Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Конструктирование оптикоэлектронной аппаратуры

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 [69] 70 71 72 73 74 75 76 77 78

приборы находят широкое применение как в приборостроении, так и в бытовой технике.

Широкое использование ПЗСИ обусловливает их возрастающий объем производства во всем мире, превышающий 700 млн. приборов в год. Сказанное позволяет сделать вывод о том, что разработка рассматриваемого класса оптоэлектронных приборов достигла зрелого состояния.

Рассматривая ретроспективно результаты долгосрочного прогнозирования тенденций развития ПЗСИ, систематизированного в работе [143], можно сделать следующие выводы.

Основные задачи первого периода развития ПЗСИ (;1973- 1978 гг.) в основном были выполнены: разработаны цифро-знако-вые индикаторы, индикаторы для ручных часов- и микрокалькуляторов; расширился диапазон используемых материалов; помимо твердых растворов GaAsi-xP стали широко использоваться высокоэффективные гетероструктуры на основе твердых растворов-AljcGai-jcAs. Одновременно с этим не оправдался прогноз в отношении твердых растворов lui-xMxP, что связано с серьезными технологическими трудностями синтеза этих материалов.

Успешно была решена также и часть задач второго периода развития ПЗСИ (1978-1987 гг.): разработаны многоэлементные матричные индикаторы, позволяющие отображать как графическую, так и символьную информацию; расширились возможности цветового кодирования информации. Вместе с тем до настоящего времени осталась нерешенной проблема синергетического объединения методов интегральной оптики и технологии полупроводниковых микросхем, которое позволило бы создавать монолитные приборы, сочетающие функции визуального отображения информации и ее обработки. Осталась нерешенной проблема полупроводниковых космоцветных ПЗСИ, в том числе и более узкая задача разработки приборов, излучающих в сине-голубой области спектра.

Вопреки прогнозам до настоящего времени оказались непреодоленными технологические трудности получения р-п структур на основе соединений А"В, Ga.N и его твердых растворов. Вместе с тем наметившийся в последнее время прогресс в области получения эффективных р-п структур на основе SiC позволяет надеяться на то, что в течение ближайших лет будут разработаны эффективные приборы, излучающие в сине-голубой области спектра.

Частичная неудача прогноза 1973 г. заставляет с осторожностью относиться к долгосрочному прогнозированию достижения принципиально важных результатов в развитии ПЗСИ. Это обусловлено необходимостью учета многих факторов, связанных с проблемами и достижениями ряда смежных областей науки и техники (физика полупроводников, полупроводниковОе материаловедение и технология полупроводниковых структур), синергетически взаимодействующих между собой. Одновременно с этим основные тенденции развития рассматриваемого клзоса полупроводниковых приборов можно прогнозировать достаточно уверенно.

8* 211



Во-первых, это относится к ул-учшению основных технико-эко-«омических показателей ПЗСИ. Дальнейшее увеличение удельной силы света, в особенности у индикаторов, излучающих в спектральном диапазоне от оранжевой до зеленой области спектра, позволит, с одной стороны, увеличить их контрастность, а с другой - сделает возможным уменьшить энергопотребление прибора. Это, в свою очередь, в сочетании с углублением существующих представлений об особенностях процессов деградации в полупроводниковых структурах позволит существенно увеличить ресурс ПЗСИ.

Во-вторых, будут по-прежнему предприниматься значительные усилия по расширению цветовой гаммы, отображаемой ПЗСИ.

В-третьих, создание информационно-емких ПЗСИ, совмещенных со схемами управления, в сочетании с определенными успехами, достигнутыми в области интеграции светоизлучающих и управляющих элементов, сформированных на подложках соединений А™В\ позволяет в реальном плане ставить проблему «разумных» индикаторов. Логическим завершением этого направления должно явиться создание полупроводникового экрана.



ПРИЛОЖЕНИЕ I • -

ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ At"BV

Параметр

GaAs

AlAs

Молярная масса Рт, г

145,80

144,63

101,89

100,70

Молярный объем Vm, см-

30,40

27,15

28,32

24,36

Плотность 6, г/си

4.787

5,307

3,598

4.130

Постоянная решетки ао, нм

0.5869

0,5642

0,5661

0,5450

Температурный коэффициент расширения -

4,5-10-е

6,0-10-e

5,2.10-«

5,3.10-e

Температура плавления вт, К

1370

1538

2040

1767

Температура Дебая, вд, К

Теплопроводность %г, Вт/(смК)

0,54

0,08

Диэлектрическая проницаемость: статическая во

12,35

12,79

10,90

11,10

оптическая 8„о

9,52

10.90

8,90

Относительный показатель лреломления Пг

3.40

3,61

3,30

3.46

Ширина запрещенной зоны при 77 К Eg, эВ

1,414

1.514

2.230

2,330

Ширина запрещенной зоны прн 300 К, эВ

1,351

1,428

2,150

2,260

Температурный коэффициент запрещенной зоны

-2,8-10-*

-3,9-10-2

-3,6-10-5

-3,1.10-4

Эффективная масса дырок в валентной зоне: легкие ntip тяжелые тпр

проводимости Отр - - -плотности состояний тр

0.078» 0,50» 0.39 0.52*

0.088 0,47 0,36 0,50

0,26* 0,50* 0,40 0.62*

0.34* 0.68* 0.52- 0.78



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 [69] 70 71 72 73 74 75 76 77 78



0.0172
Яндекс.Метрика