Ее- 1/г

1-d.

Рис. 5.29. Эквивалентная схема преобразовательной установки, содержащей ЛС-контуры

мещения рис. 5.30, б, на сюновании которой можно выполнить расчеты скорости нарастания напряжения на тиристоре VS1. Здесь показана также -индуктивность монтажных проводов.

После определения

LaLc

b/MHJ

Ra + Rc (Q + Cc)Cb

Рис. 5.30. Схемы замещения для рис. 5.29

Рис. 5.31. Кривая напряжения идк на СПП при угле регулирования а=90 эл. град

Используем для расчета значения напряжения С/дк и формулу (5.14):

САк=Сск j l-fsinror-cosronexp(-6if)+

, R 11

где 0=-; ю =

LC 4L-

на интервале t<ty -; окончание

коммутации).

За[висимость от времени напряжения мдк для угла регулирования а = 90эл. град показана на рис. 5.31.

Пример 5.13. а) Пусть требуется рассчитать зависимость напряжения от времени для преобразовательной установки с параметрами примера 5.4. Дано:

[/е, = 780 В; La = Ls=Lc= 10" Гн;

Сл = Св=Сс=УЗ-32-10-«Ф; Ra = Rb=Rc=4J5 Ом; Ld = 5-10-3rH; L„„ = 10-5rH; =10"с. Решение.

""••"•";l+10- = 0.662.10->r„;

0,75-0,5-10-3 + 5-10-3

4 75-475

-, (1 + 1 - 1) /о ~ T.i-6

C=--V3 32 = 37-10- Ф;

1 + 1 + 1

CAK = 780[l+(l,52sinrof-cosrof) x xexp(-5,35-103f)+l,51-10-2exp(-100] B-Максимум напряжения будет при f = л/2ю==0,142 - IQ- с:

С/Акшах = 780 [1 + 1,52ехр(-0,76)] = 1320 В. Максимум

= 780(2-5,35• 10410-Vl0-3)= 19,7• Ю В/с.

( = 0

б) Пусть требуется решить аналогичную задачу для преобразовательной установки примера 5.5. Дано:

С/ек = 0,75 = 0,75 - 600 = 450 В;

L = Lb=Xc= 72=0,5-6-10- = 3-10- Гн;

Q = Св=Сс=0,075 мкФ;

i? = i?g = i?c=40 Ом;

Ld=10-*rH;

Решение. Насыщающиеся реакторы шунтированы.сопротивлениями 7?ш = 60 Ом. Поэтому влияния насыщающихся реакторов можно не учитывать, но значение шунтирующего