратной полярности штыревой, фланцевой конструкции корпуса или с корпусом под запрессовку (катод на основании корпуса) ставится буква X.

Таким образом, условное обозначение типа прибора несет в себе информацию о виде и подвиде прибора, его конструктивном исполнении, включая и полярность для конструкций, где это важно, а также об одном из основных параметров по току.

Условное обозначение тшоисполнения диодов и тиристоров. После обозначения типа прибора через тире приводится условное цифровое обозначение класса прибора по напряжению. Класс прибора по напряжению определяется числом, кратным

Таблица 2.3. Соотношение между классом СПП и его условным цифровым

Класс

Повторяющееся импульсное обратное напряжение в закрытом состоянии, В

1400

1500

1600



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 [15] 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0163
Яндекс.Метрика