Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Конструктирование оптикоэлектронной аппаратуры

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 [74] 75 76 77 78

44. Saxena A. К- Deep levels in Gai-iAUAs under Pressure Appl. Phys. Letts.- 1980. -Vol. 36, № 1. -P. 79-81.

45. Ермаков О. Н., Сушков В. П. Влияние дислокационной структуры и характера примесного легирования на излучательные характеристики твердых растворов А1ИВ Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1987.-Вып. 4 (190). -С. 27-34.

46. Masu К., Konagai М., Takahashi К- Acceptor Energy Level for Zn in Ga, xAl:,As J. Appl. Phys. - 1980. - VoL 51, № 2. -P. 1060-1069.

47. Stringfellow G. В., Linnebach R. Photoluminescence of Shallow Acceptors in Epitaxial AlxGai ,cAs J. Appl. Phys. - 1980. - VoL 51, № 4. -P. 2212- 2217.

48. Mukai S., Makita Yu, Gonda S. Doping and Electrical Properties of Mg in LPE ALGai xAs J. AppL Phys. - 1979. - VoL 50, № 3. -P. 1304-1307.

49. Шкловский В. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979. - 416 с.

50. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. - М.: Мир, 1976. -4в1 с.

51. Берндт В., Копылов А. А., Пихтии А. Н. Оптические свойства и энергетический спектр доноров в GaiIni ,cP OH3HKa и техника полупроводников.- 1977. -Т. 11, № П. -С. 2206-2209.

52. Елисеев П. Г., Манько М. А. Энергетический спектр сильно легированного арсенида галлия по данным электролюминесценции р-и-переходов Тр. IX Междунар. конф. по физике полупроводников. -Л.: Наука, 1967.- Т. L - С. 119-123. .

53. Леванюк А. П., Осипов В. В. Теория люминесценции сильно легированных компенсированных невырожденных полупроводников Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т. 7, № 6.- С. 10691080.

54. Гарбузов Д. 3., Халфин В. Б., Трукан М. К. Температурная зависимость эффективности и времени излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа СаА5 Физика и техника полупроводников.- 1978.- Т. 12, № 7. -С. 1368-1379.

55. Юнович А. Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлня Излучательная рекомбинация в полупроводниках.,--М.: Наука, 1972. -С. 224-297.

56. Bindemann R., Schwabe R., Hansel Т. The Quasidirect Radiative Recombination of Free Holes at Neutral Shallow Donors in GaP Physica Status Solidi (b). - 1978. -VoL 87, № 1. -P. 169-177.

57. Thomas B. W., Rees G. L., Wight D. P. Light Generation in Diffused GaP Light Emitting Diodes (LEDs) Solid State Electronics. - 1980. - Vol. 23.- P. 611-619.

58. Bachrach R. Z., Joyce W. В., Dixon R. W. Optical-Coupling efficiency of GaP:N Green Light-emitting Diodes J. AppL Phys. - 1973. - Vol. 44, № 12. -P. 5458-5*462.

59. P. D. Dapkus, W. H. Hackett, O. G. Lorimor, R. Z. Bachrach. Kinetics of Recombination in Nitrogen-doped GaP J. Appl. Phys. - 1974, -Vol. 45, № 11. -P. 4920-4930.

60. Mariette H., Chevallier J. Luminescence and Direct Experimental Observations of Band-structure Effects in Nitrogen-doped Gailni-P Alloys J. AppL Phys. - 1977. - VoL 48, № 3. - P. 1200-1205.

61. Абдуллаев A., Агафонов В. Г., Андреев В. М. Эффективность излучательной рекомбинации в твердых растворах ALGai-As, легированных гер-манием Физика и техника полупроводников. - 1977. -Т. П. -Вып. 2.- С. 272-279.

62. Heath D. R., Stewart С. Е. Cathodoluminescence Assessment of GaAsi :cPx for Light Emitting Diodes Solid State Electronics.-1972. -Vol. 15. -P. 21-26.

63. Takeshima M. Disorder-enhanced Auger Recombination in III-V Alloys J. Appl. Phys. - Ю78. - VoL 48, № 12. - P. 21-26.

64. Абдуллаев A. Внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в прямозонном полупроводнике типа GaAs: Дне.... канд. физ.-мат. наук. Кишинев, 1980.- 110 с.



65. Van der Does de Bye I. A. W., Blok L. Minority carrier lifetime of GaAsi-.vPwVJ. Luminescence. - 1976. - Vol. 14, № 1. -P. 101-113.

66. Абакумов В, Н., Яссиевич И. Н. Оже-рекомбинация в кремиик Физика и техника полупроводников. - 1977. -Т. 11, № 7.- С. 1302-1310.

67. Dean Р. J. Electroluminescence in Semiconductors J. of Luminescence.- 1976, -VoL 12/13. -P. 83-95,.

68. Werkhoven C, Van Opdorp C, Vink A. T. Influence of Crystal Defects on the Luminescence of GaP Philips Technical Rev.- 1978/1979. -Vol 38, № 2. -P. 41-50.

69. The Effect of Dislocations in Gai a:Al»:As : Si Light Emitting Diodes/R. J. Roedel, A. R. Von Nieda, R. Caruso, L. R. Dawson J. Electrochem. Soc- .1979. -Vol. 126, № 4. -P. 638-641.

70. Dimitridas C. A., Huang Т., Davidson S. H. SEM Cathodoluminescence Studies of Dislocation Recombination in GaP SoIid State Electronics. - 1978.- VoL 21.- P. 1419-1423.

71. Быстрицкий A. В., Малюков Б. A., Маркова Т. И. Микроструктура и излучательные свойства эпитаксиальных слоев СаАзР Электроиная техника. Сер. 6, Материалы. - 1978.- Вып. 6. - С. 43-47.

72. Lang D. V., Logan R. А. Large-Lattice-Relaxation Model for Persistent Photoconductivity in Compound Semiconductors Phys. Rev. Letts. - 1977. - Vol. 39, № 10. - P. 635-639.

73. Craven R. A, Finn D. The Sulfur-r«lated Trap in GaAsi xP:c J. Appl. Phys.--1979. -Vol. 50, vNb 10. -P. 6334-6343.

74. Lang D. v., Logan R. A. Trapping Characteristics and a Donor-complex (DX) Model for the Persistent-photoconductivity trapping center in Te-doped AlxGai As Phys. Rev. В.- 1979. -Vol 19, № 2. -P. 1015-1030.

75. Носов Ю. P. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режпме. - М.: Наука, 1968. -263 с.

76. Сушков В. П. О подвижности неосновных носителей в вырожденном ар-сениде галлия Фпзика твердого тела.- 1966.-Т. 8, № 11. - С. 3431- 3432.

77. Абдуллаев А., Агафонов В. Г., Андреев В. М. Зависимость эффективности излучательных переходов от состава для прямых твердых растворов AIGaAs п- и р-типа Физика и техника полупроводников.- 1977.- Т. 11, № 3. -С. 481-487.

78. Ogirima М., Kurata К- Effect of Donor Concentration on Several Properties of Gallium Arsenide Phosphide Japanese J. Appl. Phys.- 1972.-Vol. 11, № 3. -P. 331-337.

79. Ермаков О. Н., Сушков В. П. Оптимизация светоизлучающих структур в рамках многопараметрической модели. Прямозонные твердые растворы Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1987. - Вып. 1. -С. 62 72,

80. Ермаков О. Н., Сушков В. П. Оптимизация светоизлучающих структур в рамках многопараметрической модели. Непрямозоииые материалы Элек-троииая техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1987. - Вып. 1.- С. 72-81.

81. Ермаков О. Н., Сушков В. П. Получение легированных азотом эпитакси-сиальных слоев тверды. растворов Ini-.Ga.tPi-rAsz и исследование их люминесцентных свойств Э.-.сктронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы.- 1978.- Вып. 7. -С. 51-56.

82. Campbell J. С, Holonyak N. Jr., Craford М. G. Band Structure Enhancement and Optimization of Radiative Recombination in GaAsi xP:c: N (and ln, :,Ga,P :N) J. of .Appl. Phys. - 1974. -Vol 45, № 10.-P. 4543- 455.3,

83. High Efficiency GaP Green LEDs with an External Quantum Efficiency of 0.5"/o/M. Iwamoto, M. Tashiro, T. Beppu, A. Rasami IEEE Trans. - 1979.- Vol. ED-26, № 8,-P. 128-132.

84. Андреев В. М., Долгииов .Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологпп полупроводниковых приборов.- М.: Сов. радио, 1975.- 327 с.



85. Ермаков О. Н. Получение твердых растворов Ini-aGaP, Ini iGaa:Pi ,As, и многослойных структур на их основе. М.: ЦНИИ «Электроника», 1982.- 56 с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые, приборы; Вып. 5).

86. Foster L. М., Woods J. F. Thermodynamical Analysis of the III-V Alloy Semiconductor Phase Diagrams J. Electrochem. Soc. - 1971. - Vol. 118.- P. 1175-1180.

87. Sankaran R., Antypas G. A., Moon R. L. Growth and Characterization of InGaAsP-InP Lattice Matched Heterojunctions J. Vacuum Science . and Technology.-1976. -VoL 13. -P. 932-937.

88. Аксенов В. Ф., Ермаков О. Н., Игнаткина Р. С. Влияние давления пара фосфора на излучательные характеристики структур на основе GaP, полученных методами жидкофазной и газофазной .9питаксии Изв. АН СССР. Сер, Неорганические материалы. - 1984. - Т. 20, № 9. -С. 1429-1433.

89. Stringfellow G. В. The Importance of Lattice Mismatch in the Growth of GalnP Epitaxial Crystals J. Appl. Phys. - 1972.- Vol. 43. -P. 3455-3460.

90. Абрамов A. В., Арсентьев И. Н., Мишурный В. А. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов 1п. :,СагР Письма в ЖТФ. - 1976. - Т. 2. -С. 204-207.

91. Ермаков О. Н., Игиаткина Р. С, Сушков В. П. Исследование влияния несоответствия постоянных решетки на процесс кристаллизации твердых растворов 1п а:Са1Р Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы.- 1977. -Вып. 8. -С. 26-30.

92. Невский О. Б., Федоров А. В. Жидкофазные эпитаксиальные структуры GaP для светоизлучающих приборов Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980. - Вып. 3. - С. 46-55.

93. Olsen G. Н., Zamerowski Т. Z. Crystal Growth and Properties of Binary and Quaternary (In, Ga) (As, P) Alloys Grown by Hydride Vapour Phase Epitax Technique/ZProgress of Crystal Growth. - 1979.-Vol. 2. -P. 309-375.

94. Технологические аспекты получения эпитаксиальных структур иа основе фосфида галлия для светоизлучающих диодов желтого и зеленого цветов свечения/А. А. Матяш, С. С. Стрельченко, В. Д. Алешин, С. И. Потоло-кова Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980. -Вып. 3. -С. 41-45.

95. Эпитаксиальные структуры GaAsi-Pi для полупроводниковых индикаторных устройств/А. Ю. Малинин, Е. Н. Вигдорович, Л. С. Гарба, В. А. Фе-доров Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980.- Вып. 3. - С. 30-40.

96. Roberts J. S., Scott G. В., Gowers J. R, Structural and Photoluminescent Properties of GalnP (л;=0,5) Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy J. App. Phys.-1981. -VoL 52, № 10.-P. 4018-4025.

97. Фотолитография и оптика/Под ред. Я. А. Федотова и Г. Поля -М.: Сов. радио, Берлин: Техника, 1974.- 392 с.

98. Диффузионная технология в производстве полупроводниковых индикаторов/С. М. Эскин, Л. Н. Гурков, В. П. Сушков, В. Н. Вигдорович. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1981-68 с (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 3)

99. Карацюба А. П., Куринный В. И., Сушков В. П. Ионная имплантация цинка в твердый раствор СаАз1 1Р1 Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1975. -Вып. 9.- С. 18-23.

100. Автоматизация процессов сборки полупроводниковых индикаторов/В. Н. Дзино, М. Л. Кононок, В. К. Скарин, Н. В. Щербаков Электронная промышленность.-1982.-Вып. 5-6.- С. 57-58.

101. Корпуса полупроводниковых индикаторов В. И. Анцнгин, Г. П. Белов, Р. И. Никитин, В. К. Скарин Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы.-1980.- Вып. 3. - С. 126-132.

102. Апенко М. И., Дубовик А. С. Прикладная оптика.-М.: Наука, 1982.- 351 с.

103. Применение оптоэлектронных приборов/Пер. с англ. под ред. Ю. Р. Но< сова. - М.: Радио и связь, 1981.-342 с.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 [74] 75 76 77 78



0.0112
Яндекс.Метрика