ческой энергии часто гфименяются линии с сосредоточенными постоянными, т. е. элементами L h С (рис. 7.11), в виде дискретных катушек индуктивности и конденсаторов.

моиндукции). .Пинии типа М имеют наилучшие характеристики при уИ==1,27.

Расчет искусственных линий провод,ится по заданному волновому сопротивлеии.чт

Рис. 7.11. Искусствеииые линии К-типа (о) и М-типа (б)

При заданном времени задержки и = п-\[ПС, где п - число звеньев линии, такие искусственные линии имеют существенно меньшие габариты и массу, чем линии с распределенными постоянными. Если между смежными индуктивиостями звеньев нет магнитной связи, линии относятся к типу К, в противном случае - к тиву М (М - коэффициент взаи-

Z„=LIC, времени нарастания импульсов на выходе линии Ц при ее возбуждении прямоугольными импу.иьсами и времени задержки и. При этом для п, С к L можно использовать следующие выражения [9]: п = Кх И, ф\ С==и/К2пг„ и /.=.

Программа 7.26.

10 PRINT РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ИСКУССТВЕННЫХ ЛИНИЙ ЗАДЕРЖКИ

20 PRINT ЛИНИЯ НА ФИЛЬТРАХ К-ТИПА, КОД 1

30 PRINT ЛИНИЯ НА ФИЛЬТРАХ М-ТИПА, КОД 2

40 INPUT ВВЕДИТЕ КОД Н

50 IF N=1 THEN 60

55 GOTO 70

60 LET К1=1.1 ! LET К2=1.07 s GOTO 100 70 IF N02 THEN 90

80 LET Kl=0,94 ! LET K2=K2 : &0T0 168

90 PRINT КОД НАБРАН НЕВЕРНО s GOTO 48

160 IHPUT ВВЕДИТЕ ВРЕМЯ ЗАДЕРЖИ TZ=T1

110 IHPUT ВВЕДИТЕ ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ФРОНТА TF=T2

120 INPUT ВВЕДИТЕ ВОЛНОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ 2=2

130 LET Н=К1ж<<Т1/Тг>1.5>

135 PRINT ЧИСЛО ЗВЕНЬЕВ Н=И

140 INPUT ВВЕДИТЕ УТОЧНЕННОЕ ЗНАЧЕНИЕ Н=И

156 LET L=<:T1*2><N»K2>

160 LET C=Ti<K2-*NsiZ)

170 PRINT ИНДУКТИВНОСТЬ ЗВЕНЬЕВ L=L . 180 PRINT ЕМКОСТЬ ЗВЕНЬЕВ C=C 190 GOTO 40 s END

18 PRINTPACHET ПОСТОЯННЫХ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ВОЛНЫ В ДЛИННОЙ ЛИНИИ

28 INPUTBBEAHTE ПОГОННОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ <ОМКИ> R=R

38 INPUTBBEAHTE ПОГОННУ» ИНДУКТИВНОСТЬ <ИГНКМ> L=L

48 INPUTBBEAHTE ПОГОННУК! ЕМКОСТЬ (.ШЧКЮ С=С

58 INPUTBBEAHTE ПСГОННУ» ПРОВОДИМОСТЬМКОМу-КМ) 6=б

ее LETL=LylE3!LET6=6/-lE6!LETC=C/lE6

70 WUTЗАДАЙТЕ ЧАСТОТУ СГЦ) F=F! LETW=2*#PI*F

88 LETU=SOR<R*R+ <ЫжЬ)2>s LETX=SeR<6*6+<ЫжС>-2>

90 LETft=ATN<:W*LR)!lF 6=8 THEH LETB=#PI2

100 IF 6<>e THEN LETB=ATNa«6)

120 PRINTtCiAyflb СОПРОТИВЛЕНИЯ /2/-=SSROJX) ON

130 РР1ИТФА30ВЫй-СДВИГ =IlE6< <A-B>>2) ГРАД

140 LETV=SQR<:U*X)!LET2=<A+B)/2

150 PR I NTПОСТОЯННАЯ ОСЛАБЛЕНИЯ АЛЬФЯ=¥жС0в«:2)

160 РРХНТФАЗОВАЯ ПОСТОЯННАЯ ВЕТА=VSIrKZ)

170 60Т0 70:ENIi

Пример. Для Z.. = 600 Ом, t,= 1 • Ю с и 1ф = 5-\0" с получим /г = 84,076. Округлив л до 85, находим (код 2) Z. = 5,882-10" Гн и С=!,634-10"" Ф. Если при тех же исходных данных указать код 1 (линия типа К), то полччйм" /г = 98,384. Округлив л до 100, находим £=5,607.10- Гн и С=1,558-10-" Ф.

§ 7.5. Расчет усилителей

При расчете усилителей на биполярных транзисторах бывает необходимо вычислить физические параметры транзистора по А-па- . раметрам (табл. 7.2) и наоборот (табл. 7.3) [34].

= = 23,333 Ом, Гб = «в = 83,333 Ом, г„ = = R/( = 3,3325-10 Ом и а=Л =0,97999. Для схемы с общим эмиттером (код 2) при А,, =2800 Ом, Л,2 = 2-10- См, fei=60 и Л22 = 510~ См получим Гз = /? = 40 Ом, Гб = «В = 360 Ом, r„ = RM=l,22-10 Ом и р=Л =0,9836.

Программа 7.28.

Пример. Для схемы с общим эмиттером (код 1) при r, = R\ =25 Ом, Гб = «2 = 400 Ом, Гк = /?3=1-10 Ом и а=Л =0,985 получим Л,,=2,064-10 .Ом, /1,2 = 1,664-10- /22,= = 65,556 и /г22 = 6,656- 10- См. Для схемы с общей базой (код 2) и указанных выще исходных данных получим А,, =30,998 Ом,

Таблица 7.2

Формулы для расчета физических параметров биполярного транзистора по Л-параметрам соответствующей схемы включения

Таблица 7.3

Формулы для расчета Л-napaivieTpoB биполярного транзистора по физическим параметрам

й-параметр

Схема включения

с общим эмиттером

с общей базой

с общим коллектором

6 +

r, + /« - a r„ an--r,

I

rs + fk -агк

Гн + Гс

Гб + и

Гк + Гб

г, + и - аг,

Гк - ОГк

Гв + Гк -агк 1

Программа 7.27.

Пример. Для схемы с общей базой (код 1) при /11,=25 Ом, /1,2=0,25-10- См,

/ijise-0,98 и /122=3-10~ См получим Гэ =

/г,2 = 3,998•j0- Й21 =-0,985 и fe = =9,996-10" См. Наконец, д.пя схемы с общим коллектором (код 3) получим /г,,= =2,064-10 Ом, 12=0,9983, Ь,= -66,556

и /222 = 6,656-10- См.

Программа 7.28.

10 PRINT РАСЧЕТ Н-ПАРАМЕТРОВ ПО ФИЗИЧЕСКИМ ПАРАМЕТРАМ ТРАНЗИСТОРА

20 PRINT СХЕМА С ОБШИМ ЭМИТТЕРОМ, КОД 1

38 PRINT СХЕМА С ОБШЕЙ БАЗОЙ, КОД 2

40 PRINT СХЕМА С ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ, КОД 3

58 INPUT ВВЕДИТЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭМИТТЕРА R=R1

60 INPUT ВВЕДИТЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ БАЗЫ RB=R2

70 INPUT ВВЕДИТЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ КОЛЛЕКТОРА RK=R3

88 INPUT ВВЕДИТЕ КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ТОКА ЭМИТТЕРА А=А

90 INPUT ВВЕДИТЕ КОД Н

100 IF N=1 THEN 140

110 IF N=2 THEN 190

128 IF N=3 THEH 248

130 PRINT КОД НАБРАН НЕВЕРНО s 60T0 96

140 LET V=R1+R3-A*R3 s LET H1=R2+R1*R3/V

150 LETH2=RlV!LETH3=<A«R3-Rl)-V!LETH4=l/Vs60T0 280

190 LET M=R2+R3 : LET H1=R1+<<1-A)*R2*R3>M

280 LETH2=R2/M5LETH3=-<R2+A*R3)>M!LETH4=1/M5 60T0 288

240 LET V=R1+R3-A«R3 s LET H1=R2+R1«R3-V

250 LETH2=R3«C1-A)/VSLETH3=-R3-V!LETH4=1/V

288 PRINT ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Н11=Н1

290 PRIHT КОЭФФИЦИЕНТ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ ПО НАПРЯМЕНИК! H12=H2 380 PRINT КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ПО ТОКУ Н21=НЗ 310 PRINT ВЫХОДНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ H22=H4 320 60Т0 90!END

Параметрами элементарных усилительных каскадов (см. рис. 7.12 и эквивалентные схемы рис. 7.13) на средних частотах являются: входное сопротивление Rn = Uct/hi, коэффициент усиления по току К,

коэффициент усиления по напряжению Ки = Ueux/Um, сквозной коэффицйент усиления по напряжению Kjc= .и выходное

сопротивление Лвы>! = Л£выл/Д/вых, где Д/вы.х- изменение выходного тока, вызванное изме-

Рис. 7.12. Эле.чентарные каскады на биполярных транзисторах с общей базой (а), общим э.митте-

PO.VI (б) и общим коллектором (е)

10 PRIHT РАСЧЕТ ФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА ПО Н-ПАРАМЕТРАМ

20 PRINT СХЕМА С ОБШЕЙ БАЗОЙ/ КОД 1

30 PRINT СХЕМА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ, КОД 2

40 INPUT ВВЕДИТЕ ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Н11=Н1

50 INPUT ВВЕДИТЕ КОЭФФИЦИЕНТ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ ПО НАПРЯШЕНИ» H12=H2

60 INPUT ВВЕДИТЕ КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ПО ТОКУ H21=H3

70 INPUT ВВЕДИТЕ ВЫХОДНУ» ПРОВОДИМОСТЬ H22=«H4

80 INPUT ВВЕДИТЕ КОД N

90 IF N=1 THEN 120

100 IF N=2 ТНЕН 180

110 PRINT КОД НАБРАН НЕВЕРНО 5 60Т0 80

120 LETR1 =Н1 - < 1+НЗ ) ЖН2/Н4 s LETR2=H2/H4: LETR2=H2/H4 s LETR3=< 1-H2 > /-44

150 LETR4=-CH2+H3>/H4!LETA=-<H2+H3)/C1-H2>:60T0 238

180 LETR 1 =H2/H4: LETR2=H1 -H2*< 1+H3 >/-44: LETR3=< 1+H3>/-44

208 LETR4= С H2+H3 > /-44: LET A= < H2+H3 ) /- < 1+H3 )

230 PRINT СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭМИТТЕРА R=R1

240 PRINT СОПРОТИВЛЕНИЕ БАЗЫ RB=R2

250 PRINT СОПРОТИЕЛЕНИЕ КОЛЛЕКТОРА RK=R3

260 PRINT СОПРОТИВЛЕНИЕ RM=R4

270 PRINT КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ТОКА ЭМИТТЕРА А=А 288 ЬОТО 40!END