Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 [61] 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

, = (0.56-1)

600+

40 1 10-*-402 • 0,0075 • 10-*+2,6 10

4,3• 10«[{1 • 10-)-40 0,075-10 «1 • Ю + б-10"--0,075• 10~~\ 6-10-«110-«-6-10-*-40-0,075-10-«

2 [{1 -10-*)2-40 • 0,075 • 10-* -1 -10-*+6 - Ю"* -0,075 -10

0,56+0600-25(3,68 + 3,87)= -825 В; Г)2 = 25-2-3,87 = 194 В;

31 В;

2-6-10"* .

-=-0,35-10 с;

?.-:=2,98-10-

?1+;=2,98 • 10 + 3,33 -10=6,31 • 10« 1/Ti=106c-;

«Ак = t/к+ 2 exp - ) г+2 exp - X - +£>2 exp (- т)=

= 600 + 31 ехр (- 0,33 • 10/) - 825 ехр (- 6,3 • 10 «/) +194 ехр (-10%

Кривая восстанавливающегося обратного напряжения показана на рис. 5.12. Полученный результат близок к оптимальному в отношении мощности насыщающегося реактора, потерь в схеме и параметров /?С-контура (кривая а).

При использовании апериодических демпфирующих контуров в ряде случаев, когда амплитуда напряжения ограничена в допустимых пределах, имеет место крутое нарастаьше восстанавливающегося напряжения (кривая б).

Для расчета воспользуемся формулой (5.12):

i,HKC

го -

S -10 -

15V г/к

\.шо

1V/IK

/2"= мкс

Рис. 5.12. Восстанавливающееся напряжение на СПП при апериодическом процессе демпфирования



Рис. 5.13. Взаимное влияние диодов и тиристоров в схеме регулятора переменного напряжения

Рис. 5.14. Взаимное влияние тиристоров в схеме реверсивного выпрямителя

S Ь -\ мл г

VSiO

R1 .CI

livss if \ivsn if

vs-tz

I dujJdtU=0 = [31 (-0,33)-825 (- 6,31)-194(1)] • 10=4976 В/мкс.

Средняя скорость нарастания восстанавливающегося напряжения за 0,25 мкс (кривая в)

Лмак/Аг=610/(0,25- 10") = 2240 В/мкс.

Для быстровосстанавливаюпщхся СПП в отличие от силовых допустимы большие скорости нарастания обратного восстанавливающегося напряжения. Но в схемах преобразовательных установок, содержащих несколько тиристоров, напряжение, возникающее на СПП как обратное после коммутации, прикладывается к другим тиристорам как прямое. Исходя из этого может потребоваться ограничение скорости нарастания обратного напряжения.

Воздействие перенапряжений, возникающих при запирании СПП, на другие тиристоры преобразовательных схем. Непосредственное воздействие коммутационных перенапряжений, возникающих при запирании СПП, имеет место в преобразовательных схемах, где тиристоры или диоды шунтированы встречными тиристорами. Примеры таких схем приведены на рис. 5.13 (регулятор переменного напряжения) и 5.14 (реверсивный




Рис. 5.15. Взаимное влияние тиристоров в преобразовательной установке с трехфазной мостовой схемой при подключении демпфирующих контуров

вьшрямитель). Здесь амплитуда и скорость нарастания напряжения при окончании коммутации включающегося СПП должны координироваться с допустимым для встречно-параллельного тиристора прямым напряжением и скоростью его нарастания.

Более сложно определить воздействие коммутационных перенапряжений на тиристоры, непосредственно не связанные друг с другом.

На рис. 5.15 показана реверсивная трехфазная мостовая схема, содержащая тиристоры VS1-VS12 с демпфирующими контурами R1-R6 и С1 - Сб, питающаяся от источников переменных напряжений Е, Е и Е, с индуктивностями L„, Lj, и Lj., сглаживающим реактором и нагрузкой Z. Рассмотрим режим работы схемы при угле регулирования а = 90 эл. град на интервале, когда проводят ток тиристоры VS2 и VS3, а VS1 прерывает обратный ток 4. При этом на тиристоре VS1 возникает обратное напряжение Мдк, прикладывающееся как прямое к тиристору VS7. Ставится задача: определить напряжение, прикладываемое на данном интервале к тиристору VS4, непосредственно связанному с VS1. Это существенно, так как перенапряжение отрицательного знака, приложенное к катоду VS1, оказывается положительным по отношению к аноду VS4, что может вызвать произвольное открывание и повреждение VS4.

Схема замещения цепей одного моста преобразовательной схемы рис. 5.15 показана на рис. 5.16.

Лмпульсное напряжение Мдк возникает между анодом и катодом VS1 и на шунтирующей цепи R1C1. Анод VS1, получающий отрицательный потенциал, непосредственно связан с катодом VS4. Катод VS1, получающий положительный



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 [61] 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0096
Яндекс.Метрика