Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Конструктирование оптикоэлектронной аппаратуры

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [73] 74 75 76 77 78

Длина волны X, нм

Значение Ф

С 1

157,98

102,20

87,80

83,7

161,51

103,05

87,99

81,8

165,03

103,90

88,20

80,0

168,51

104,59

88,20

80,1

171,96

105,00

87,90

80,2

175,38

105,08

87,22

81,2

178,77

104,90

86,30

82,3

182,12

104,55

85,30

80,3

185,43

103,90

84,00

78,3

188,70

102,84

82,21

74,0

191,93

101,60

80,20

69,7

195,12

100,38

78,24

70,7

7-00

198,26

99,10

76,30

71,6

201,36

97,70

74,36

73,0

204,41

96,20

72,40

74,3

207,41

94,60

70,40

68,0

210,36

92,90

68,30

61,6

213,26

91,10

66,30

65.8

216,12

89,40

64,40

69,9

218,92

88,00

62,80

72,5

221,66

86,90

61,50

75,1

224,36

85,90

60,20

68,9

227,00

85,20

59,20

63,3

229,58

84,80

58,50

55,0

232,11

84,70

58,10

46,4

234,59

84,90

58,00

56,6

237,01

85,40

58,20

66,8

239.36

86,10

58,50

65,1

241,67

87,00

59,10

63,4



список ЛИТЕРАТУРЫ

1. ГОСТ 25066-81. Индикаторы знакосинтезирующие. Термины и определения.

2. Коган Л. М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды.-М.: Энерго-атомиздат, 1983,-207 с.

3. Алферов Ж. И., Гарбузов Д. 3. Инжекционная люминесценция эпитаксиальных гетеропереходов в системе AlAs-СаА8 Физика твердого тела.- 1967. -Т. 9, № 1. -С. 279.

4. Dean Р. J., Gershenzon М., Kamisky G. Green Electroluminescence from Gallium Phosphide near Room Temperature J. Appl. Phys. - 1967. - Vol. 38, № 13. - P. 5332-5342.

5. Rosenzweig W., Logan R. A., Wiegman W. Variable hue GaP Diodes SoIid State Electronics.-1971. -Vol. 14, N 6. -P. 655-660.

6. Groves W. O., Herzog A. H., Craford M. G. The Effect of Nitrogen Doping on GaAsi-xPx i£lectroluminescent Diodes J. Appl. Phys. Lett. - 1971. - Vol. 19, № 6. -P. 184-186.

7. Гетеросветодиоды красного цвета свечения на основе твердых растворов Gai iAliAs с внешним квантовым выходом 4,0%/Д. В. Галченков, Л. М. Коган, С. А. Бондарь и др. Письма в ЖТФ. - 1977. - Т. 3. -Вып. 15. -С. 736-741.

8. Быстрое Ю. А., Литвах И. И., Персиаиов Г. М. Электронные приборы для отображения информации. - М.: Радио и связь, 1985.- 238 с.

• 9. Горфинкель Б. И., Коровкин А. И. Современное состояние и перспективы развития вакуумных люминесцентных индикаторов Электронная промышленность.-1982. -Вып. 5-6. -С. 77-81.

10. Биндра А. К. Увеличение размеров и яркости и улучшение параметров индикаторных панелей Электроника. - 1984. - Т. 57, № 6.- С. 25-40.

11. Газоразрядные индикаторные панели/В. Г. Карпов, В. С. Карпухин, Н. Г. Кашников, А. Б. Покрывайло Электронная промышленность, - 1982. -Вып. 5-6. -С. 63-67.

12. Кочкина Л. С, Першин Г. Г., Родкин М. А. Тонкопленочиый матричный электролюминесцентный экран большого размера Электронная промышленность.-1982.-Вып. 5-6. С. 103-104.

13. Горфинкель Б. И., Севостьянов В. П., Попов А. И. Состояние и перспективы развития жидкокристаллических индикаторов Электронная промышленность. - 1982. - Вып. 5-6. - С. 3-7.

14. Берг А., Дин П. Светодиоды/Пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. - М.: Мир, 1979.-686 с.

15. Мс. Cormick Е. J. Human Factors Engineering. - N. Y.: McGraw Hill, 1970. - 166 p.

16. Абрамов В. С, Сушков В. П., Юрков С. И. Применение индикаторов на борту летательных аппаратов в зависимости от условий внешней освещенности.- М.: ЦНИИ «Электроника», 1978 -36 с.- (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 2).

17. Бори М., Вольф Э. Основы оптики. -М.: Наука, 1973. -224 с.

18. Hilsum С. А. Constructive Philosophy on Display Research 1EEE Trans.- 1977. -VoL ED-24, № 7.-P. 791-795.

19. Сушков В. П. Многоэлементные полупроводниковые индикаторы Элект-ронная промышленность - 1982.- Вып. 111-112. - С. 31-41.

20. ОСТ llaA0.336.010-77. Приборы полупроводниковые излучающие. Система параметров.

21. Archer R. J. Materials for Light Emitting Diodes J. Electronic Materials.- 1972. -VoL 1, № 1. -P. 128--154.

22. Фок M. B. Свойства электролюминесценции как проявление отклонения астемы от термодинамического равновесия Тр. ФИАН. - 1983.-Т. 138.-

23. Алферов Ж. И., Халфин В. Б., Казаринов Р. Ф. Об одной особенности инжекции в гетеропереходах Физика твердого тела. - 1966. - Т. 8, № 10.- С. 3102-3106.



24. Ермаков О. Н. Влияние температурных эффектов иа характеристики полупроводниковых источников излучения.--М.: ЦНИИ «Электроника», 1987.- Ч. П. - 53 с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 1)

25. Ермаков О. Н: Влияние температурных эффектов на характеристики полупроводниковых источников излучения. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1986.- Ч. 1. - 70 с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 5 (1193))

26. Ермаков О. Н. Особенности пробойной электролюминесценции р-п струк-тур Электроииая техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1987. - Вып. 4. -С. 20-26.

27. Соколов Е. В., Колесник О. Л. Электролюмииесцеитные приборы на основе униполярных полупроводииков Зарубежиая электронная техника. - 1976.- № 12. -С. 3-31.

28. Цидильковский И. М. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика. - М.: Наука, 1972. - 640 с

29. Neuberger М. Handbook of Electronic Materials, Vol. 2. Ill-V Semiconducting Compounds. - N. Y.: IFI/Plenum, 1971. -ill5 p.

30. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 1973.- 456 с.

31 Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа АЧ1ВУ)/Под ред. Р. Уиллардсоиа и А. М. Вира. -М.: Мир, 1970.- 488 с.

32. Пихтин А. Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых раство-рах Физика и техника полупроводников.- 1977. - Т. 11, Ns 3. - С. 425- 454.

S3. Energy Band-gaip and Lattice Constant Contours of 111-V Quaternary Allo-ys/T. H. Glisson, J. R. Hauser, M. A. Littlejohn et al. j: Electronic Materials. - 1978. - Vol. 7, № 1. -P. 1-16,

34. Roessler D. M., Tao-Yuan Wu. New Observations on Near Bande-.dge Luminescence in Gallium Arsenide Phosphide (GaAsi j;Pi) Applied Physics Letters.- 1974. -Vol. 25, № 12. -P. 718-720.

35. Ермаков О. Н. Локальные, структурные и композиционные эффекты в физике и технологии оптоэлектронных приборов.-М.: ЦНИИ «Электроника», 1987. - Ч. 1 - 65 с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 5).

36. Баранский П. И., Городничий О. П., Савчук А. У. Определение эффекткв ной массы плотности состояний электронов и количества основных минимумов энергии в зоне проводимости фосфида галлия Физика и техника полупроводников.- 1976. -Т. 10, № 8. -С. 1567-1569.

37. Марончук Ю. Е., Якушева Н. А. Электрические свойства твердых растворов AliGai-iAs, легированных теллуром Физика и техника полупроводников. - 1976.-Т. 10, № 7. -С. 1349-1359.

38. Ермаков О. Н. Оптоэлектроииые приборы иа основе твердых растворов в системе In-Ga-Р-As. - ЦНИИ «Электроника», 1984. - Ч. 1. - 64 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 3).

39. Kressel Н., Nelson Н. Properties and Applications of III-V Compound Films Deposited by LPE Physics of Thin Films. - N. Y; London,: Academic Press.- 1973.-VoL 7. -P. 115-256.

40. Структура энергетических зон твердых растворов Gailnj-iP и Са:,1п1 :сР1-г;Азг,/Ж. И. Алферов, И. Н. Арсентьев, Д. 3. Гарбузов, В Д. Румяицев Физика и техника полупроводников, 1977. -Т. П. - Вып. 12.-

С. 2330-2336.

41. Алферов Ж. И., Гарбузов Д. 3. Люминесценция твердых растворов арсе-; нида алюминия - арсенида галлия Изв. АН СССР. Сер. физическая. -

1973. -Т 37, № 3. -С. 651-658.

42. Hakki В. W. Theory of Luminescent Efficiency of Ternary Semiconductors J. Appl. Phys. -1971. -Vol. 42, № 12. -P. 4981-4995.

43. Pantelides S. T. The Electronic Structure of Impurities and Other Point Defects in Semiconductors/ZRev. Modern Phys. - 1978.-Vol. 50,.4. -P. 797-85Й.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [73] 74 75 76 77 78



0.012
Яндекс.Метрика