0 U„,p и

Рис. 17. Вольт-амперная характеристика обратаоориентированной р-п-р-п структуры-элемента симистора

Рис 18. Семейство вольт-амперных характеристик обратно ориентированной структуры-элемента симистора

Напряжение переключения монотонно убывает с ростом тока у травления, и при некотором значении /у = / ВАХ "спрямляется" - становится похожей на прямую характеристику диода. Зависимость напряжения переключения (нормированного к максимальному напряжению переключения, что имеет место лри/у = 0) приведена на рис. 19. Отметим, что существует область токов управления, при которых не наблюдается снижения напряжения переключения. Это объясняется тем, что при малых токах управления коэффициент передачи п-р-п транзистора йд (см рис. 15) практически равен нулю и переключение возможно только за счет увеличения тока всей структуры, т е. за счет увеличения напряжения переключения. Наличие згой области токов управления является важным фактором, который определяет помехоустойчивость прибора, а именно значение тока помехи, который может протекать в цепи управления, не вызывая неконтролированное включение прибора.

<~)тметим также, что ток управления оказывает воздействие иа ток р-п-р-п структуры, увеличивая его и в том случае, когда структура включена в обратном направлении. Механизм этого воздействия отличается от рассмотренного и обсуждается в следующем параграфе.

Рнс. 19. Зависимость напряжения переключение от тока управления

г. ПГО6ЕНН0СТИ РАБОТЫ СИМИСТОРА ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ 3. OCObtnn ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ

Модель включения- При включении симистора в обратном направле-н (см рис. 8) положительный полюс источника напряжения прнкла-дается к СЭУ, а отрицательный - к СЭ. Электронно-дырочные переходы !\ и /з смешены в обратном направлении вследствие чего правая часть структуры не может проводить ток и работу прибора определяет левая часть структуры (рис. 20) [1, 2], которая получила название

обратноориеитированной р-п-р~п структуры с инжектирующим УЭ. При отсутствии тока управления (цепь управляющего электрода разомкнута) анализируемая структура представляет собой обычную р-п-р-п структуру, находящуюся по сравнению со структурой на рис. 10 в перевернутом положении,

Поскольку в рассматриваемом случае р-п-р-п структура включена в прямом направлении, а свойства ее идентичны со свойствами структуры на рис. 10, ее статическая характеристика не отличается от изображенной иа рис 17. При подаче отрицательного сигнала р-п переход U смешен в прямом направлении, из слоя По в слой pi поступают электроны, к оторые частично исчезают в процессе рекомбинации с дырками, частично

Рис. 20. Обратноорнентированная рчг-р-п структура с инжектирующим управляющим электродом

6 *"

"0

У ""О

I-о-

о УЗ э

Рис. 21. Эквивалентные схемы обратноорнентированной структуры с инжектирующим управляющим электродом

перебрасываются в слой «г Для их компенсации из слоя Pi в слой nj приходят дырки. Этот дырочный ток является током управления р-п-р-п структуры, но в отличие от рассмотренного в предыдущем параграфе механизма управления он поступает не в р-, а в w-базу, а точнее, вытекает из «-базы н при достаточном значении может перевести р-п-р-п структуру в проводящее состояние Эквивалентная схема рассматриваемого включения изображена на рис. 21 и представляет собой комбинацию тиристора с УЭ, присоединенным к п-базе, в цепь управления которого по схеме с общей базой включен п-р-п транзистор С учетом управления по п-базе ток тиристора определяется соотношением, аналогичным (9):

где /* - часть тока управления, поступающая в ге-базу; fQ ~ обратный ток перехода/з.

Учитывая, что является током коллектора п-р-п транзистора, включенного по схеме с общей базой

получаем / =

fjbc

(12)

(13) 23