Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [17] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

как со стороны схемы, в которой он работает, так и со стороны окружающей среды, - в которой он находится.

В свою очередь, параметры состояния СПП, обусловливающие способность или неспособность их выполнять заданную функцию в каждый данный момент, определяются совокупностью факторов, воздействующих на прибор, таких, как:

мгновенные воздействия;

скорости изменения мгновенных воздействий; интегральные воздействия;

усредненные воздействия за промежуток времени соответствующей тепловой постоянной времени конструкции.

К первой и второй группам рассматриваемых факторов относятся мгновенные значения и скорости изменения прямого тока, запираемого напряжения, тока управления (для тиристоров), тока утечки (для тиристоров) и обратного тока, мощности потерь, температуры корпуса.

Эти воздействия определяют мгновенные значения параметров состояния диодов и тиристоров и характер изменения их во времени для каждого данного момента.

К третьей группе воздействующих на диоды и тиристоры факторов относят воздействия, влияющие на состояние диодов и тиристоров за счет накопления или тепловой энергии, или носителей заряда в отдельных зонах их конструкции, что вызывает интегральное изменение параметров состояния приборов. Примерами подобных воздействий являются импульсные перегрузки по току и напряжению, а также скорость нарастания прямого напряжения для тиристоров. В результате этих воздействий снижается вентильная прочность силовых полупроводниковых диодов и тиристоров или за счет повышения температуры полупроводниковой структуры, или за счет накопления неосновных носителей заряда в ее базовых областях благодаря протеканию емкостного тока.

К четвертой группе "факторов можно отнести действие среднего и эффективного значений прямого тока, а также запираемого напряжения диодов и тиристоров при их работе в так называемом ждущем режиме, когда они находятся длительно под напряжением, не переключаясь в проводящее состояние. Кроме того, к этой группе необходимо отнести воздействия, связанные с повторяющимися изменениями указанных токов, определяющими циклостойкость конструкции силовых полупроводниковых диодов и тиристоров.

Электрические воздействия, определяющие состояние СПП, можно классифицировать по источникам их возникновения на сетевые, собственные и схемные. Каждая из этих групп воздействий обусловлена процессами, происходящими соответственно в питающей сети и сети нагрузки, собственно в диоде или тиристоре и в схеме преобразовательного устройства.



i !Ясно, что уровни воздействий на диоды и тиристоры зависят от параметров элементов схем питающей сети, сети нагрузки, преобразовательного устройства и собственных параметров

, работаю1Щ1Х в этих схемах диодов и тиристоров.

По характеру возникновения воздействий на диоды и тиристоры во времени их можно подразделить на периодические

I и эпизодические.

» Кроме того, электрические воздействия на силовые полупроводниковые диоды и тиристоры удобно подразделить на основные и дополнительные.

Основные воздействия определяются процессами, происходящими в «идеализированных схемах», когда процессы в электрической схеме рассматриваются в условиях обычно принимаемых допугцений.

Дополнительные воздействия обусловлены реально существующими отклонениями параметров элементов схем и собственно диодов и тиристоров от идеальных параметров и реаль-ным протеканием электромагнитных процессов как в схемах, в которых они работают, так и в них самих.

Из сказанного вытекает первая особенность силовых диодов и тиристоров, состоящая в том, что они характеризуются относительно большим числом зависящих от внешних воздействий и взаимовлияющих параметров состояния.

Вторая особенность силовых диодов и тиристоров тесно связана с первой и обусловлена, с одной стороны, их универсальностью, связанной с возможностью применения в широкой номенклатуре устройств различного назначения, а с другой стороны, принятыми системой их классификации и испытаний в производстве и методами определения величин допустимых воздействий по каждому из параметров в реальных условиях их применения.

Классификационные параметры СПП, характеризуюгцие их качество и возможности как элементов схемы силового полупроводникового устройства, определяются изготовителем диодов и тиристоров в условиях и режимах классификационных испытаний, оговоренных соответствуюгцими стандартами, при этом практически каждый из классификационных параметров определяется в своей классификационной схеме при оговоренных условиях и, как правило, при отсутствии воздействий по другим параметрам.

В случае, когда это возможно и необходимо, отсутствие Воздействий по другим параметрам компенсируется путем Нагревания испытуемых диодов и тиристоров до определенной Температуры. Это в большинстве случаев осуществляется Подогревом от внешнего источника тепла. Необходимо отметить, что такой нагрев не эквивалентен полностью нагреву диодов и тиристоров протекающим через них током в проводящем и непроводящем состоянии или при переключениях.



так как нагрев от постороннего источника тепла (например, термостата) обеспечивает равномерный прогрев всей полупроводниковой структуры и конструкции диодов и тиристоров. В реальных условиях энергия потерь в виде тепла выделяется в определенных ограниченных зонах, что определяет сухцест-венно неравномерный прогрев как полупроводниковой структуры, так и всей конструкции диодов и тиристоров.

Классификационные схемы испытаний и условия проведения классификационных испытаний определяются изготовителем диодов и тиристоров на основании действующих стандартов из условия наиболее простого и экономического обеспечения необходимого воздействия на испытуемые диоды и тиристоры по данному параметру в условиях массового производства. Это, естественно, приводит к тому, что условия и режимы работы СПП в классификационных схемах практически никогда не реализуются в реальных условиях их применения в схемах преобразовательных устройств, охватывающих гиирокий диапазон условий и режимов работы и их сочетаний.

Такое положение объясняется в основном тем, что классификационные испытания, даже если не стремиться к их упрощению и не учитывать экономический аспект, не могут охватить всего многообразия условий и режимов применения СПП, выпускаемых как универсальные электрические изделия, способные работать в самых разнообразных схемах.

Необходимо отметить и еще одну особенность СПП, состоящую в том, что приемлемый для ряда других видов электротехнической продукции способ испытаний при ужесточении условий и режима испытаний по отнрщению к реальным условиям применения или устанавливаемым классификационным параметрам неприемлем для диодов и тиристоров, так как они очень чувствительны ко всякого рода перегрузкам, и не удается определить ограниченное число видов испытаний и коэффициентов их ужесточения, могущих обеспечить гарантию надежной работы диодов и тиристоров во всех или даже больгиинстве разнообразных случаев их применения в схемах преобразовательных устройств.

Учитывая особенности классификации силовых полупроводниковых диодов и тиристоров согласно действующим стандартам, изготовитель выпускает информационные материалы (каталоги) на все типы СПП, в которых приводит достаточно полный перечень их параметров и характеристик.

Кроме того, всегда следует учитывать, что температура перехода является основным критерием, определяющим допустимость режимов работы полупроводникового диода и тиристора, и в конечном счете именно она ограничивает возможные пределы их использования как по току, так и по напряжению.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [17] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0103
Яндекс.Метрика