Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 [56] 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

3) падение напряжения в области и-и"*" перехода относитель-ро мало и может рассматриваться как постоянное (около 0,5 В). Это видно из кривых распределения концентрации остаточного заряда, которые показывают, что концентрация

в первой части структуры снижается значительно медленнее, чем в левой, у р-п перехода. Поэтому рассмотренный процесс выключения СПП может быть отнесен как к диодам, так и тиристорам;

4) в случае работы СПП на повышенных частотах энергия, вьвделяющаяся в структуре СПП на интервалах выключения, может быть значительно выше допустимой для данного прибора, даже при использовании специальных быстродействующих СПП с относительно меньшим зарядом.

Необхрдимо иметь в виду не только усредненную мощность потерь, йо и энергию, выделяющуюся при каждом цикле работы прибора.

Соответствующие данные, приводимые в информационных материалах, показывают, что в подавляющем большинстве случаев необходимо принимать меры по ограничению выделяющихся потерь и электрических воздействий на приборы.

Возможны следующие методы ограничения динамических воздействий:

уменьшение токовой нагрузки СПП-снижение до при этом потери включения уменьшаются пропорционально снижению тока, накопленный заряд уменьшается примерно пропорционально {1"а1Та)° и пропорционально (di/dt"ldi/dt)°, а потери от протекания прямого тока-как (IaIIa)- Снижение общих потерь выражается эмпирической зависимостью

2 (-ГаХ- (dildfX

W, \Га) \ di/dt

уменьшение напряжения U, например за счет увеличения числа последовательно соединенных СПП, при этом накопленный остаточный заряд не изменяется, а энергия потерь уменьшается как

использование /?С-контуров, подключаемых к приборам. Здесь может быть достигнуто снижение энергии, вьщеляющейся при выключении, на 40-60%. Вместе с тем растут потери включения в общие потери энергии в схеме ПУ. Могут также возникать нежелательные резонансные явления;

снижение di/dt, при этом накопленный заряд уменьшается согласно формуле

Q;r-Qrr[di/dt"/di/dtY . (5-5)



77. О

ею во во ioo 1го

-

>

о 4

S 6 7 вг.мкс

и соответственно снижаются потери;

введение в цепи СПП реакторов с насьпцающи-мися магнитопроводами.

Это является наиболее эффективным средством уменьшения остаточного накопленного заряда. Для расчета накопленного заряда к моменту возникновения обратного напряжения на СПП может быть использовано соотношение

Рис. 5.4. Обратный ток тиристора при раз- Q"r=Q„exp(-t It",) - личных di/dt: " " " "

A~di/dt=5 А/мкс; В-di/dt=20 А/мкс; ~-ctUK)ct

c-di/d,=60AiMKc е;,-накош1енный

заряд, соответствующий току и рабочему di/dt; f„-время ступени тока, создаваемой насыщающимся реактором; I„yiv)- средний ток ступени; г",-время рассасывания, соответствующее току

и di/dt = IcrM/tcT*-При отсутствии в информационных материалах данных для имеющего место режима может быть использована аппроксимация:

\0,1

(5.7)

, (di/{dtt„)Y(r,

Irr-lrr I j ] \ j"

\ CTM / \ A

Получение исходных данных для выбора схем и расчета параметров элементов устройств ограничения коммутационных перенапряжений, создаваемых СПП, На рис. 5.4 показаны осциллограммы токов при выключении диода для различных di/dt. Видно возрастание амплитудного значения обратного тока при увеличении di/dt прямого тока.

На рис. 5.5 пояснены приводимые в информационных материалах данные по динамическим характеристикам процесса выключения СПП.

Обратный ток аппроксимируется прямой линией, проводимой через точки 0,9 и 0,25 /„. Время обратного восстановления

выражается отрезком, заключенным между пересечениями оси абсцисс спадающим прямым током и линией, аппроксимирующей обратный ток. Площадь треугольника, образован-

* Полагаем, что icr линейно нарастает от О до /стм. а /стмк) = 1/2/стм-




Рис. 5.5. Способ аппроксимации кривой обратного, тока

НОГО линией обратного тока, нарастающего, от О до. Д,, линией аппроксимации и отрезком оси абсцисс, выражает величину накопленного заряда:

Qrr=Qrr+Qrr.

По этим данным могут быть определены и остальные характерные величины:

dijdt t2 = t„-ti. • .

В информационных материалах приводят зависимости <2гг и f„ от di/dt и /д. Если зависимости Q„ и f,, от не приведены, то можно принять аппроксимацию (для малых di/dt и /), что величины накопленного заряда Q„ф, Кл, и времени „ф, с, равны

0,4 ,

dijdt}-

di/dt

di/dtYUiA

dijdt) \ij

где -фактическое значение тока за время 2t„ перед переходом через нуль. А; 4,.-значение классифицированного тока, при котором проведены измерения справочных данных, А.

При проведении расчетов параметров ограничительных устройств и определении мощности потерь в СПП используют следующие зависимости накопленного зарЯда Q„ и обратного тока г,, от времени:

e„=eoexp(-f/f„),



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 [56] 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0239
Яндекс.Метрика