|
|
|
Главная -> Полупроводниковая электроника 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [50] 51 52 53 54 55  Рис. п.234   Рис. П.236 ВБтах «17,2, 20,5 Рис. П.235 02,J 0/,J Ф1.г Рис. П.237  Рис. П.238 Рис. П.239 /<?2 >522. 070,5 Рис. П.240 Рис. П.241  нотах. ,ГГ1 S л 232 ФЮ,5 85 max 010,5 Рис. П.243 а) б) Места маркировки  Место для измерения температуры корпуса 05 8 Рис. П.242 95 max  Рис. 11.244 Рис. П.245 010,5 Рис. П. 246  7}h25 Рис. П.247 Рис. П.249 11-6203 ПОтах 11$ $ 0-JJ Рис. П.248 0«7  02.7; h 2.Ь 30.5 Места умаркирабка  а) б)
Рис. П.250 Рис. П.251 Рис. п.25 2 Рис. П.25 3 is ( Рис. П.254
 Effl Рис. П.256 Рис.П.257 Рис.П.258
19,5 Рис. П.259 Рис. П.260 4s til" 13* 2« 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [50] 51 52 53 54 55 0.0072 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
