някающих внутри схемы перепадов температуры на стабильность входного напряжения сдвига подавляется за счет того, что входные транзисторы Ту Т2 выполнены в виде площадок, связанных крест-накрест между собой и размещенных в противоположных углах квадрата, находящегося на дальнем холодном конце кристалла. Входное напряжение сдвига сводится до величины, не превышающей 150 хМкВ, путем динамической подстройки резисторов R3, R4 [4], [5]. В результате уменьшается также температурный дрейф за счет подавления основной составляющей Есдв/Т.

Подстройка Поцстройка

ВХОД- + " Ji

LX р р hTj, Tjopi жгд м I

Рис. 4.4. Измерите.чьный монолитный ОУ типа ОР-07 фирмы Precision Мопо-

littiics.

Усилитель выполнен по традиционной трехкаскадной схеме с формирующим главный полюс АЧХ корректирующим конденсатором обратной связи Cj и вспомогательными цепями параллельной коррекции (СО и коррекции подачей сигнала вперед (Cj).

4.2.4. Электрометрический ОУ

На рис. 4.5 показан гибридный ОУ с ПТ-входом типа WSH223 (фирма Tesla). На керамической подложке, содержащей вьшолненную по тонкопленочной технологии резистивную цепь, размещены кристаллы биполярного ОУ Qi типа 741 и монолитный сдвоенный электрометрический ПТ Ti, Т2. Еще одна сборка ПТ общего применения служит для смещения входных полевых транзисторов (Та) и организации следящей о-братной связи на их стоки (Гз). Металлический корпус ТО-8, в котором Каждый вывод изолирован в отдельности, подключен к выво-

Вход Bxofl»+"

1/2 ZN5I99

"5

Р, 50»

ADB32

1/2 2N5199 27к

J 50к

199 гк-

77к L

Вькод

juA74I

;пИГ

Подстройка

Рис. 4.5. Электрометрический ОУ с ПТ-входом WSH 223 фирмы Tesla, выполненный по гибридной технологии.

Вход Вход

)2«

Подстройна Подстройка

{Экран

Выход

Рис. 4.6. Гибридный электрометрический ОУ с входным каскадом на МОП-транзисторах ICH 8500 фирмы Intersil.

ду «Экран» для защитного экранирования от токов утечек по поверхности, что эквивалентно увеличению входного сопротивления. Входное напряжение сдвига компенсируется путем динамической подстройки внутренних резисторов .ь -2.

В представленном на рис. 4.6 гибридном электрометрическом усилителе ICH 8500 (фирма Intersil) применен обычный дифференциальный входной каскад на монолитной сборке р-канальных МОП-транзисторов Ту, Гг. Их затворы не защищены от перенапряжения, однако они выдерживают подачу на них напряжения порядка 100 В.

4.2.5. Измерительный ОУ с ПТ-входом

Выполненный на двух кристаллах гибридный ОУ типа LH0052 фи рмы National Semiconductor [11], показанный на рис. 4.7, заполняет разрыв между измерительными и электрометрическими усилителями. Ключевым элементом усилителя является прецизионная монолитная сборка ПТ Ти Т с «гребенчатой» геометрией, которая подавляет влияние градиентов

ВХОД"-

Подпройна

Подстройка

Рис. 4.7. Гибридный измерительный ОУ с ПТ-входом LH 0052 фирмы National

Semiconductor.

ЭЕИтаксиального слоя на технологический разброс характеристик ПТ. Биполярная часть усилителя имеет стандартную конфигурацию ОУ типа 741.

4.2.6. Широкополосный ОУ

Гибридная технология позволила фирме ILC Data Device Corp. выпустить инвертирующий ОУ типа HVA-23 (рис. 4.8) с параллельным 1Высокочастотным каналом. Канал усиления постоянной составляющей состоит из входного (Тх, Гг) и промежуточного {Та-Те) каскадов; его частотная характеристика формируется корректирующими цепями RxCi и ЯбС2. Высокочастотный канал с истоковым повторителем 7"i5 щунтирует два

в английском варианте interdigitatpd, т.е. с геометрией, подобной пере плетейным пальцам рук. - Прим. ped.