Магнитоэлектроника. Электрика в авиации и промышленном авиастроении

Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru

Главная Биографии Моторы Самолеты Гибриды Вертолеты Оружие

Что такое подводный самолет Могжно ли создать летающие тарелки Для чего нужны фигурные полеты От чего зависит надежность самолетов Есть ли невидимые самолеты Что такое санитарная авиация Что такое самолеты вертикального взлета

Главная -> Магнитоэлектроника

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [27] 28

Таблица П.2

Тин прибора

Постоянное прямое напряжение Vр. В,

при /р = 3 мА, В

Вольтовая маги /р. = 3 мА, В =

иточувствительность f, В/Тл, при 0.3 Тл и температуре, °С, не менее

Разность магниточувствительностей 4ly=T+-i-, В/Тл при /,=3 мА, В =

=0„3 Тл и температуре, "С, не менее

Максимальное отклонение Vр, В. от температурил, °С

-60+2

25+2 1 1оО±2

-60±2 1 25±2 1 1П0±2

-60±2

100±2

КДЗОЗА КДЗОЗБ КДЗОЗВ КДЗОЗГ КДЗОЗД КДЗОЗЕ КДЗОЗЖ

4.0- 5,1

5.1- 6,1 6.1- 7,1 7,1- 9,1 9,1-11,1

11,1-13,1 13,1-15,1

20 20 40 45 45 52 60

10 10 20

30 30 35 40

7 7 !3 15 15 17 20

3 3 5 10 10 10 10

2 2 3 5 5 5 5

-1.5 -1.5

-2 -3 -3 -3 -3

-1-1 + \ + \ + 1.5 + 1,5 + 1.5 + 1,5

Таблица П.З

Тип прибора	Постоянное прямое напряжение Up, В, при yj= 3 "А	Вольтовая магниточувствительность т, В/Тл, при г = 3 мА. В = 0.3 Тл и температуре, °С, не менее			Ра.чность магниточувствительностей ЛТ1 = %~-t+f ВПл, прн / = ЗмА. В = = 0,3 Тл и температуре, °С, не менее			Максимальное отклонение Up В, от температуры. "С
Тип прибора	Постоянное прямое напряжение Up, В, при yj= 3 "А	-ба+2	25 + 2	85 3:2	-60±2	25±2 1	85±2	-60±г	85±2
КД304А-1	4,0- 5,1							-1,5
КД304Б-1	5,1- 6,1							-1,5
КД304В-1	6,1- 7,1
КД304Г-1	7.1- 9,1
КД304Д-1	9.1-11,1
КД304Е-1	11.1-13.1		, 40
КД304Ж-1	13,1-15,1

Таблица ПА

Тип прибора	Постоянное прямое напряжение Up, В. при 1рщ=3 мА	Вольтовая магниточувствительность, t, В/Тл при / = 3 мА, В = 0,3 Тл и температуре, "С, не менее			Максимальное отклонение Up. В, от температуры, "С
Тип прибора	Постоянное прямое напряжение Up, В. при 1рщ=3 мА	-60+2	25±2	85±2	.60+2	85±2	25+2
КД304А1-1	3,8- 6,2
КД304Б1-1	5,8- 7,2
КД304В1-1	6,8- 9,2
КД304П-1	8,8-11,2
КД304ДГ-1	10,8-13,2
КД304Е1-1	12,8-15,2
КД304Ж1-1	14,8-20,2

Таблица П.5

Параметр	КД301А-КД301Ж	КДЗОЗА-КДЗОЗЖ	КД304А-1-КД304Ж-1	КД304А1-1-КД304Ж1-1
Диапазон частот
Д/, кГц
Максимально до-
пустимая мощ-
ность Ртах, мВт:
Г = 60±25°С
Г---85С
Максимально до-
пустимое обрат-
ное напряжение
Up, В, при /r=
= 500 мкА
Максимально до-
пустимый обрат-
ный ток /Ьбр max.
мА, при 4/р=35В
Температурный ра-
бочий диапазон.
"С

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Вайсе Г. Физика гальваиомагнитных полупроводниковых приборов и их применение.-М.: Энергия, 1974.-384 с.

2. Хомерики О. К. Применение гальваномагнитных датчиков в устройствах автоматики и измерений.- М.: Энергия, 1971.- 174с.

3- Ларчеико А. Н. Управляемые полупроводниковые резисторы. - М.: Энергия,

4. Пикус Г. Е. Термо- и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках при учете изменения концентрации носителей тока ЖТФ. - 1956. - № 26.- С, 22.

5. А. с. 213194 СССР. MKHHOIL 45/00. Полупроводниковый прибор/В. И. Стафеев.-Опубл. 1968. Бюл. № 10,

6 Стафеев В. И. Модуляция длины диффузионного смещения как! новый прин-

действия полупроводниковых приборов ФТТ, 1959.- №1. -С. 1841.

7 Стафеев В. И., Каракушаи Э. И. Магнитодноды. - М.: Наука, 1975. - 216 с.

8 Викулии И.М., Стафеев В. И. Полупроводниковые датчики.- М.: Сов. ра-

дно, 1975. - 103 с.

9 Егиазарян Г. А., Мнацакаиян Г. Д., Мурыгин В. И., Стафеев В. И. Кремниевые магнитодноды, чувствительные к направлению магнитного поля ФТП. -

1975. -Т. 9, Ко 7. -С. 1252-1259. •

10. Паринов Е. П., Кружанов Ю. В. Магнитодноды КД301А,.. КД301Ж и их применение Электронная промышленность. - 1973. - № 3. - С. 44.

И. Егиазарян Г. А., Караушан Э. И., Мурыгии В. И. и др. Кремниевые магнитодноды с полярной магниточувствительностью ФТП.- 1978. -• Т. 12, № П. -С. 2270-2273.

12 Aral М., Yamada G. Silicon Magnetodiode Supplement to the J. Jap. Soc. Appi. Phyb.-19711.-Vol. 40.-P. 93.

13. Егиазарян Г. Д., Миацаканян Г. Д. Магнитодноды с; различной чувствительностью к направлению магнитного поля ПТЭ. - 1979. - № 1. - С. 269.

14. Пат. 482301 Швейцария, МКИ HO1L9/00. Полупроводниковый прибор ci управляемой рекомбинацией электронов и дырок в области i-проводимости / Янч О., Нитше Е.

15. Технология ионного легирования / Под ред. С. Намбье. - М.: Сов. радио, 1974 -214 с.

16. Алексеев Ю. Д., Дидеико Т. И., Зуев В. А. Поверхностная рекомбинация в кремнии при различных состояниях поверхности Укр. физ. журнал.-

1976. - Т. 21, № 5. - С. 755-762.

17. Балк П., Элдридж Ж. Стабилизация фосфорсиликатных стекол в технологии МДП-приборов ТИИЭР.- 1969. -Т. 57, № 9. - С. 108-113.

18. Jwauchi S., Тапака Т. Characteristics of Silicon-Silicon Dioxide Structures Formed by DC Reactive Sputtering Jap. Appl. Phys. r- 1968. -Vol. 7, N 10.- P. 1193.

19. Багдасаров X. С, Воробьев Л. В., Маркарьянц А. Е. и др. Диэлектрические свойства тонких пленок AI2O3 Электронная техника. Сер.. 14. Материалы.- 1970. -Вып. 2. -С. 72.

20. Егиазарян Г. Д., Маивелян Ю. С, Миацаканян Г. Д., Саркисян Д. С. Магнитодиод КД304 - простейшая функциональная схема Электронная промышленность. - 1980. - Вып. 1. - С. 42-44.

21. Егиазарян Г. Д., Саркисян Д. С. Датчик магнитного поля ПиСУ. 1980.- № 9. - С. 28-30.

22. Стафеев В. И. Прямая ветвь ВАХ несимметричного диода ФТП, 1961.- Т. 3. -С. 193.

23. Егиазарян Г. Д., Мнацакаиян Г. Д., Саркисян А. С. Некоторые свойства • кремниевых магнитодиодов Изв. АН АрмССР. Физика. - 1981. - Т. 16.-

С 222-225.

24. Егиазарян Г. Д., Саркисян Д. С. Температурная зависимость параметров кремниевых планарных магнитодиодов Изв. АН АрмССР. Физика. - 1982. -Т. 17. - С. 277-281.

25. Егиазарян Г. Д., Каракушан Э. И., Мурыгин В. И. и др. Влияние воздействия малого переменного магнитного поля на характеристики планарных магнитодиодов ФТП. - 1978. - Т. 12. Ко 7. -С. 1273-1279.

26. Гасанов Л. С, Кружанов Ю. В. Частотные свойства магнитодиодных датчиков для магниточувствительных ИС Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Сб. статей.- М.: Сов. радио. 1977. - Вып. 2. - С. 229.

27. Гасанов Л. С, Карба Л. П., Поровский Г. С, Соколов Ю. И. Шумовые свойства и пороговая магниточувствительность кремниевых магнитодиодов Изв. вузов СССР. Приборостроение.- 1982. -Т., 25, № 10. -С. 57-59.

28. Козеико И. Д., Семенюк Д. К-, Хиарич В. И. Радиационные эффекты в кремнии. - Киев; Наукова думка, 1974.- 114 с.

29. Карапатиицкий И. Д., Егиазарян Г. Д., Каракушан Э. И. и др. Влияние нейтронного облучения на свойства кремниевых магнитодиодов ФТП. - 1979. -Т. 6, № 6. -С. 1242.

Текущие цены на empty legs зависят от уровня самолета и наличия возвратного рейса.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [27] 28

0.0072