Рис. 5.24. Нарастание анодного тока Рис. 5.25. Процесс включения тиристо-при включении тиристора ра при наличии насыщающегося реак-

тора в цепи тока

Некоторые явления, связанные с процессом отпирания тиристоров. Рассмотрим трехфазную мостовую схему (рис. 5.26, а), работающую в инверторном режиме, с углом а = 120 эл. град. Из приведенной на рис. 5.26, б кривой напряжения анод-катод для вентиля / видно, что в момент перехода

\JS5

Рис. 5.26. Трехфазная мостовая схема (а) и кривая напряжения на тиристоре, работающем в преобразовательной установке с трехфазной мостовой схемой при угле регулирования а=120эл. град (б)

Рис. 5.27. Эквивалентная схема преобразовательной установки на интервале коммутации тиристоров

ОТ обратного напряжения к положительному (а = 240 эл. град) имеет место пик напряжения с крутым фронтом. На рис. 5.27 представлена схема замещения, позволяющая пояснить возникновение этого пика и оценить его амплитуду.

На схеме рис. 5.28 показаны ЭДС обмоток трансформатора

индуктивности рассеяния обмоток La = Lb=Lc = Lp, тиристоры VS1 и VS4, слаживающая индуктивность Li и напряжение

нагрузки, рекуперирующей энергию в сеть переменного напряжения через инвертор. В конце такта IV (см. рис. 5.26) проводят ток тиристоры VS2 и VS3. По контуру Л-Е.-У82 -Lc-E-OE I2~*Lb VS3La - Е„ протекает постоянный ток 4. К тиристору VS1 прикладывается напряжение, действующее в контуре катод VSI-*VS3~>-Lg~>-+Ес -/2-* -»-То/гл-анод VS1, равное О, и в контуре катод VSlLa-*-EVS2Lc- + E + E-/2-LAaHoa VS1, также равное нулю, поскольку

После отпирания VS4 в контуре

VS2-Lc + ЕЕ zLa VS4 VS2

Рис. 5.28. Схема замещения для эквивалентной схемы рис. 5.27

начинает протекать ток L. Этот ток нарастает со скоростью

dt dt Р Lc+La 2L

При протекании коммутирующего тока на индуктивностях La и Lc возникаег гшдение напряжения и, равное:

di \,5Е,

Из рис. 5.27 видно, что напряжение на VS1 после отпирания VS4 определяется параметрами контура катод VS4La- - ic V2 О + - /2 -> Ljs анод VS4, в котором действуют ЭДС, отсюда уровень скачка напряжения

Ь\-.-=0 + Е, и-Е, /2+0,75£, = 0,75Е,

и скорость нарастания напряжения

где tg--время спада напряжения на VS4.

Или, обходя конгур катод У84-Ев-0Ес-гхюп. VC4, по.ггучаем

С/ск = 0+£,-\2 + £с+0,75£,=0,75£„ ;

т. е. то же значегше. , .

Поскольку . -

= С/,. {sin -f sin 30°) = 1,22 [/„. зф,

где С/л,эф-линейное напряжение в трехфазной системе переменного напряжения (эффективное значение), то

t/,,-0,75, = 0,92 [/,.зф.

Переход к эквивалентной схеме практически вьшолняемой преобразовательной усгаиовки, которая показана на рис. 5.29, позволяет оценить влияние демпфирующих контуров R, Rb, Rc, С а, Cji, Сс на амплитуду и скорость нарастания напряжения на тиристоре. Нарастание напряжения [/к можно считать мгновенным, поскольку оно определяется временем резкого спадания напряжения анод-катод тиристора VS4, а это время составляет около I мкс.

Рассмотрим схему на рис. 5.30, а. На ней показаны источник ступени напряжения 11, объединенные индуктивности La, Lg, Lc, La, сопротивления R, Rg, Rc и емкости C, Cg, Cc- От этой схемы возможен переход к одноконтурной схеме за-