Android-приложение для поиска дешевых авиабилетов: play.google.com
Главная -> Полупроводниковая электроника

0 1 [2] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55

Для Обозначения типономинала прибора применяют дополнителмые числа, которые определяют для диодов:

класс по напряжению - числа, соответствующие сотням вольт: 1 -100 В, 2 -

200 В, 3 - 300 В.....13 - 1300 В,... ,20 - 2000 В, ... 22 - 2200 В, ... 50 -

5000 В,

группу по времени обратного восстановления (для высокочастотных и импульсных диодов) - цифры от 1 до 9, обозначающие соответственно не более 5; 4; 3,2; 2,5; 2; 1.6; 1; 0.63; 0.4 мкс.

Примеры условного обозначения по ГОСТ 20859-79.

Д161-200Х-8 - диод первой модификации, размер шестигранника под ключ 32 мм. штыревой конструкции с гибким вьшодом. максимально допустимый средний ток 200 А. обратной полярности, повторяющееся напряжение 800 В.

ДЧ151-100-7-6 - диод высокочастотный первой модификации, размер шестигранника под ключ 27 мм. штыревой конструкции с гибким вьшодом. максимально допустимый средний ток 100 А. повторяющееся напряжение 700 В. время обратного восстановления не более 1,6 мкс.

Д143-630-12 - диод первой модификации, диаметр корпуса 58 мм, таблеточной конструкции, максимально допустамый средний ток 630 А. повторяющееся обратное напряжение 1200 В.

УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ДИОДОВ (ГОСТ 2.730-73)

Наименование диодов

Условное гра-

Наименование диодов

Условное гра-

фическое обоз-

фическое обоз-

начение

начение

Обшее обозначение

Диод туннельный

Диод обращенный

Стабилитрон односторонний

Стабилитрон двусторонний

Ограничитель напряжения односторонний

Ограничитель напряжения двусторонний

Варикап

Светодиод

ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Приборы полупроводниковые. Термины и определения Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений

ГОСТ 15133-77 ОСТ 11.366.919-81

ГОСТ 2.730-73

ГОСТ 18472-88 ГОСТ 19613-80

ГОСТ 20859-79

ГОСТ 23900-87

ГОСТ 25529-82

ГОСТ 24461-80

ГОСТ 18986.0-74

ГОСТ 18986.1-73

ГОСТ 18986.2-73

ГОСТ 18986.3-73

ГОСТ 18986.4-73 ГОСТ 18986.5-73 ГОСТ 18986.8-73 ГОСТ 18986.9-73 ГОСТ 18986.10-74 ГОСТ 18986.11-84 ГОСТ 18986.12-74 ГОСТ 18986.13-74

ГОСТ 18986.14-85 ГОСТ 18986.15-75 ГОСТ 18986.16-72

ГОСТ 18986.17-76

ГОСТ 18986.18-76

ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

Приборы полупроводниковые. Основные размеры Столбы и блоки вьшрямительные полупроводниковые. Основные размеры

Приборы полупроводниковью силовые. Общие технические условия

Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры

Диоды полупроводниковью. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения и испытаний

Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока

Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения

Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока

Диоды полупроводниковью. Методы измерения емкости

Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения

Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления

Диоды полупроводниковью. Метод измерения импульсного прямого напряжения

Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности

Диоды полупроводниковые. Метод измерения последовательного сопротивления потерь Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации

Диоды полупроводниковые вьшрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока

Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации

Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости



гост 18986.19-73 ГОСТ 18986.20-77

ГОСТ 18986.21-78

ГОСТ 19656.0-74 ГОСТ 19656.1-74

ГОСТ 19656.2-74

ГОСТ 19656.3-74

ГОСТ 19656.4-74 ГОСТ 19656.5-74 ГОСТ 19656.6-54 ГОСТ 19656.7-74 ГОСТ 19656.10-88

ГОСТ 19656.12-76 ГОСТ 19656.13-76 ГОСТ 19656.15-84

ГОСТ 19834.0-75 ГОСТ 19834.2-74 ГОСТ 19834.3-76

ГОСТ 19834.4-79 ГОСТ 19834.5-80

ОСТ 11 336.907.3-81 ОСТИ 336.907.4-81 ОСТИ 336.907.5-81

. Варикапы. Метод измерения добротности Стабилитроны полупровошиковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации

Диоды полупроводниковью СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения среднего вьшрямленного тока Диоды полупроводниковью СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте

Диоды полупроводниковью СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току -Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь

. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления

Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров

Излучатели полупроводашковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости Излучатели полупроводниковые. Метод измерения от-носительно!го спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Диоды полупроводниковые. Излучающие инфракрас-нью. Методы измерения мощности излучения Диоды полупроводниковью инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения

Стабилитроны, Руководство по применению Диоды импульсные. Руководство по применению Варикапы. Руководство по применению

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТЮВ ПО ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна-

родное

1. Постоянное прямое напряжение диода

2. Импульсное прямое напряжение диода

3. Постоянное обратное напряжение диода

4. Импульсное обратное напряжение диода

5. Среднее прямое напряжение диода

6. Пробивное напряжение диода

7. Постоянный прямой ток диода

8. Импульсный прямой ток диода

9. Средний прямой ток диода

10. Постоянный обратньй ток диода

11. Импульсньй обратньй ток диода

12. Прямая рассеиваемая мощность диода

13. Обратная рассеиваемая мощность диода

Побр Uo6p,H Чпр.ср Цлроб

1пр,и

1пр, ср 1о6р 1обр,и

Рпр • Робр

Общие понятия

Up Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

р (AV) Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе (br) Значение обратного напряжения, вызьшающее пробой перехода Ш1-ода, при котором обратный ток достигает заданного значения

If (av)

Pf Pr

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи Среднее за период значение прямого тока диода

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока



Продолжение табл.

Продолжение табл.

Термин

Буквенное обозначение

Определение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

русское

международное

14. Средняя рас- Рср

свиваемая мощность диода

15. Импульсная рассеиваемая мощность диода

16. Общая емкость диода

17. Емкость перехода диода

18. Емкость корпуса диода

19. Дифференциальное сопротивление диода

20. Последовательное сопротивление потерь диода

-пер

"КОр

Ctot Cease

21. Тепловое Kq

сопротивление диода

22. Тепловое сопротивление переход-окружающая среда диода

23. Тепловое сопротивление переход-корпус диода

Inep-окр Ithja

R©nep-Kop lthjc

24. Переходное Z©

тепловое сопротивление диода

Z(th)t

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом

Значение емкости мемфУ вьшодами диода при заданном режиме Общая емкость диода без емкости корпуса

Значение емкости между вьшодами корпуса диода при отсутствии кристалла

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме

Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и вьшодов диода

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызьшающего изменение температуры, к скачкообразному измене-

25. Переходное 20пер окр тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

26. Переходное ; тепловое сопротивление переход-корпус диода

27. Индуктивность диода

28. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

29. Накогшетнный заряд диода

30. Заряд восстановления диода

31. Время обратного восстановления диода

Эпер-кор

вос, обр

нию рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала

2 {th)ja Переходное тепловое соцротивле-ние диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

(th)jc Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой ъ контрольной точке является температура корпуса диода Lg Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях Тр, тп Величина, характеризующая скорость убьтания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

Примечание. Эффективное время жизни определяется из соотношения:

1/7зфф= (1/W + (I/thob) . Тэфф - эффективное время жизни; - объемное время жизни; Тцов ~ поверхностное время жизни

6s Заряд электронов или дырок в базе диода или i области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока

Qi Накопленный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение tff Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента проховдешя тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения



0 1 [2] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55



0.0141
Яндекс.Метрика