ifi)

Дельта-функция

Рис. 6.22. Реакция и эквивалентная схема замещения шунта, имеющего индуктивный характер

Рис. 6.23. Реакция и эквивалентная схема замещения шунта, имеющего емкостный характер

импульса тока сигнал на выходе может иметь вид, показанный на рис. 6.21, й, б.

В случае рис. 6.21, а реакция шунта носит индуктивный характер, в случае рис. 6.21,6-емкостный. Это следует из того, что при подаче указанного выше импульса тока на последовательно соединенные сопротивление и индуктивность они дают сигнал, показанный на рис. 6.22, а при подаче того же импульса на параллельно соединенные сопротивление и емкость получается сигнал, показанный на рис. 6.23.

Строго говоря, реальный шунт может моделироваться сколь угодно сложным набором из г, L и С [6.6]. Согласно [6.5] для с инженерных оценок рекомендуется брать переходную характеристику шунта в виде l±e~V т.е. в виде кривых а или б на рис. 6.24.

Такая рекомендация связана с тем, что при более сложных выражениях расчеты практически невыполнимы. В то же время принятие такого упрощения равносильно принятию либо эквивалентной г-L=схемы (рис. 6.22), либо схемы г-С (см. рис. 6.23) (это

означает, что шунт в этом приближеши, lill-моделируется динамическим звеном вующие формуле

первого порядка). Следует иметь в виду, i +е""°

( Углах

а/мкс

A/мкс

Ut),A

1000

Рис 6.25. Зависимость погрешности шунта ШИМ-1 от амплитуды измеряемого тока (а) и скорости его нарастания (б)

что характер реакции шунта зависит не только от его общей конструкции, но и от места подключения потенциальных выводов (см., например, рис. 2.4 в [6.5)]. Поэтому характер реактивности и постоянную времени шунта следует определять экспериментально, не полагаясь на теоретические формулы. Для этого необходим генератор импульсов тока с амплитудой до нескольких сот ампер и фронтом в несколько наносекунд. После того как реакция шунта и-его постоянная определены, моясно оценить погрешность, с какой данный шунт измеряет те или иные токи. Покажем это на примере шунта, изображенного на рис. 6.20. Как уже говорилось, его сопротивление равно 0,1 Ом. Эксперимент показал, что этот шунт имеет индуктивный характер реактивности и vr:;! не. В связи с тем что напряжение на шунте (рис. 6.22)

Us = ri+Ldijdt,

погрешность измерения данным шунтом составляет

L(di/dt) dijdt

На рис. 6.25 показаны зависимости величины 6s от значений i{t) и (dijdt). Легко видеть, что эта погрешность тем больше, чем меньше измеряемое нами значение тока (при постоянном dijdt).

Не имеет смысла и измерение индуктивности или емкости шунта стандартным jRiC-MCTpoM даже и на высоких частотах, так как при этом будет измерена совсем другая величина.

г лава 7

ОХЛАЖДЕНИЕ ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

7.1. ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ, ПРЕДЪЯВЛЯЕМЫЕ К ОХЛАДИТЕЛЯМ СПП

Технические требования к охладителям определяются факторами, обусловленными технико-экономическими параметрами СПП и ПУ на их основе, т. е. количеством тепла, выделяемого СПП, видом, параметрами, конструктивными особенностями СПП и ПУ, условиями эксплуатации и областью применения СПП, технологичностью промышленного производства охладителей СПП.

Поэтому общие технические требования можно сформулировать следующим образом. Охладители должны обеспечивать нормальный тепловой режим работы СПП в заданных условиях эксплуатации при минимальных материалоемкости, стоимостных и энергетических затратах.

Выполнение этих требований предусматривает:

оптимизацию массогабаритных и стоимостных параметров охладителей при заданных значениях энергетических, тепловых и аэродинамических (гидродинамических) показателей;

стабилизацию тепловых контактных сопротивлений элементов системы «СПП-охладитель» в процессе эксплуатации, что достигается качеством обработки контактных поверхностей, сопрягаемых прижимных элементов системы «СПП - охладитель» и термоупругостью применяемых конструкционных материалов. Требования, предъявляемые к качеству контактных поверхностей охладителей, приведены в табл. 7.1.

Таблица 7.1. Качество механически обрабатываемых контактных поверхностей охладителя