14. Letzter S., Webster N., Noise in amplifiers, IEEE Spectrum, (August 1970),

Ъ/-/ о.

15. Robe Т., Taming noise in 1С op amps, Electronic Design, 22 (15) (1974), 64-70,

16. Hsu S. T Bistable noise in operational amplifiers, IEEE J. Solid -State Circuits, SC-6 (6) (1971), 399-403.

17. Erdi G, A low drift, low noise monolithic operational amplifier for low level

18. Lindholm F. A., Hamilton D. J., Incorporation of the Early effect ш the Ebers-MoU model, Proc. IEEE, 59 (September 1971), 1377-1378. Имейся перевод: Линдхолм, Гамильтон. Учет эффекта Эрли в модели Эберса - Молла. - ТИИЭР, 1971, № 9, с. 113-114.

19. Middlebrook R. D., А simple derivation of field-effect trasistor characteristics, Proc. IEEE, 51 (1963), 1146-1147.

20. Lin H. C, Comparison of input offset voltage of differential amplifiers using bipolar transistors and field - effect transistors, IEEE J. Solid -State Circuits, SC-5 (3) (1970), 126-129.

21. Dostal J, A mathematical approximation of junction FET characteristics, Proc. IEEE, 62 ( 60 (1974), 855-856.

22. Cobbold R. S. C, Trofimenkoff F. N., Theory and application of the field - effect transistor, Proc. I EE, 111 (1964), 1981.

23. Evans L. L., Biasing FETs for zero dc drift, Electrotechnology, (August 1964), 93.

24. TDN: Temperature-drift nonlinearity - A new dual - FET specification, Analog Dialogue, 6 (1) (1972), 13-14.

25. Tobey G. E., Graeme J. G., Huelsman L. P., Operational Amplifiers, McGraw-Hill, New York, 1971, pp. 62-63. (Имеется перевод: Проектирование и применение операционных усилителей/Под ред. Дж. Грэма, Дж. Тобй и Л. Хьюлсмана.-М.: Мир, 1974.)

26. Grebene А. В., Ghandhi S. К-, The behaviour of junction - gate field-effect transistors beyond pinchoff, ISSCC Digest Tech. Papers, (1968), 90-91, 166.

27. Widlar R. J., 1С op amp beats FETs on input current. National Semiconductor Application Note, AN-29, December 1969.

28. MacDonald C. L., Behaviour of FET gate current, Siliconix Application Tip, April 1969.

29. Wilson G. R., A monolithic junction FET-NPN operational amplifier, ISSCC Digest Tech. Papers, (1968), 20-21.

30. Brown J. I., Current-input differential amplifiers with high common-mode rejection, ISSCC Digest Tech. Papers, (1969), 18-19.

31. Nishikawa Y., Solomon J. E., A general-purpose wideband operational amph-fier, ISSCC Digest Tech. Papers, (1973), 144-145, 212-213.

32. Widlar R. J., Monolithic op amp with simplified frequency compensation, EEE, 15 (7) (1967), 58-63. . . „„„

33. Widlar R. J., I. C. op amp with improved input-current characteristics, tbt, 16 (12) (1968), 38-41. . ,

34 Fullagar D. J., A new high performance monolithic operational amplifier, Fairchild Semiconductor Application Brief, May 1968. Fullagar D. J., Transistor bias circuits, пат. США 3 586 987 (1969). 35. Dostal J., Differential gain stage, пат. ЧССР 134 845 (1967). 36 Widlar R J. New approaches for the design of monolithic operational amplifiers, ISSCC Digest Tech. Papers, (1969), 10-11. 37. Solomon J. E., Davis W. R., Lee P. L., A self compensated monolithic operational amplifier with low input current and high slew-rate, ISSCC Digest

Tech. Papers, (1969),

38. Thornton R. D., Searle C. L.Pederson D. O., Adler R. В., AngeIorEr-J7lTrt=-

tistage Transistor Circuits, SEEC, Vol. 5, Wiley, New York, 1966.

39. Wyland D. C, PET cascode technique optimizes differential amplifier performance, Electronics, Jan. 18 (1971), 81-84. (Имеется перевод: Уайленд. Оптимизация характеристик дифференциального усилителя путем каскод-ного включения полевых транзисторов. - Электроника, 1971, № 2, С. 34-38.)

40. Maidique М. А., А high-precision monolithic super - beta operational amplifier, IEEE J. Solid-state Circuilts, SC-7 (6) (1972), 480-487.

41. Fullagar D. J., Hendry R., A low-cost dual FET-input operational amplifier, Intersil Application Bulletin A 008, Sept. 1973. Fullagar D. J. and Hendry R., Low-cost, dual FET-input op amp provides new and versatile tool for designers, EDN, Sept. 20 (1973), 70-75.

42. Brokaw A. P. and Maidique M, A., A fast, high-precision, laser-trimmed FET input operational amplifier, ISSCC Digest Tech. Papers, (1974), 142-143, 244.

43. Graeme J. G., Transistor base current compensation system, пат. США 3 551 832 (1971).

44. Dostal J., Gain stage, пат. ЧССР 134 940 (1968).

45. Kuijk К. е., Hoogendoorn A., голланд. пат. 7 003 900 (1970).

4b. Erdi G., Instrumentation operational amplifier with low noise, drift, bias current. Precision Monolithics Application Note, 1973.

47. Motchenbaeher C. D., Protect your transistors against turn - on or testing transient(iamage. Electronics, Dec 6 (1971), 92-94. (Имеется перевод: Мот-ченбахер. Защита транзисторов в электронных схемах от повреждений при включении питания и проверке динамических параметров. - Электроника, 1971, № 25, с. 52-55.)

48. Wooley В. А., Wong S.-Y. J., Pederson D. О., A computer - aided evaluation of the 741 amplifier, IEEE J. Solid-State Circuits. SC-6 (6) (1971), 357-366.

49. Solomon J. E., The monolithic op amp: a tutorial study, IEEE J. Solid-State Circuits. SC-9 (6) (1974), 314-332.

50. Solomon J. E., Wilson G. R., A highly desensitized, wide -band monolithic amplifier, IEEE I. Solid-State Circuits. SC-1 (1) (1966), 19-28.

51. Garde R., Transconductance cancellation for operational amplifiers, IEEE I. Solid-state Circuits. SC-12 (June 1977), 310-311.

52. Martinelli R. U., Comments on «bandgap narrowing in silicon bipolar tran-

sistors*, IEEE Trans. Electron Devices, ED-24 (11) (1977), 1310-1311.

53. Zapi H. L., Dc transfer characteristic, offset voltage sensitivities, and CMRR of FET differential stages, IEEE J. Solid-State Circuits, SC-13 (2) (1978), 262-265. ,

54 Hanna N. N., Application of FETs in temperature compensation of dc amplifiers, IEEE Trans. Instrum. Meas., Ш-28 (1) (1979), 32-36.

В предыдущей главе были показаны проблемы и ограничения, возникающие как перед разработчиком, так и перед пользователем ОУ. Невозможность достижения свойств идеального операционного усилителя привела к ряду приближенных реще-ний и в результате к большому числу схем и принципов их построения.

4.1. Классификация операционных усилителей

Операционные усилители можно характеризовать многими различными способами в зависимости от их схем или потенциальных применений. В соответствии с рис. 4 1 их можно классифицировать исходя из технологии изготовления, построения схемы, типа сигнальных входов, возможности программирования, выходной мощности и, наконец, предполагаемых применений.

4.1.1. Технология изготовления

Монолитная интегральная технология применяется для производства подавляющего большинства ОУ, и особенно ОУ общего назначения. Суть этой технологии - одновременное изготовление всех активных и пассивных компонентов схем нескольких сотен усилителей на одной кремниевой пластине путем проведения последовательного ряда операций маскирования, диффузии, напыления и травления. Массовый характер этих первичных технологических процессов и микроскопические размеры полупроводникового кристалла дают в результате низкую стоимость и высокую плотность упаковки - наиболее сильные стороны монолитной технологии, которые привели к тому, что операционный усилитель стал обычным схемным компонентом. По-видимому, это только вопрос времени - когда монолитная технология станет конкурентоспособна в сравнении с двумя другими типами технологии и при производстве ОУ специального назначения.

Дискретная технология состоит в обычном размещении заключенных в корпуса дискретных компонентов на печатной плате и соединении их пайкой. После проведения необходимых

ТИПЫ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ