Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 [16] 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

числу сотен вольт обратного повторяющегося напряжения диода и меньшего из повторяющегося обратного напряжения и повторяющегося в закрытом состоянии напряжения тиристора (табл. "2.3).

После обозначения класса прибора по напряжению через тире приводится условное буквенно-цифровое обозначение rpyrai по коммутационным (динамическим) параметрам прибора: времени обратного восстановления для диодов и скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, времени выключения и времени включения для тиристоров. Условное обозначение коммутационных (динамических) параметров обязательно только для быстровосстанавливающихся диодов, быстровыключающихся, быстродействующих и быстровключающихся тиристоров. Тиристоры, не относягциеся к быстрым тиристорам, могут классифицироваться по скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и времени выключения, что должно отражаться в их условном обозначении. Буквенно-цифровое условное обозначение групп по коммутационным параметрам приводится без интервалов в последовательности, соответствующей порядку изложения в настоящем параграфе.

Условные обозначения групп и соответствующие численные значения коммутационных параметров приведены в табл. 2.4.

Таблица 2.4. Соотношение между коммутационными параметрами СПП и их условным обозначением

Обозначение

группы

10000

1000

0,01

8000

0,08

0,008

6300

0,63

0,063 0,05

5000

. н

4000

0,04

3200

0,32

0,032

2500

0,25

0,025

2000

0,02

1600

0,16 0,125

0,016

1250

12,5

1,25

0,0125

Примечание. Условное обозначение группы составляется из букв первой колонки ; и цифр верхней строки таблицы, а числовое значение параметра, соответствующее условному обозначению группы, определяется числом на пересечении соответствующих колонок и строк таблицы.

обозиачсиием

1800

2000

2200

2400

2800

3200

3600

4000

4400

5000



в оговоренных случаях приборы, предназначенные для параллельной работы, после обозначения коммутационных параметров через тире обозначаются цифрой, соответствующей численному значению (до второго знака после запятой) импульсного прямого напряжения для диодов и импульсного напряжения в открытом состоянии для тиристоров, или двумя цифрами через тире, соответствующими диапазону разброса этих напряжений.

Завершением структуры условного обозначения приборов является условное обозначение климатического исполнения и категории размещения прибора в соответствии со стандартом на климатику и номер-технических условий или стандарта, по которым прибор выпускается.

В случае, если какой-либо коммутационный параметр прибора не нормируется, то прибор относится по этому параметру к группе 0. Если для прибора все группы коммутационных параметров соответствуют цифре О одновременно, то в условном обозначении ули не ставятся.

В оговоренных случаях церед условным обозначением вида прибора может проставляться цифра, условно обозначающая материал, на базе которого выполнена полупроводниковая структура прибора. Действующей документацией установлены следующие условные обозначения материалов: Г-германий, 2-кремний, 3-арсенид галлия, 4-карбид кремния.

Примеры условных обозначений приборов. Диод быстровос-станавливающийся, первой модификации, штыревой конструкции, с гибким выводом, со средним прямым током 200 А, повторяющимся импульсным обратным напряжением 1200 В, обратной полярности, с временем обратного восстановления 2,5 МКС, отобранный для параллельного соединения с разбросом прямого импульсного напряжения от 1,41 до 1,61 В, климатического исполнения УХЛ категория размещения 4.2, выпускаемый по ТУ 16 ...

ДЧ131-200Х-12-М4-1,41-1,61 УХЛ4.2 ТУ 16 ...

Тиристор быстродействующий, второй модификации, таблеточный, с диаметром таблетки, равным 58 мм, со средним током в открытом состоянии 400 А, повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии и обратном напряжении не менее 1600 В, критической скоростью нарастания напряжения в закрытом состоянии 200 В/мкс, временем выключения 32 мкс, временем включения 4 мкс, отобранный для параллельного соединения с разбросом импульсного напряжения в открытом состоянии от 1,75 В до -1,95 В, климатического исполнения Т, категории размещения 4, выпускаемый по ТУ 16 ...

ТБ243-400-16-Р2КЗНЧ-1,75-1,95 Т4 ТУ 16 ...

Эти же приборы в соответствии с техническими условиями, выпущенными до последних изменений стандарта, когда для



условного обозначения групп приборов по коммутационным параметрам применялось цифровое обозначение, условно обозначаются следуюгцим образом соответственно:

ДЧ131-200Х-12-4-1,41-1,61 УХЛ 4.2 ТУ 16 ...

ТБ243-400-16-441-1,75-1,95 Т4 ТУ 16 ...

2.6. ОСОБЕННОСТИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ КАК ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ, КОМПЛЕКТУЮЩИХ СХЕМУ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВА

Силовые диоды и тиристоры, работающие в схеме ПУ, представляют собой такие его элементы, которые способны переходить из непроводящего состояния, когда они практически не проводят ток при приложении к ним напряжения, в проводящее состояние, когда они проводят ток при достаточно малом падении напряжения на них.

Состояние силового диода в нормальных усло1виях определяется полярностью и значением приложенного к нему напряжения, а тиристора-еще и наличием необходимого по своей величине и качеству сигнала на электроде управления. Поскольку электрическое сопротивление полупроводниковых структур диодов и тиристоров зависит от их температуры, градиента электрического поля и наличия носителей заряда, то способность СПП переходить из одного состояния в другое и находиться в каждом из них требуемое время определяется сочетанием конкретных значений указанных выше параметров, что и определяет работоспособность диодов и тиристоров. Кроме того, их работоспособность зависит е1це и от физической целостности полупроводниковых структур, а следовательно, и от механических нагрузок, прикладываемых к конструкциям диодов и тиристоров, и возникающих в них механических напряжений.

Вообще работоспособность силовых диодов и тиристоров определенной конструкции, выполненных по определенной технологии, может быть достаточно четко определена значениями следующих параметров, характеризующих их состояние,- параметров состояния полупроводникового прибора:

температуры структуры;

градиента электрического поля;

механических напряжений, возникающих в полупроводниковой структуре и конструкции;

электрического и теплового сопротивлений соответствующих Контактов.

Все эти параметры состояния как силового диода, так а тиристора тесно связаны между собой, и каждый из них Зависит практически от всех видов воздействий на прибор



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 [16] 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0106
Яндекс.Метрика