{U„p~U°p) во Всем диапазоне доз уменьшается. Эта зависимость может быть аппроксимирована выражением /~ (3-0,63)lgx ,Х (Ф/10*) мА. С ростом дозы облучения у всех магнитодиодов возрастает обратный ток.

Изменение U„p при Ф<1,5-10« фотон/см т превышает ±30% от и. Зависимость прямого падения напряжения от дозы облучения описывается эмпирическими формулами

для доз 1,5-10в<:Ф<8-Юв фотон/см2;

£/„p=l.l5i/0p-f 4!g(Ф/1.5.10«) •

для доз 1,5-106<:Ф<8-10« фотон/см2;

/„р = 1.1.5t/Sp + 2.9 + 6.8 Ig (Ф/В-101«) для доз 8- 106<Ф<3-10 фотон/см2.

Относительная погрешность аппроксимации не превышает ±20%.

Для магнитодиодов КД304 зависимости относительной величины падения напряжения от дозы облучения лежат в области, ограниченной кривыми /, 2 на рис. 3.19. В исследованном интервале доз они могут быть аппроксимированы выражением

VSp = 4.46.I0-Mlg(Ф-5f-Ы]. (ЗЛО)

Зависимости относительного изменения токов в рабочей точке от дозы облучения для магнитодиодов КДЗОЗА-КДЗОЗЖ и КД304А-1-КД304Ж-1 (магнитодиод находился под постоянным напряжением U„p=iU° обеспечивающим до облучения ток 3 мА) имеют больший разброс по сравнению с аналогичными характеристиками при изменении напряжения. В большинстве случаев с ростом дозы облучения ток резко уменьшается. Однако встречаются образцы, для которых ток растет в 1,5-2,2 раза при дозах (1,5-3,0) • 10 Р. Уменьшение тока в 2 раза для всех магнитодиодов происходит при дозах (1,0-4,0) • 10 Р.

Рис. 3.19. Зависимость относительного изменения падения напряжения от лозы облучения гамма-квантами Со".

Кривые I, 2 ограничивают области экспели-ментальны; значений; 3-annpoKCHMBDvTOu;aH функция

/ 2 J

Ф>40\ (ротон/см

Рис. 3.20. Зависимость вольтовой магниточувствительности магнитодиодов КД301А-КД301Ж от дозы облучения гамма-квантами Со*"

Для диапазона интегральных потоков (1,5-3,0) • 10 фо-тон/см2 зависимость прямого тока от дозы облучения магнитодиодов КДЗОЗ может быть аппроксимирована зависимостью

/=/;(Ф„/Ф) (3.11)

где /q-ток после облучения потоком Фо==1,5-10 фотон/см;

=0,3-0,6. Этот коэффициент связан с начальным падением напряжения на магнитодиоде в рабочей точке 1У°р. Эта связь выражается в виде Л7 = 4,2/£7°р.

На рис. 3.20 приведена зависимость вольтовой магниточувствительности от дозыоблучения магнитодиодов КД301А-КД301Ж-Облучение уменьшает вольтовую магниточувствительность во всем диапазоне индукции магнитного поля. Зависимость усредненного значения относительной величины Tfy/Ty от дозы для В ==0,3 Тл описывается выражениями

•Гу/10>0,96 , • . .

для дозы Ф<:4-10* фотон/см;

Ти/Ги = 0.96[1 -0.141g(O/3.84.10")]

для доз 4 • 10*<:Ф<7 • 10 фотон/см2; Т,Уу?.=0.8[1-0.41 lg(O/7,2-10»)]

Для доз 7 • 10<Ф<5 • 107 фотон/см2.

Значение среднего квадратического отклонения между расчетными и экспериментальными результатами для величин Ту/Ти не превышает 147о при 5 = 0,3 Тл и 20% при 5 = 0,4-0,6 Тл.

Зависимость токовой магниточувствительности от дозы облучения качественно похожа на зависимость прямого тока. Однако Т/ (Ф) убывает быстрее. Доза, соответствующая Т Т?=50%, Ф = = (0,8-3,0) • 10б фотон/см2.

Зависимость вольтовой магниточувствительности от дозы облучения, магнитодиодов КДЗОЗА-КДЗОЗЖ приведена на рис.(3.21 (для удобства по оси ординат отложены приращения прямого падения напряжения в соответствующем магнитном поле). Зависимость (Ф) обычно имеет три характерных участка: 1) при облучении магнитодиодов дозами Ф<8-10 фотон/см наблюдается сильное уменьшение магниточувствительности при обоих направлениях вектора магнитной индукции (особенно В+). Средние значения Tt Tu=65% для В+ (носители отклоняются в глубь кристалла), y/if" =87% для В- 2) при дозах 8- Ю>5<ф<7- Юфо- тон/см2 магниточувствительность возрастает для обоих направлений вектора магнитной индукции. Рост для f более «затянут» по сравнению с ростол у-; 3) при больших дозах облучения 7Х • X 10.6<Ф<3 • 10" фотон/см2 происходит монотонное уменьшение . магниточувствительности. Доза, с которой начинается указанное уменьшение магниточувствительности для низковольтных магни-

о f Z 3

фхЮ JipomoH/CM

Рис. 3.21. Зависимость вольтовой магниточувствительности магнитодиодов КДЗОЗА-КДЗОЗЖ от дозы облучения гамма-квантами Со"

Рис. 3.22. Зависимость относительной вольтовой магниточувствительности магнитодиодов КД304А-1-КД304Ж-1 от дозы облучения гамма-кваитами Ccf при / = 3 мА и В=±0,3 Тл прямом 0% и обратном смещении

тодиодов (4-7 В), составляет примерно 7-10 фотон/см?, для высоковольтных магнитодиодов она возрастает и достигает значения 1,3-10 фотон/см2. Спад магниточувствительности происходит по некоторой степенной зависимости с отрицательным показателем степени. Однако для приближенных оценок возможна линейная аппроксимация, соответствующая выражению (3.3), где КЧ (1,6+0,7) • 10-« см2/фотон.

Зависимость токовой магниточувствительности от дозы облучения при дозах до 8-10 фотон/см бывает различной: наряду с монотонным уменьшением у некоторых образцов наблюдается первоначальный рост с последующим спадом. Среднее значение токовой магниточувствительности после облучения интегральным потоком 8 10 фотон/см составило 66% от первоначального. Оно возрастает с ростом индукции магнитного поля, например, если для fi = 0,3 Тл т,/Г° = 60%, то для В = 0,6 TлY/fУ = 71%.

Изохронный отжиг облученных магнитодиодов в диапазоне температур 60-260°С уменьшает Lnp в 1,5-2 раза, а Уи 10-40% от значения после облучения. При повышении температуры до 280-300°С происходит некоторое восстановление уу (ДО 90% от соответствующего значения после облучения).

Дозовая зависимость относительного изменения вольтовой магниточувствительности для магнитодиодов КД304А-1-КД304Ж-1 приведена на рис. 3.22. Облучение дозами до (2-7) • 10 Р вызывает значительное увеличение магниточувствительности магнитодиодов к обоим направлениям магнитного поля. Затем наблюдается заметный спад. Максимальное увеличение составляет 3,7 раза, минимальное 1,6 раза. При дозах свыше 1-10 Р появляется отрицательная магниточувствительность в поле В+.