Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Магнитоэлектроника

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [17] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

/ - длина коллекторных переходов; rf -расстояние между коллекторами; к, у-координаты точечного эмиттера. Остальные обозначения общепринятые. Для экспериментального определения участков коллекторов, которым соответствует наибольшее значение магниточувствительности при изменении напряженности электрического поля в базе, коллекторы планарного ДМТ разделены на отдельные участки (рис. 4.14,й). На этом же рисунке изображены зависимости выходного сигнала для каждого участка разделенных коллекторов ДМТ (включенного в схему датчика магнитного поля, рис. 4.14,6) от индукции магнитного поля при оптимальном значении напряженности электрического поля в базе. Наибольшая магниточувствительность приходится на средние уча-

К1 Kl КТ-

кг"

р+ /7+

кг К2


0,2 0,3

--- л

100 150 d>rD-°M

Рис. 4.14. Конструкция двух коллекторного магнптотранзнстора с разлслснпымп коллекторами (о), схема его включения (б) н экспериментальные завнснмостп амплитуды его выхо,1пого сигнала от магпптной индукции:

У-/" - включена одна из пар коллекторов; 2-коллекторы на каж.цой грани соединены вместе; о - зависимость 1.2 от расстояния между коллекторами при f7<, = 27 В



стки коллекторов К1", К2". Каждая из областей коллекторных переходов вносит вклад в магниточувствительность, поэтому при параллельных включениях всех областей выходной сигнал возрастает (кривая 2, рис. 4.14). Однако длину коллекторов увеличивать выше Lp не имеет смысла, так как инжектированные носители заряда до этой части коллектора не доходят вследствие рекомбинации в базе.

Зависимость чувствительности от расстояния между коллекторами имеет максимум (кривая 3, рис. 4.14). Причем dmax соответствует 0,5Lp. Это обусловлено тем, что пси уменьшении d уменьшается эффект перераспределения инжектированных носителей заряда между коллекторами, а при увеличении d растет рекомбинация носителей заряда в базе. Температурная зависимость выходного сигнала ДМТ определяется температурной зависимостью коллекторных токов в магнитном поле.

Токовая магниточувствительность ДМТ максимальна, когда угол между вектором плотности тока неосновных носителей заряда в базе транзистора и вектором магнитной индукции близок либо равен л/2, Зл/2 и практически обращается в нуль при углах, равных О, л, 2л.

Характер зависимостей вольтовой магниточувствительности от угла поворота ДМТ в магнитном поле при различных режимах работы аналогичен токовым зависимостям магниточувствительности. Максимальное напряжение между коллекторами соответствует направлению индукции магнитного поля, перпендикулярному вектору плотности тока неосновных носителей заряда в базе.

Приведенные в [48] экспериментальные данные подтверждают большую магниточувствительность ДМТ к нормальной составляющей магнитной индукции В, чем к тангенциальной Bj. Из этой работы также следует, что для структуры, представленной на рис. 4.14,6, доля потока, инжектированного эмиттером неосновных носителей заряда, распространяющаяся вглубь по нормали к поверхности ДМТ (чисто диффузионная составляющая), даеи пренебрежимо малый вклад в магниточувствительность по сравнению с результирующим потоком неосновных носителей вдоль электрического поля в базе транзистора (дрейфовая составляющая) .

4.5. ОДПОПЕРЕХОДНЫЕ МАГНИТОТРАНЗИСТОРЫ

В настоящее время предложено и частично реализовано больпюс число разнообразных многоконтактных полупроводниковых гальваиомагнитных приборов на основе магнитодиодного эффекта [7]. Увеличение числа электродов открывает дополпи-тельпыс возможности управления неравновесной проводимостью полупроводников и новые области их применения. Однопсреход-ный магнитотрапзистор или двухбазовый магнитодиод является одним пз этих приборов [49]. 56



п \ Б1


3 и,,в

. Рис. 4.15. Структуры о.цно-переходных магнитотранзисторов

Рис. 4.16. Семейство ВАХ база - база симметричного однопереходиого магни-тотраизистора в различных магнитных полях при {/эб = 0,43 В

Однопереходный магннтотраизистор представляет собой трехэлектродный прибор с одним р -п-переходом между двумя омическими контактами (рис. 4.15). Переход р-п включается в прямом направлении и создает неравновесную проводимость, которая зависит от магнитного поля. В обеих цепях однопереходиого магнитотранзистора существуют области отрицательного сопротивления: в цепи эмиттер -база 5-типа, в цепи база - база N-ттг.

Одиопереходные магнитотраизисторы называются симметричными, когда р-п-переход расположён в середине межбазовой (Б1-£2).области, и несимметричными, когда р-п-переход смещен. Если в обычных однопереходных транзисторах dIL имеет мпнимальное значение для обеспечения наилучших переключающих свойств, то в однопереходном магнитотранзисторе это отношение должно быть достаточно большим для проявления магнитодиодного эффекта.

В основе работы однопереходиого магнитотранзистора лежит принцип модуляции сопротивления нижней части базы /?6i неосновными носителями заряда, инжектированными из эмиттера., Поперечное магнитное поле, как и в «длинных» диодах (Э-Rt\ - /-структура подобна «длинному» диоду), может отклонять носители к боковым граням базы и тем самым уменьшать их диффузионную длину, а следовательно, и глубину модуляции сопротивления Ren [16, 69].

При работе магнитотранзистора в режиме постоянного тока /об-напряжение включения ?7вкл=/сб/? (/? = р 5 - исходное сопротивление нижней части базы при отсутствии инжекции из эмиттера) и остаточное напряжение f/ост с ростом индукции магнитного поля увеличиваются. При этом Наст увеличивается значительно сильнее, так как его рост обусловлен увеличением /?r,i за счет одновременного уменьшения подвижности и длины диффузионного смещения неосновных носителей заряда Lр. Для увеличения зависимости Lp от магнитной индукции (следовательно, и f/ocT от магнитной индукции) на поверхности нижней части



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [17] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28



0.0089
Яндекс.Метрика