Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 [28] 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

дал. град )

Рис. 4.4. Усредненная зависимость коэффициента Ар от угла проводимости Р низкочастотных приборов при охлаждении естественном (V), воздушном (2) и водяном принудительном (5): а-при синусоидальной форме импульсов тока; б-при прямоугольной форме

Рис. 4.5. Усредненная зависимость коэффициента Кг от частоты / для низкочастотных диодов (I) и тиристоров (2)

во so 720

/3 эл. град

0,3 0,85 Ofi

6 в 10

Z 3 t f/n

где -коэффициент нагрузки СПП током, зависящий от uldt, частоты / импульсов тока на интервале и условий охлаждения (рис. 4.8).

На рис. 4.6-4.8 построены усредненные зависимости коэффициентов АГ„1 и АГ„2 для серийно выпускаемых диодов и тиристоров.

При воздушном охлаждении, зная Iv, значения тока h(AV или IjiAV), типы СПП и охладителя, можно выбрать по приведенным в информационных материалах предельно допустимым значениям параметров СПП с рекомендованным охладителем, если условия охлаждения соответствуют указанным в этих материалах.

Если условия охлаждения СПП отличаются от оговоренных в информационных материалах, то ток диода IfAV) можно уточнить по формуле [3.2]

y/Uh+4Klrr{Tj..-T,f)/Ra-Uto

(4.18)

Где С/о-пороговое напряжение; -динамическое прямое сопротивление СПП в открытом состоянии; АГф-коэффициент формы тока; Tcf-температура охлаждающей среды (максимальная); R,ja-тепловое сопротивление переход-среда при Принятой скорости (расходе) охлаждающей среды. А .87




Z f Б 8 W* 2 Ч 6 8 W a)

ti,c


2 Ч 6 8 10 Z H 6 8 W


"1

Рис. 4.6. Усредненная зависимость коэффициента К„х от длительности импульсов тока и синусоидальной формы для быстровосстанавливающихся диодов при частоте 630 (/), 1000 (2), 1600 (i). 2500 (4), 4000 (5), 6300 10000 Гц (7) и условиях охлаждения:

а-ВОХ1ЯНОМ принудительном; 6-воздушном принудительном; в - естественном 88




EeW 2 Ч Б8 W

в) Ufi

Рис. 4.7. Усредненная зависимость коэффициента К от длительности импульсов тока и синусоидальной формы для быстродействующих тиристоров при частоте 630 (Г), 1000 (2), 1600 (i), 2500 (4), 4000 (5), 6300 (6), 10000 Гц (7) и условиях охлаждения:

"-водяном принудительном; б-воздушном принудительном; в-естественном



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 [28] 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0213
Яндекс.Метрика