Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Операционные усилители

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 [14] 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168

1 У транзисторов со сверхвысоким усилением по току (так называемых: супер--транзисторов) р достигает значения 5000 при токе коллектора 1 мкА, а напряжение пробоя коллекторного перехода составляет несколько

вольт [11].

Есть два прямых метода уменьшения входного тока смещения: 1) за счет уменьшения тока 7 и 2) путем увеличения коэф.- фициента усиления по току р. Оба метода находят применение, однако они имеют свои олраничения.

Низкие значения коллекторных токов в рабочей точке не позволяют получить большую частоту единичного усиления и дают в результате малую входную и довольно часто малую выходную скорости нарастания, а также большое напряжение шумов. Кроме того, все достоинства данного метода в значительной степени исчезают в результате уменьшения коэффициента усиления транзистора по току при малых значениях коллектора ного тока.

Большого усиления по току можно достичь, уменьшая толщину базы. Это, однако, ведет к уменьшению напряжения пробоя коллекторного перехода и увеличению проводимости этого перехода. Для операционных усилителей общего применения типичными являются значения =100 и 7 = 20 мкА. При этом входной ток смещения /см? 100 нА.

В дополнение к оказанному входной ток сдвига зависит от относительной разности коэффициентов усиления обоих транзисторов. В приведенном случае при Ар/р=10% ток сдвига /сдв =10 нА.

Температурный дрейф входного тока смещения

[ddT - dllldT) (3.30)

обусловлен в первую очередь увеличением усиления по току входных транзисторов с ростом температуры. Полученная на, основе экспериментальных данных и носящая информативный характер оценка [12] с?р/§с?Г=-f 1 %/°С показывает, что при увеличении температуры на каждый градус коэффициент усиления по току увеличивается приблизительно на 1%. Имея это в виду, можно записать, что основная компонента температурного дрейфа

dIJdT=.-\%rCxI,, (3.31)

т.е. в приведенном выше численном примере dIcu/dT= - 1 нА/°С.

Эту основную компоненту температурного дрейфа можно, как видно из уравнения (3.30), скомпенсировать сознательно вносимой температурной зависимостью тока 7.



Температурный дрейф входного тока сдвига имеет аналогичное выражение

dl.JdT = -/,„3 (dmT -dJ/JdT), (3.32>

поскольку температурная зависимость относительной разности АР/Р имеет лишь вторичный характер. Основную компоненту температурного дрейфа в уравнении (3.32) вновь можно аппроксимировать формулой

dI,JdT-l%rC х/,д, (3.32а>

и тогда dIcnB/dT= - m пА/°С при /сдв=10 нА.

3.1.5. Входные шумы

В биполярном транзисторе проявляется действие четырех механизмов, генерирующих шумы четырех типов: тепловые, дробовые, вида \lf и импульсные. Рассмотрим вначале первые три вида шумов [13]-[15].

Тепловые (джонсоновские) шумы порождаются хаотическим, тепловым движением свободных электронов в кристаллической решетке вещества, из которого состоит сопротивление. Их уровень не зависит ни от тока, протекающего через резистор, ни от напряжения на нем. Эквивалентная модель резистора R с шумами представляет собой комбинацию резистора R без шумов с последовательно включенным генератором напряжения шумов Еш либо с включенным параллельно генератором тока шумов Im=Em/R (рис. 3.3,а). Среднеквадратичные (эффективные) значения напряжения Еш и тока /ш шумов, наблюдаемые в полосе частот А/=/2-/ь определяются по формулам

Е=УШЩ и IViikT/RjAf, (3.33>

где =1,38-10~2 Дж/К-постоянная Больцмана. В удобных для практического использования единицах (МОм для R и Тц для А/) и при комнатной температуре

£ш = 0,13 мкВх/Щ. 4 = 0,13 пАх У АЩ. (3.33а>

Тепловой шум является белым шумом, т. е. его спектральная плотность em = idE/df или im=ydPm/df в соответствии с (2.5а) не зависит от частоты:

e = VikTR = 0,13 mkB/YTxVR,

(3.34)

i=V4kT/R=0,l3 пА/VThxVR-(R даны в мегаомах).

1 Названы по имени открывшего их в 1928 г. Дж. Б Джонсона. - Прим. BSM------ -



Резистор М Резистор с шумами Y без шумов Jpy.p

шумов


переход с шумами

/)-/7-переход без шумов

V4irfR


/с/ Hi

Рис. 3.3. Эквивалентные генераторы белого шума резистора (а) и полупроводникового перехода (б) и изменения их спектральных плотностей на низких частотах из-за шума вида 1/f (e). Полярность эквивалентных генераторов шума Еш, /ш не имеет значения.

Дробовой шум (шум Шоттки) вызывается прерывистым, имеющим случайный характер, током при прохождении через полупроводниковый переход дискретных порций заряда, переносимых электронами и дьцрками. Эквивалентная модель р-л-пе-рехода с шумами, возникающими при прохождении через него в прямом и обратном направлениях среднего тока /, состоит из не создающего шумов р-л-перехода и включенного параллельно с ним генератора тока шумов /ш, наблюдаемых в полосе частот Af,

/m = l/2(77Af, (3.35)

где =1,60-10" Кл - заряд электрона. При измерении / в

микроамперах, а Л/ в герцах

= 0,57 пАхК/А/. (3.35а)

Дробовой шум также является белым шумом и имеет спектральную плотность

V =/27 = 0,57 пА ГцхуТ (3.36) при /, измеряемом в микроамперах.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 [14] 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168



0.0241
Яндекс.Метрика