мотка II трансформатора Тр, балансный контур Ze, м крофон Мк). Передача исходящего разговора происходит за счет протекания тока в линейной цепи. Разговорные токи в балансной цепи обеспечивают противоместность схемы аппарата. В обмотках I и II трансформатора токи протекают в противоположных направлениях, создавая .два магнитных поля, которые в свою очередь вызывают появление в сердечнике магнитопровода трансформатора двух противоположных по направлению магнитных потоков. Результирующий магнитный поток при этом будет значительно ослаблен, вследствие чего в обмотке III Тр будет индуктироваться .незначительная ЭДС и собственный голос в телефоне практически прослушиваться не будет.

Полное устранение местного эффекта может быть достигнуто только на одной вполне определенной частоте и вполне определенной линии, что в реальных условиях невыполнимо, поскольку речевой сигнал содержит весьма широкий спектр частот, а параметры линии колеблются в значительных пределах. Поэтому местный эффект полностью не уничтожается, а только ослабляется.

Во время приема разговора поступающий с линии в телефонный аппарат разговорный ток проходит по цепи:

Zn, клемма Л1, обмотки I и II трансформатора Тр, балансный

контур Ze, клемма Л2, линия Zjj.

Частично ток ответвляется через Мк.

Ток в обмотках I и II трансформатора имеет одно направление, вследствие чего создаваемые им .магнитные потоки будут складываться. Суммарный магнитный поток индуктирзгет в обмотке III трансформатора ЭДС, создающую ток в обмотках телефона, который и воспроизводит речь, переданную с другого аппарата.

Противоместная схема компенсационного типа (рис. 1.20,6) отличается от мостовой тем, что микрофон Мк, телефон Тф, балансный контур Ze и линия Zji связаны между собой четырьмя обмотками трансформатора: линейной I, балансной II, телефонной III и компенсационной IV. В такой схеме телефон с другими частями схемы имеет не только индуктивную, но и гальваническую (непосредственнзгю) связь через обмотку IV, намотанную бифилярно (компенсационную обмот-Kyi?„). „

При передаче разговора токи проходят по двум цепям: линейной (микрофон Мк, обмотка 1Тр, клемма Л1, линия Z„, клемма Л2, микрофон Мк) и балансной (микрофон Мк, обмотки IV и II Тр, балансный контур Ze, микрофон Мк). Одновременно ток пройдет по параллельной цепи через телефон и обмотку III трансформатора.

Исходящий разговор передается за счет прохождения разговорного тока в линейной цепи. Разговорный ток в балансной цепи протекает по двум параллельным ветвям: 1) через телефон Тф и обмотку III трансформатора Тр и 2) через обмотку IV трансформатора Тр. Для переменного разговорного тока сопротивления этих ветвей будут неодинаковы. Чисто активное сопротивление обмотии IV не зависит от частоты Переменного тока, а сопротивление обмоток телефона Тф и III трансформатора Тр имеет индуктивный характер и возрастает с увеличением частоты. .Вследствие этого большая часть тока пойдет через сопротивление Rk и обмотку II трансформатора Тр. Поэтому, пренебрегая током, проходящим через обмотки телефона и III трансформатора, балансную цепь можно представить в следующем виде:

микрофон Мк, обмотки IV и II трансформатора Тр, балансный контур Ze, микрофон Мк.

Таким образом, разговорный ток, проходя по обмоткам I и II трансформатора в противоположных направлениях, создает разностный результирующий магнитный поток, который индуктирует в обмотке III Тр переменную ЭДС. Величины результирующего магнитного потока индуктируемой ЭДС и их направления определяются степенью согласованности параметров линии и телефонного аппарата. Одновременно разговорный ток, проходя через сопротивление Як, вызовет падение напряжения на нем. Для полной противоместности схемы аппарата необходимо, чтобы ЭДС, индуктируемая в обмотке III Тр, и падение напряжения на Rk были равны по величине и противоположны по фазе. В этом случае телефон окажется подключенным к точкам с одинаковыми потенциалами, ток через него протекать не будет, и, следовательно, собственный голос прослушиваться также не будет. Таким образом, при полной противоместности схемы ток в телефоне не появится, поскольку действие ЭДС в обмотке III Тр компенсируется разностью потенциалов на зажимах обмотки IV Тр (отсюда название сопротивления Rk - «компенсационное»). Практически в такой схеме местный эффект также лишь ослабляется.

При приеме разговора разговорные токи поступают в схему аппарата с линии по цепи:

ливия 2л, клемма Л1, обмотка I Тр и далее разветвляются по трем ветвям: 1) телефон Тф, обмотки III и II Тр, балансный контур 2б, клемма Л2, линия Zn", 2) обмотки IV и II Тр, балансный контур 2б, клемма Л2, линия Z; 3) микрофон Мк, клемма Л2, линия Zn.

Таким образом, разговорный ток с линии проходит по обмоткам I и II Тр в одном направлении. Благодаря этому в сердечнике трансформатора образуется магнитный поток, равный сумме магнитных потоков, создаваемых в его обмотках I и II. Этот магнитный поток индуктирует в обмотке III переменную ЭДС, которая вызывает появление тока, замыкающегося по цепи:

обмотка III Тр, телефон Тф, обмотки IV и ПГТр.

Часть разговорного тока, проходящего через микрофон Мк (ветвь 3), несколько снизит величину разговорного тока, протекающего через обмотку II Тр. Протеканием разговорного тока через телефон и обмотку III Тр (ветвь 1) можно пренебречь вследствие большого индуктивного сопротивления этих элементов в сравнении с сопротивлением обмотки IV Тр.

Таким образом, поступающий в схему телефонного аппарата разговорный ток, проходя через сопротивление Rk, создаст на нем падение напряжения. Полярности этого падения напряжения и ЭДС, индуктируемой в обмотке III Тр, таковы, что их взаимодействие вызовет появление суммарного тока, проходящего через обмотку телефона и последний воспроизведет передаваемую речь.

В некоторых телефонных аппаратах обмотка III трансформатора выключена встречно по отношению к линейной и балансной обмоткам. В ряде аппаратов используются трансформаторы с большим числом обмоток. Монтаж схем осуществляется печатным способом путем нанесения токопроводящего слоя на изоляционную плату.

1.14. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. МИКРОСХЕМЫ

В современной телефонной аппаратуре широко применяются элементы электроники (диоды, транзисторы), изготовляемые на базе по-

лупроводников. Полупроводники - это вещества (например, германий, кремний), которые по своим электрическим свойствам занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками

Полупроводниковый диод - устройство (прибор) с двумя выводами и одним электроиио-дырочным переходом. Таким переходом называется область, разделяющая полупроводник на две части с разнотипной проводимостью. Наибольшее распространение получили германиевые и кремниевые диоды, а также диоды, выполненные иа основе арсенида галлия.

Достоинства диодов: малые габаритные размеры и масса, высокий коэффициент полезного действия (свыше 99%), неограниченный срок службы, высокая надежность и т. п.

На рис. 1.21 изображены сплавной маломощный кремниевый диод размером 16ХИ мм и схемы его включения. Электронио-дырочный переход такого диода образуется вплавлением алюминия в кремний. Работа диода основана на свойстве перехода пропускать ток только в одном направлении.

Транзистор - электропреобразовательиый полупроводниковый прибор с тремя или более выводами и одяим или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности.

Основным элементом транзистора является кристалл германия или кремния, в котором созданы три области различных проводимостей. Две крайние области всегда обладают проводимостью одинакового типа, противоположного проводимости средней области. Устройство и схемы включения транзистора показаны на рис. 1.22.

Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область - эмиттером, другая - коллектором. К каждой из областей припаяны выводы, с помощью которых транзистор подключается к схеме.

Д А

Рис. 1.21. Сплавной кремниевый выпрямительный диод и схемы включения (па-

ра.тлельио и последовательно): 1 - вывод; 3 - кристаллодержатель; 3 - корпус; 4 - припой; 5 - кристалл; 6 - алюминиевая проволока; 7 -стеклянный изолятор