складывается нз внутреннего сопротивления генератора импульсов напряжения Ry и входного сопротивления тиристора; через тиристор начинает протекать ток синусоидальной формы.

В момент времени, приблизительно равный лоловине периода, ток нагрузки становится меньше тока удержания, и тиристор переходит в запертое состояние. Так как в этот момент = О, то все

напряжение прикладывается к тиристору, вызывая скачок напряжения на нем {рис. 4, г). Таким образом, через нагрузку в течение первого полупериода протекает ток, имеющий форму, представленную на рис. 4, в в интервале времени от нуля до я.

В отличие от тиристора симистор проводит ток в обоих направлениях. Его можно рассматривать как тцехэлектродный полупроводниковый прибор, который может быть переключен нз закрытого состояния в открытое н наоборот при любой полярности напряжения на основных электродах. При этом переключение может осуществляться при пода-че сигнала управления на управляющий электрод (УЭ), а выключение - путем изменения полярности напряжения на основных электродах. По внешнему виду симистор аналогичен тиристору (рис. 5, а). Но в отличие от тиристора для симистора не применимы понятия катода н анода, поэтому основные электроды условно обозначаются СЭУ - силовой электрод со стороны управляющего электрода 3, и СЭ - силовой электрод со стороны основания прибора 2. Условное обозначение симистора (рис. 5, б) получено в результате совмещения условных обозначений двух встречно-парэллельных включенных тиристоров, имеющих общий управляющий электрод.

Семейство ВАХ симистора представлено на рис. 6. Следует отметить, что в зависимости от конструкции полупроводниковой структуры симистор по основной цепи может включаться в проводящее состояние

Рис, 5. Усповвое обозначение (д) н внешний вид (&) симистора;

позиции 1-4 те же, что на рис. 1

УЗ СЭУ

fac б; Семейство волыуамперных характерисгак симистора

s,f, У/А

Рис, 7. Псяупроводниковая структура симистора, включенного в обратном направ-пенин

при подаче на УЭ либо положительного относительно электрода СЭУ напряжения, либо напряжения обеих (положительной отрицательной) полярностей. Отметим также, что симисторы, рассчитанные на токи от единиц до нескольких десятков ампер и наиболее часто применяемые в бытовой технике, управляются током обеих полярностей, причем наиболее предпочтительным (в целях уменьшения тока управления в

прямом направлении) является положительное, а в обратном - отрицательное напряжение на УЭ. Сравнение ВАХ тиристора и симистора показывает, что их прямые ветви идентичны. Это объясняется особенностью полупроводниковой структуры симистора, самый простой вариант которой схематично изображен на рис. 7.

Полупроводниковая структура представляет собой пластину, в которой в процессе изготовления прибора созданы чередующиеся слои с электропроводностямн Р- и и-типов и контакты управляющего 4 н основных электродов 2, 3. Полупроводниковая структура содержит пять слоев р- и п-тнпов. Слой - слой исходного материала, остальные слон получены в процессе изготовления прибора. Верхний слой п-типа состоит из двух участков- участка л, под основным контактом н участка щ под контактом управляющего электрода. Часть слоя Pi находится между слоями типов щ и «2. другая часть выходит под контакт верхнего основного электрода Слой п-типа, выходит к нижнему основному контакту. Слой Рз частично находится между слоями «2 и «з, частично выходит под контакт нижнего основного электрода СЭ. Полупроводниковая структура в результате имеет пять р-п переходов, р-п переходом называется область между слоями р-типа и я-типа. р-п переход имеет резко нелинейную ВАХ, аналогичную характеристике вакуумного диода; он имеет малое сопротивление в прямом направлении (плюс источника напряжения п1Жпожен к р-слою, минус -к й-слою) и большое сопротивление в обратном направлении; р-п переходы, образованные слоями pi и р2 с слоем исходного материала , обладают хорошими блокирующими илп запирающими характеристиками. UpK включении в обратном направлении, когда к р-слою прикладывается отрицательное, а к и-слою положительное напряжение, они имеют малые, по рядка долей миллиампера,