Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Операционные усилители

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [41] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168

из-за отрицательного коэффициента усиления активного фильтра. Динамические помехи, поступающие в новый инвертирующий вход, компенсируются при помощи еще одного конденсатора Ci3.

При фиксированной форме возбуждающего сигнала синфазное напряжение на входе усилителя с прерыванием мало, обычно не выше 1 В. Это несерьезное ограничение, поскольку данный тип усилителя предназначен исключительно для усиления малых напряжений порядка 10 мВ от заземленных датчиков. При правильном выборе внешнего конденсатора фильтра Сф можно добиться оптимального соотношения между усилением, величиной шумов и полосой пропускания.

Гибридный неинвертирующий усилитель с прерыванием WSH 222 фирмы Tesla (рис. 4.15) предназначен для усиления напряжения термопары непосредственно в месте размещения последней. Это специализированное применение позволяет упростить конфигурацию схемы и снизить напряжение входных погрешностей до уровня 0,5 мкВ. Симметричный модулятор-прерыватель, выполненный на монолитной сборке ПТ Гь Гг, подавляет возникающие в самой схеме нежелательные термо-э. д. с; этому способствует и уменьшенная до 20 мВт потребляемая мощность. Встречно-симметричное возбуждение от генератора прямоугольного напряжения создает эффект автоком-пенсации.

4.2.12. Варикапно-мостовой ОУ

На рис. 4.16 представлен электрометрический варикапно-мостовой усилитель типа 310 (фирма Analog Devices). Пара варикапов, выполненная на эмиттерных переходах транзисторов 7"ь Т2, образует емкостный модулятор, возбуждаемый высокочастотным напряжением небольшой величины, которое поступает с трансформатора Ху. Постоянное дифференциальное входное напряжение смещает один диод в прямом, а другой - в обратном наиравлении, так что отношение их емкостей уже не соответствует условиям баланса. Оснавпая балансировка модулятора осуществляется путем выбора нужного отвода от вторичной обмотки Xi.

Выводы

1. Операционные усилители изготавливаются по монолитной, гибридной и дискретной технологиям. Первая является .наиболее распространенной, последняя применяется все реже.

2. Преобладающий тип ОУ - биполярный с гальванически врвязанными каскадами. Область применения усилителей с пре-ыванием и варикапно-мостового типа ограничена.



Вход


Выход


подстройна

Рис. 4.16. Инвертирующий варикапно-мостовой ОУ типа 310 фирмы Analog Devices, выполненный по дискретной технологии. (С разрешения фирмы

Analog Devices, Inc.). а - принципиальная схема; б - функциональная Схема.

3. Дифференциальный ОУ имеет два эквивалентных входа. В некоторых специализированных усилителях возможность использования одного из входов ограничена.

4. Частотная коррекция и токовое программирование позволяют изменять параметры ОУ (полосу единичного усиления, максимальную скорость нарастания, потребляемую в режиме покоя мощность) в соответствии с конкретным применением.

5. Стандартной для монолитного ОУ является мощность 10 В-5 мА, отдаваемая в нагрузку 2 кОм. Мощный усилитель может обеспечить на выходе мощность, равную 10 В.5 А или 100 В-0,1 А, тогда как мощность, потребляемая микромощным усилителем, может составлять всего 2 B-l мкА.

6. Операционный усилитель общего применения хорошо под-



ХОДИТ для всех целей, за исключением специализированных применений. Для усиления малых напряжений предназначен измерительный ОУ; электрометрический ОУ служит для усиления слабых токов и измерения сигналов от источников, имеющих высокое сопротивление. Широкополосный ОУ рассчитан на обработку быстро изменяющихся непрерывных сигналов, ОУ с быстрым установлением - на обработку быстро изменяющихся импульсных сигналов.

Список литературы

1. Fullagar D. J., А new high performance monolithic operational amplifier, Fairchild Semiconductor Application Brief, May 1968.

2. Wooley B. A., Wong S.-Y. J., Pederson D. O., A computer-aided evaluation of the 741 amplifier, IEEE J. Solid-State Circuits. SC-6 (6) (1971), 357-366.

3. LF 155/LF 156/LF 157 Monolithic JFET Input Operational Amplifiers. National Semiconductor, Santa Clara, California, Sept. 1975.

4. Fullagar D. J., Developments in monolithic FET -input amplifiers, Seminex, London, Nov. 1974.

5. Soderquist D., Erdi Q., The monoOP-07 ultra-low offset voltage op amp - a bipolar op amp that challenges choppers, eliminates nulling, Precision Monolithics Application Note AN-13, August 1974.

Dooley D., Erdi G., Microvolt offset monolithic operational amplifier, 6th International Congress on Microelectronics, Munich, November 1974.

6. Erdi G., A low drift, low noise monolithic operational amplifier for low level signal processing, Fairchild Semiconductor Application Brief 136, July 1969.

7. Erdi G., Instrumentation operational amplifier with low noise, drift, bias current, NEREM Record Tech. Papers, Oct. 1972.

8. Maidique M. A., Monolithic operational amplifier with ljiV/°C drift, Analog Dialogue, 5 (3) (1971), 3-5.

Maidique M. A., A high - precision monolithic super - beta operational amplifier, IEEE J. Solid-state Circuits. SC-7 (6) (1972), 480-487.

9. Brokaw A. P., Maidique M. A., A fast, high-precision, laser-trimmed FET input operational amplifier, ISSCC Digest Tech. Papers (1974), 142, 143, 244.

10. Phalan J., An ultra low bias current amplifier, Intersil Application Note HOOl.

11. Underwood R. K., New design techniques for FET op amps. National Semiconductor Application Note AN-63, March 1972.

12. Dostal J., Svatofl V., Linear hybrid integrated circuits. Parts I and 2, Proc. 5th Nat. Conf. on Electronic Measuring Techniques, Brno, May 1974 (in Czech).

Dostal J., Svatoiiova D., Svatofl V., Operationsverstarker mit FET -Ein-gang, 6th International Congress on Microelectronics, Munich, November 1974.

13. Givens S., Precision 1С op amps - underspecifying can mean disaster, over-specifying costs money, EDN (Sept. 1977), 167-170.

14. Russell R., Frederiksen Т., How the bi-FET process benefits linear circuits. Electronics (June 8, 1978), 113-117. (Имеется перевод: Рассел, Фреяерик-сен. Би-ПТ-технология - эффективное средство создания высококачествен» ных линейных ИС. - Электроника, 1978, № 12, с. 37-44.)

15. Widlar R. J., Low voltage techniques, IEEE J. Solid-State Circuits. SC-IJ (6) (1978), 838-846.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [41] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168



0.0085
Яндекс.Метрика