Android-приложение для поиска дешевых авиабилетов: play.google.com
Главная -> Магнитоэлектроника

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

Область интегральных пспгжов нгйтронов. нейтрон/см

Ф-<2.Г)- 10"

2,5- 10«Ф<8- 10"

Эмпирическая формула

10"(4 10" дли КДЗОЗ н КД304)

Для участка спала вольтопой машнто-чувствптс.тыюстн

Ф<2- 10

Ф<1.8. 10"

Зависимости относительной токовой магниточувствительности от дозы облучения аналогичны приведенным выше зависимостям прямого тока. В области наибольшего изменения они могут быть аппроксимированы выражением

• Т т?=ехр(-А(Ф).

(3.8)

1/т=1/то+/С,Ф

где Y/ -токовая магниточувствительность до облучения. Значения величины К приведены в табл. 3.2. Величина практически не зависит от индукцпи магнитного поля, но связана с начальным значением напряжения в рабочей точке.

Отж1г пр:; 7" = 2,50С в течение 1 ч приводит к почти полному восстановлению ВАХ в отсутствие магнитного поля. Вольтовая магниточувствительность уменьшается и составляет 25-40% от ее значения до облучения.

Степень восстановления токовой магниточувствительности.возрастает с увеличением индукции магнитного поля. При 6 = 0,3 Тл. f составляет 10-30% от первоначального значения для магни-

тодподов КД301А-КД301Ж и 30-707о для КДЗОЗА-КДЗОЗЖ. С увеличением индукции магнитного поля до 0,6 Тл указанные значения возрастают соответственно до 15-40% и 40-85%. Обратный ток после отжига увеличивается, причем сильнее для магнитодиодов КДЗОЗА-КДЗОЗЖ.

Вольт-амперные характеристики облученных н отожженных магнитодиодов в отсутствие магнитного поля прн хранении в условиях комнатной температуры смешаются в об.часть больших напряжений. Напряжение U„p при /=3 .мА за год возрастает на 4-13%. Одновременно происходит увеличение вольтовой магниточувствительности на 2-9% и уменьшение токовой магниточувствительности па 12-237о- У магнитодиодов облученных, по не отожженных, в условиях хранеппя при ксмнатной температуре наблюдается медленное восстановление вида ВАХ. Прямое падение напряжения при 1 = 3 мА за год уменьшается на 8 - 10% у магнитодиодов КД301 А-КД301Ж и на 3-5% У КДЗОЗА- КДЗОЗЖ. Вольтовая магниточувствительность магнитодиодов КД301А-КД301Ж прн fi = 0,3 Тл возрастает на 4-20%. Для КДЗОЗА-КДЗОЗЖ характерно возрастание вольтовой .чагннто-



чувствительности в магнитном поле, отклоняющем носители к грани с контактами (до 30%). В противоположном направлении воаьтовая магниточувствительность уменьшается на 8-30%.

Для магнитодиодов КД304А-1-КД304Ж-1 характерно увеличение вольтовой магниточувствительности с ростом дозы облучения до (4-5) • !0" нейтрон/см. В большинстве случаев магниточувствительность возрастает в 3-5 раз. Для магнитодиодов с достаточно малой начальной магниточувствительностью (2-4 В/Тл) в указанном выше интервале доз она возрастает в 8-10 раз, а для магнитодиодов с большой начальной магниточувствительностью на 20-40%. Дальнейшее увеличение дозы до !,5х Х102 нейтрон/см незначительно влияет на магниточувствительность. Разность магниточувствительностей для противоположных направлений вектора индукции магнитного поля с ростом дозы облучения уменьшается.

Зависимость относительной величины тока от дозы облучения при постоянном напряжении, соответствующем току до начала облучения 3 мА, при дозах Ф<4,5-10" нейтрон/см2 (область наибольшего изменения) .может быть аппроксимирована эмпирической формулой (3.6).

Характер зависимостей токовой магниточувствительности от дозы облучения Y tJ-/(Ф) аналогичен зависимостям относительного изменения тока от дозы облучения, по их уменьшение более резкое. Уже при дозах (0,5-1,0)-10" нейтрон/см падает вдвое.

В диапазоне О-40 кГц дифференциальное сопротивление Ri магнитодиодов монотонно возрастает при частотах выше 2-3 кГц. Облучение увеличивает значение Ri и одновременно расширяет частотную область постоянства его относительной величины. Для Ф< 1,6-10" нейтрон/см значение параметра T=l/(2i:f,) (f, - граничная частота, на которой R увеличивается в 2 раза) достаточно близко к времени жизни неосновных носителей т в базе магнитодиода, найденному из ВАХ. При дальнейшем увеличении лозы облучения параметр Xf становится намного меньше т. Зависимости, описывающие изменение времени жизни неосновных иосптелей тока в базе под действием интегрального потока нейтронов с энергией 14 МэВ, представлены на рис. 3.17. Для доз меньше (1,4-1,8) • 10" нейтрон/см кривая хорошо аппроксимируется линейной зависимостью

1/- = 1/-о + т (3.9)

где К- - коэффициент радиационной деградации вре.мени жизни. Для рассматриваемого участка = (0,4-0,5) 10" cM/tieftTpoH • с. При дальнейшем увеличении дозы облучения К~ уменьшается. Достаточно хорошее совпадение полученной зависимости (3.9) с результатами работ, выполненных на монокристаллах высокоомного кремния, близкого к базовому материалу магнитодиодов [28], позволяет предположить, что облучение быстрыми нейтронами ЗЬ




32 4д 64 V" ro j нейтрон/см

Рис. 3.17. Зависимость величины Мх от дозы облучения

5,6 5,4- 7,2 Чх 10 нейтрон 1см

Рис. 3.18. Зависимость величины idjLY от дозы облучения нейтронами для двух магнитодиодов

преимущественно изменяет объемное время жизни неосновных носителей заряда, слабо влияя на рскомбинационные свойства поверхности. Это следует и из сравнения зависимостей (/1)2 = /(ф) (рис. 3.18) и !/т = ф(Ф). Сильная корреляция между ними дает возможность полагать, что именно уменьшением времени жизни неосновных носителей заряда в базе магнитодиодов в первую очередь вызвано изменение отношении dlL. Линейность 1/т = ф(Ф) при Ф<1,6-10" нейтрон/см показывает, что нейтронное облучение при этих дозах преимущественно изменяет объемную составляющую времени жизни. Следовательно, можно считать, что рассматриваемые изменения отношения dlL вызваны уменьшением объемной составляющей эффективного времени жизни неосновных носителей заряда.

Влияние гамма-квантов Со на параметры магнитодиодов. Облучение магнитодиодов гамма-квантами Со" проводилось при комнатной температуре. Интенсивность облучения составляла 100 рентген/с (1,6- 10" фотон/с • см).

Как при облучении нейтронами, так и при облучении квантами Соб« ВАХ магнитодиодов КД301 А-КД301Ж, КДЗОЗА- КДЗОЗЖ, снятых в отсутствие магнитного поля, смещаются в область больших напряжений [30]. При этом прямое напряжение магнитодиодов с меньшим начальным напряжением уменьшается сильнее, чем магнитодиодов с большим начальным напряжением. Для магнитодиодов КД301 А-КД301Ж прямое падение напряжения в рабочей точке (/ = 3 мА) описывается выражениями /7пр~ пр: f/np = t/°p (Ф/3,2. Ю)""" и [/np=l,2f/°p (Ф/1,610")0«« со--ответственно для доз Ф<3,2-10"; 3,2-Ю-Фб-Ю; и 1,6Х Х106<Ф<5- 107 фотон/см2.

Среднее квадратическое отклонение экспериментальных результатов от значений, вычисленных по предлагаемым формулам, для величины Uup/U", не превышает 187о- Изменение величины fnp/f/Op уменьшается с ростом U°. Прямой ток в рабочей точке



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28



0.0496
Яндекс.Метрика