Android-приложение для поиска дешевых авиабилетов: play.google.com
Главная -> Сборник задач

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 [30] 31 32 33

импульса tl цепь конденсатора замкнута накоротко, и амплитуда базового тока Л- г - бэ lig2 мА.

Без конденсатора/!==:--=0,4 мА. Та-

КИМ образом, амплитуда базового тока при подключении конденсатора увеличивается в три раза. После момента времени ti конденсатор заряжается, а базовый ток постепенно уменьшается от значения I5 до стационарного значения /б". Следовательно, при подключении базового конденсатора уменьшаем время фронта выходного импульса, так как при его формировании увеличиваем базовый ток, и сохраняем прежнее значение времени рассасывания, так как запирание транзистора происходит при токе h". 384. В режиме насыщения оба перехода транзистора смещены в прямом направлении (открыты), т. е. [/кб<0, [/эб<0. При наличии нелинейной обратной связи на открытом транзисторе имеем Uk6 = 0, т. е. транзистор работает на границе активного режима и режима насыщения. 385. R = 860 Ом. При прохождении тока обратной связи через диод создается падение напряжения [/д=/д/пр, и транзистор входит в режим насыщения при Р = 0, так как [/кб = [/д<0. При RO в базовой цепи транзистора создается падение напряжения UR=l6sR=ImR/h2iaEKRIRKh2is, компенсирующее напряжение Цд. Для обеспечения [/кб = 0 необходимо [/д=[/н. 386. Схема на комплементарных транзисторах обладает большим быстродействием, так как при переключении схемы рис. 51, а выходная емкость Св заряжается через открытый транзистор VT2 с малой постоянной времени заряда. В схеме рис. 51, б емкость Сн заряжается через резистор Rc с большой постоянной времени. Мощность, потребляемая схемой рис. 51, а, меньше мощности, потребляемой схемой рис. 51, б, так как расходуется лишь при переключении схемы. В статических режимах один из транзисторов схемы (рис. 51, а) всегда закрыт, и ключ практически не потребляет мощности. 387. Транзистор VT1 закрыт, так как [/ех< <Uaopi. Транзистор VT2 открыт, так как \Ubx-Е\> >[/пор2. 388. Транзистор VT1 открыт, так как [/вх< <и„ор1- транзистор VT2 закрыт, так как \Ubx-E\< < I i/nop2- При напряжении £>14 В транзистор VT2 останется открытым. 389. Схема сработает. 390. [/пом min = = [/пор=5 В. 391. В схеме рис. 51, а напряжение на стоке закрытого транзистора VT1 равно напряжению ис-



точника питания и не изменяется при изменении нагрузки. Поэтому АС/вых»£с=12 В. В схеме рис. 51, б AUBbix={EcRii)l{Rc+Rn)= В. При изменении нагрузки получим Д6вых=8 В. 394. Диоды смещения и источник смещения предназначены для повышения помехоустойчивости схемы. 395. С/помтах = 2С/пор д+Сшр т+С/д= 1,9 В.

396. Транзистор VT1 работает в активном инверсном режиме, когда эмиттерный переход закрыт, а коллекторный- открыт. При этом ток базы транзистора VT2, который является также током.коллектора VT1, равен /б2= =/к1 = Р/1/б1, где Рл - инверсный коэффициент усиления по току транзистора VTI. Транзистор VT2 работает в режиме насыщения. Для этого необходимо выполнить условие 1кн2~ С/кэн2) ?к</г21э2/б2. 397. Транзистор

VT1 находится в режиме насыщения, а VT2 - закрыт-На выходе схемы - высокий уровень напряжения (логическая единица). 398. С/пом max =С/пор.т2-Ькэы1-°вх =

= 0,4 В. 399. Для переключения схемы напряжение база-эмиттер транзистора VT1 должно превысить его пороговое напряжение отпирания. Потенциал базы транзистора VT1 относительно земли равен сумме напряжений на открытых переходах база - коллектор транзистора VT1 и база - эмиттер транзистора VT2: Uci = = С/бк1 + Сбв2=0,8-1-0,8=1,6 В. Тогда напряжение на закрытом переходе эмиттер - база транзистора C/g6i = = (Свх-Сб1) = -Ь3,2 В. Транзистор VT1 можно считать открытым, если на входе действует помеха С/пом шах = =-(С/эб1+Спор1) =-3,8 В. 400. Эмиттерный ток открытого транзистора VT2 является одновременно базовым током транзистора VT4, который при закрытых диоде VD и транзисторе VT3 будет работать в режиме насыщения, если выполняется условие 1б42т=I azhzm /вых=п/вхн, где п - число подключенных нагрузочных схем, имеющих входной ток /вх.н. Ясно, ЧТО при большом количестве подключенных схем транзистор VT4 может выйти из режима насыщения и уровень выходного напряжения изменится. Если транзистор VT2 закрыт, то VT4 - также закрыт, так как его база через резистор R будет подключена к земле. 401. Для обеспечения закрытого состояния транзистора VT3 необходимо, чтобы выполнялось условие С/кэн2-1-Сбк4<Сшр.тз--пор.д. Так

как [/бк4=С/б84-С/кэн4, то буДСМ иметь С/бэ4<Спор.тЗ+

+Спор.д. Условие выполняется. 402. Емкость Сн заряжается по цепи: открытый диод VD с малым внутренним сопротивлением Гпр, открытый транзистор VT3 и резис-



тор R3. Постоянная времени заряда Тзар=Рвх.обСн, где ,Rbx.o6 - входное сопротивление транзистора VT3, вклю-.ченного по схеме с общей базой. Разряд емкости про-i исходит через насыщенный транзистор VT4. 403. По выходу 1 схема реализует операцию ИЛИ - НЕ, по выходу 2 - ИЛИ. В отсутствие сигналов на входах 1, 2 транзисторы VT1, VT2 закрыты, а VTO - открыт. При подаче сигнала хотя бы на один из входов, например вход 1, открывается транзистор VT1, а VTO - закрывается. Схема переключается. 404. В этом случае колебания напряжения источника питания не приводят к изменению логического уровня выходного сигнала. Кроме того, замыкание выходов схемы на землю не приводит к выходу схемы из строя. 405. Эмиттерные повторители увеличивают нагрузочную способность (возможность подключения к выходу основной схемы максимального числа нагрузочных), быстродействие и помехоустойчивость схемы. 406. Высокий уровень Usыx2=Uкo-[/бэ4= = --0,8 В. НИ.ЗКИЙ уровень [/0вых2=-1,5 В. 407. [/>вых1 = =-(фт+С/бэз)=-0,8 В, и°вых1 =-1,5 В. 408. Изменится, так как за счет тока транзистора VT2 увеличивается по абсолютной величине падение напряжения на резисторе Rm и увеличивается отрицательный потенциал ц)т- 409. ИЛИ - НЕ. 410. Открыты транзисторы VT1, VT2. На выходе высокий уровень напряжения (логическая единица). 411. Закрыты транзисторы VT1, VT3. На выходе низкий уровень напряжения (логический нуль). 412. Открыты транзисторы VT3, VT4. На выходе логический нуль. 417. а) не переключится; б) переключится, так как сигнал на выходе Q триггера должен соответствовать сигналу на информационном входе D при наличии сигнала логической единицы на тактовом входе С. 421. /-/(-триггер не имеет запрещенных входных колебаний. 424. Нельзя, так как комбинация Ci=l, С2=1 является недопустимой. 426. 010. 429. /Сеч=2=8, 431. /<:сч=22(22-1) = 12. 432. тр1 = 120 мкс, Тр2=600 мкс. 435. С,ж0,016 мкФ. 436. /=1000 Гц=1 кГц. 437. /=1/Г= = 2,6 кГц. 438. Q = 2. 441. Диоды исключают отрицательный выброс входного напряжения микросхем. 442. Q = 2. 443. 5 кГц. 445. Q = T2/7,)4-l =2, так как Тзар=тразр=РС, 7i = 72. 446. Заряд конденсатора в схеме происходит через параллельно включенные резисторы R и R (диод

открыт), поэтому Тзар = РС/2, Тразр = /?С, T2lT\ = 2, Q = 3

увеличилась в 1,5 паза. 447. Колебания срываются. 449.

12 В, [/б2=[/к2«[/э2=1/э1=£кРэ/(Рк2+Рэ) =



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 [30] 31 32 33



0.02
Яндекс.Метрика