Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Силовые полупроводниковые приборы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 [69] 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143

Ее- 1/г

1-d.

ivsi

[ X

Рис. 5.29. Эквивалентная схема преобразовательной установки, содержащей ЛС-контуры

мещения рис. 5.30, б, на сюновании которой можно выполнить расчеты скорости нарастания напряжения на тиристоре VS1. Здесь показана также -индуктивность монтажных проводов.

После определения

LaLc

b/MHJ

Ra + Rc (Q + Cc)Cb


1 TV

Рис. 5.30. Схемы замещения для рис. 5.29




Рис. 5.31. Кривая напряжения идк на СПП при угле регулирования а=90 эл. град

Используем для расчета значения напряжения С/дк и формулу (5.14):

САк=Сск j l-fsinror-cosronexp(-6if)+

1 - ехр

, R 11

где 0=-; ю =

LC 4L-

на интервале t<ty -; окончание

коммутации).

За[висимость от времени напряжения мдк для угла регулирования а = 90эл. град показана на рис. 5.31.

Пример 5.13. а) Пусть требуется рассчитать зависимость напряжения от времени для преобразовательной установки с параметрами примера 5.4. Дано:

[/е, = 780 В; La = Ls=Lc= 10" Гн;



Сл = Св=Сс=УЗ-32-10-«Ф; Ra = Rb=Rc=4J5 Ом; Ld = 5-10-3rH; L„„ = 10-5rH; =10"с. Решение.

""••"•";l+10- = 0.662.10->r„;

0,75-0,5-10-3 + 5-10-3

4 75-475

-, (1 + 1 - 1) /о ~ T.i-6

C=--V3 32 = 37-10- Ф;

1 + 1 + 1

CAK = 780[l+(l,52sinrof-cosrof) x xexp(-5,35-103f)+l,51-10-2exp(-100] B-Максимум напряжения будет при f = л/2ю==0,142 - IQ- с:

С/Акшах = 780 [1 + 1,52ехр(-0,76)] = 1320 В. Максимум

= 780(2-5,35• 10410-Vl0-3)= 19,7• Ю В/с.

( = 0

б) Пусть требуется решить аналогичную задачу для преобразовательной установки примера 5.5. Дано:

С/ек = 0,75 = 0,75 - 600 = 450 В;

L = Lb=Xc= 72=0,5-6-10- = 3-10- Гн;

Q = Св=Сс=0,075 мкФ;

i? = i?g = i?c=40 Ом;

Ld=10-*rH;

Решение. Насыщающиеся реакторы шунтированы.сопротивлениями 7?ш = 60 Ом. Поэтому влияния насыщающихся реакторов можно не учитывать, но значение шунтирующего



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 [69] 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143



0.0053
Яндекс.Метрика