Android-приложение для поиска дешевых авиабилетов: play.google.com
Главная -> Сборник задач

0 [1] 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33

7. Определить чувствительность электронно-лучевой трубки к отклонению h, если электронный луч, пройдя поле отклоняющих пластин с -разностью потенциалов <откл = 100 В, отклонился в сторону от центра фокусировки на расстояние т = 17 мм.

8. Какое напряжение необходимо приложить к отклоняющим пластинам электронно-лучевой трубки, чтобы обеспечить максимальное отклонение луча, если известно, что диаметр трубки равен 13 см, а ее "чувствительность - 0,25 мм/В?

9. Дана электронно-лучевая трубка с диаметром 8 см и чувствительностью по горизонтали 0,17 мм/В, а по вертикали - 0,23 мм/В. Найти напряжение для отклонения луча на весь экран (отдельно для развертки и сигнала).

Полупроводниковые приборы

10. Объяснить, почему и как изменяется при изменении температуры сопротивление металлов и полупроводников?

11. Начертить вольт-амперную характеристику р-п-пе-рехода в области прямых напряжений. Объяснить, почему при увеличении прямого напряжения ток диода возрастает.

12. Привести вольт-амперную характеристику р-п-пе-рехода в области обратных.напряжений. Объяснить, чем обусловлен- ток, проходящий через р-п-переход, в этом случае?

13. Объяснить явление пробоя р-«-перехода с увеличением -t/o6p-

14. Объяснить физический смысл барьерной емкости р-«-перехода. От каких технологических параметров диода зависит барьерная емкость? У каких диодов - плоскостных или точечных - емкость будет больше и почему?

15. Как изменится барьерная емкость р-п-перехода, если увеличить обратное напряжение?

16. При каком напряжении (прямом или обратном) появляется диффузионная емкость р-п-перехода? Определить диффузионную емкость Сдиф, если при изменении напряжения, приложенного к р-п-переходу, на 0,5 В инжектированный заряд изменился на 10- Кл.



17. Изобразить вольт-амперные характеристики

идеального диода, вакуумного и полупроводникового. Сравнить их и объяснить, в чем причины различий.

18. Чем объясняется рост обратного тока у полупроводникового диода с ростом температуры?

НА 1Z


а)

ОЛ 0,8 f,Z 0,2


Рис. 1

Указание: учесть, как меняется концентрация неосновных носителей с ростом температуры.

19. Определить общую емкость полупроводникового диода Собщ, если барьерная и диффузионная емкости р-«-перехода соответственно равны 5 и 2 ЦФ.

20. По вольт-амперной характеристике диода на рис. 1,а (кривая /) определить его сопротивление постоянному току при включении в пряном и обратном направлении, если к диоду приложено напряжение г/пр=0,4 В, а f/o6p=40 В.

21. По вольт-амперной характеристике диода на рис. 1,6 определить напряжение пробоя.

22. Какая из-двух характеристик, приведенных на рис. \,а, соответствует более высокой температуре диода?

23. Определить крутизну S характеристики полупроводникового диода, если при увеличении прямого напряжения от 0,4 до 0,6 В ток через диод возрос на 5 мА.

24. По вольт-амперной характеристике на рис. \,а (кривая 2) определить сопротивление диода переменному току (дифференциальное), если диапазон рабочих токов диода лежит в пределах: а) от О до 2 мА, б) от 2 до 6 мА.



25. Определить обратное сопротивление переменному току диодов, вольт-амперные характеристики которых приведены на рис. 1, а.

26. В результате измерений было установлено, что при комнатной температуре ток германиевого диода при £У=-1 В составил /=100 мкА. Определить ток при напряжениях -0,2 В и +0,2 В при той же ко>1натной температуре *.

27. Найти, при каком напряжении при комнатной температуре для германиевого диода, номинальный ток которого составляет 1 А, а /обр=3 мкА, ток диода составит 1% номинального*.

28. Найти ток диода с /обр=25 мкА, если (7=0,2 В*.

29. Обратный ток диода /обр=5-10- А. Какое напряжение нужно приложить к диоду, чтобы ток диода составил 75 мА *?

30. При напряжении 0,1 В ток диода составляет 0,2 мА. Каков будет ток диода, если к нему в прямом направлении будет приложено напряжение 0,3 В*?

31. Как соединяются диоды; а) в схемах с напряжением, превышающим максимально допустимое обратное напряжение применяемых диодов; б) в схемах с токами, превышающими допустимый прямой ток применяемых диодов?

32. На входе схемы, состоящей из последовательно соединенных диодов и резистора, действует источник синусоидального напряжения с амплитудой Егт=2,4 В. Определить максимальное и минимальное значения напряжения на резисторе, если Прямое и обратное сопро-тивлениядиода по переменному току соответственно равны 20 Ом и 300 кОм. Влиянием емкости диода и внутренним сопротивлением источника сигнала можно пренебречь. Задачу решить для случаев: а) /?=100 Ом; б) /?=300 кОм. Сравнить влияние сопротивления рези-Ьтора R на величину выходного напряжения.

33. Используя условие задачи 32, определить максимальное и минимальное значения выходного сигнала, если внутреннее сопротивление источника сигнала Нбх= = 500 Ом. Сравнить влияние сопротивления нсточнййа сигнала на выходное напряжение.

* Воспользоваться уравнением"" вольт-амперной характеристики полупроводникового диода при комнатной температуре /=/обрХ X(e*"t-1), где /обр - обратный ток диода при комнатной температуре.



0 [1] 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33



0.094
Яндекс.Метрика