Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Конструктирование оптикоэлектронной аппаратуры

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 [75] 76 77 78

104. Geometrical Properties of Random Particles and the Extraction of Photons From Electroluminescent Diodes/W. B. Joyce, R. Z. Bachrach, R. W. Dixon, D. A. Sealer J. Appl. Phys.- 1974.-Vol. 45, № 5, -P. 2229-2253.

105. Коган Л. М. Светоизлучающие диоды Электроииая техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы.- 1982. - Вып. 3. - С. 100-111.

106. Leistiko О. Jr., Bittmati С. А. Surface Effects of GaAsi-Px LEDs Solid State Electronics.-1973. -Vol. 16. -P. 1321-1336.

107. Henry C. H., Logan R. A., Meritt P. R. The Effect of Surface Recombination on Current in AliGai iAs Heterojunctions J. AppL Phys. -1978.-Vol. 49, № 6. -P. 3530-3542.

108. Пикус Г. E. Основы теории полупроводниковых приборов. - М.: Наука, 1985.-448 с.

109. Мак-Келви Дж., Лонжини Р. Скорость объемной и поверхностной рекомбинации носителей зарядов, инжектированных в гермаиий Электрофизиче-ские свойства германия и кремния.- М.: Сов. радио, 1956. - С. 350-366.

ПО. Полупроводниковые индикаторы на принципе рассеяния света/Ю. А. Айри-ян, В. П. Новиков, В. К. Скарии, Н. С. Спасская, В. П. Сушков/Электрон-ная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980. - Вып. 3. - С. 73-81.

111. Айриян Ю. А., Новиков В. П. Полупроводниковый цифровой индикатор с управляемым цветом свечеиия Электроииая промышленность. - 1982. - Вып. 5-6. -С. 51-52.

112. Монолитные плаиарные полупроводниковые индикаторы красного цвета свечения для устройств с автономным питанием/О. Р. Абдуллаев, В. С. Абрамов, А. П. Бобров, В. В. Леонов, В. П. Сушков. Электрониая техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980. - Вып. 3. - С. 82-89.

113. Полупроводниковые плаиарные монолитные индикаторы зеленого цвета све-чеиия/Т. А. Баранова, Н. А. Дроздова, С. Г. Власкииа и др . Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980. - Вып. 3. - С. 90- 99.

114. Полупроводниковые знаковые индикаторы и модули экрана с перекрстной коммутацией/Ж. Я. Вортмаи, Ю. В. Дмитриев, Т. А Кротова, В. И. Павли-чеико Электроииая промышленность.- 1982.- Вып. 5-6. - С. 45-49.

115. Многоэлементные монолитные линейные шкалы для записи информации на фотоплеику/0. Р. Абдуллаев, В. С. Абрамов, Л. С. Гарба и др. Электрои-иая техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы.- 1980.- Вып. 8. - С. 54-58.

116. Ермаков О. Н., Игиаткина Р. С, Сушков В. П. Яркие светоизлучающие структуры зеленого цвета свечения (Ву=300 кд/м--А-см, Л=556 им) иа основе твердых растворов 1п, :>;Саз:Р, полученные методом жидкостной эпитаксии Журиал технической физики. - 1984.- Т. 54.- Вып. П. - С. 2268-2270.

117. Аксенов В. Ф., Ермаков О. Н., Карацюба А. П. Примесная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе SiC (6Я) в широком спект-тральиом и температурном диапазоне Электроииая техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1984. - Вып. 2. - С. 21-26.

118. Single Crystal- Growth of SiC Substrate Material for Blue Light Emitting Diodes/G. Ziegler, P. Lanig, D. Theis, C. Weyrich IEEE Trans. - 1982.- ED-30, № 4. -P. 277-281.

119. Intense Blue-Emission Band and the Fabrication of Blue Light Emitting Diodes in I-doped and Ag-Ion-Implanted Cubic ZnS/T. Yokogawa. T. Taguchi, S. Fujita, M. Satoh IEEE Trans. - 1983.- Vol. ED-30, № 4.- P. 271-276.

120. Четверикова И. Ф., Чукичев М. В., Храмцоз А. П. Оптические свойства нитрида галлия. -М.: ЦНИИ «Электроника», 1982.-58 с. - (Обзоры зо электронной технике. Сер. 6, Материалы, Вып. 8).

121. Pankove J. L., Miller E. A., Berkheiser J. N. GaN Blue Lightemitting Dio-des J. Luminescence. - 1972. - Vol. 5, № 1. -P. 84-86.

122. Yellow-Green Ini :tGaxP and Ini :cGaxPi-zAs and Electron. - Beam Pumped Lasers, Prepared by LPE and VPE/0. N. Ermakov, L.. S. Garba, Y. A. Golova-



nov, V. P. Sushkov, M. V. Chukiichev IEEE Trans. - 1979. - Vol. ED-26, № 8.-P. 1190-1193.

.123. Голованов Ю. A., Ермаков О. Н., Сушков В. П. Излучающие p-i-n структуры на основе твердых растворов 1п1 а:Са:„Р;7Письма в ЖТФ. -1980. - Т. 6, № 16. -С. 1002-1005.

J24. Ермаков О. Н. Излучательные переходы в широкозонных твердых растворах в системе In-Ga-AI-Р Журнал прикладной спектроскопии. - 1984. -Т. 41, № 3. -С. 475-479.

125. Ермаков О. Н. Исследование люминесцентных свойств эпитаксиальных структур на основе твердых растворов Са1-1А11Р Журнал прикладной спектроскопии. - 1983. - Т. 39, № 2. -С. 231-236.

126. Постоянная решетки ALGai-a:P/B. Н. Бессолов, С. Г. Конников, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев Физика твердого тела. - 1982. - Т. 24, № 5. - С. 1529-1530.

.127. Ермаков О. Н. Излучательная рекомбинация с участием изоэлектронной примеси азота в эпитаксиальных структурах на основе твердых растворов Оа1-1А11Р Журнал прикладной спектроскопии. - 1984. - Т. 41, № 6.- С. 1008-101-2.

.128. Crystallographic Observations and Electroluminescence of Liquid Phase Epitaxial Alj;Gai j:P AIloys/H. Sonomura, M. Hidaka, K. Nakanigashi, T. Miy-auchi Jap. J. Appl. Phys. - 1980. - VoL 19, № 6.-P. 1127-1130.

.129. Onton A., Chikotka J. Conduction Bands in Ini xAI:cP J. Appl. Phys. - 1970.- Vol. 41, № 10.-P.. 4205-4207.

130. Край собственного поглощения и катодолюминесценция не легированных эпнтаксиальрых слоев AUGai-N/r. А. Коркоташвили, А. Н. Пихтии, И. Г. Пичугин, А. М. Царегородцев Физика и техника полупроводников.- 1984. -Т.18, № 8. -С. 1462-1466.

131. Woods J. ZnSe and ZnS Light Emitting Diodes DispIays. - 1981. - N 4.- P. 251-258.

.132. Ермаков О. Н. Оптоэлектронные приборы на основе твердых растворов в системе In-Ga-Р-As - М.: ЦНИИ «Электроника», 1984. - Ч. II- 67 с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 5).

333. Coleman J. J., Holonyak N. J., Ludowise M. J. Yellow Ini iGa.xPi-zAsz Double-heterojunction Lasers J. AppL Phys. - 1976.- VoL 47, № 5. -P. 2015-2019.

"134. Излучательные переходы в твердых растворах Ini-xGaPi-zAsJO. Н. Ермаков. Р. С. Игнаткина, В. П. Сушков, М. В. Чукичев Физнка и техника полупроводников.- 1978. -Т. 12, № 4. -С. 678-682.

335. Ермаков О. И. Особенности собственной экситонной рекомбинации в широкозонных твердых растворах в системе In-Ga-Р-Аз Физика и техника полупроводников.- 1985. -Т. 19, № 2. -с. 317-320.

J36. Тулашвили Э. В., Вавилова Л. С, Гарбузов Д. 3. Влияние рекомбинации в эмиттерах и фотолюминесцентные характеристики двойных гетероструктур 1по sGao 5Р-ОаАз Физика и техника полупроводников. - 1982. - Т. 16, №9.-с. 1615--1619.

:137. Ермаков О. И. Излучательные характеристики гетероструктур на основе широкозонных четырехкомпонентных твердых растворов А"В Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы - 1984.- Вып. 6.- С. 16-26.

338. Ермаков О. Н. Получение и исследование эпитаксиальных структур на основе твердых растворов Ini-iGaPi-zAsz для светоизлучающих диодов. Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1982. - Вып. 4(135). -С. 11-15.

139. Темная Л. Н. Состояние и перспективы развития полупроводниковых лазеров видимого диапазона варубежная электронная техника. - 1986. - № П. -С. 27-32.

140. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах/Пер. с англ. под ред. П. Г. Елисеева. -М.: Мир, 198L -Т. П. -364 с.

"141. Venghaus Н. Spatial Deoendence of Dominant Wavelength of GaAs.ssPo.ee N Light Emitting Diodes J. Appl. Phys.- 1984. -VoL 34.-P. 13-17.



142. Термостабильная люминесценщгя в желто-орапжевоп области спектра в СИД на основе твердых растворов GaAs,-„P„/0. Н. Ермаков, Р. С. Иг-наткина, А. П. Карацюба, В. П. Сушков, В. Ф. Аксенов Журнал прикладной спектроскопии. - 1984.- Т. 40, № 2. -С. 335-338.

143. Лебнер Э. Перспективы применения электролюминесцентных твердых материалов в системах индикации ТИИЭР.- 1973. - Т 61 -Вып 7 -С 46-78.

144. Светоизлучающие диоды с управляемым цветом свечения/Л. М. Коган, Б. И. Вишневская, С. М. Ковыкин и др. Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980. - Вып. 3. -С. 112-116.

145. Любяницкая Е. В., Воробьев В. Л., Титова Л. А. Цифровые индикаторы с регулируемым цветом свечения Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1980. - Вып. 3. - С. 95-99.

146. Varshni V. Р. Temperature Dependence of the Energy Gap in Semiconduc-tors Physica. - 1967. - Vol. 34. - P. 149-154.

147. Manoogian A., Woley J. C. Temperature Dependance of the Energy Gap in Semiconductors/ZCanadian J. Phys. -1984. -Vol. 62, № 1. -P. 285-287.

148. Варшни В. П. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводни-ках Излучательная рекомбинация в полупроводниках.- М.: Наука, 1972.- С. 5-124.

149. Prassler R. Quantum Efficiency of Multiphonon Traiisitions According to the Static Coupling Schemie Physica Status Solid (b). - 1977.-Vol. 65.- P. 561-570.

150. Аладинский В. К., Барышников Д. А., Соляр В. Г. Расчет нелинейности температурной зависимости прямого напряжения р-п-перехода Электрон-ная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1986. - Вып. 4. - С,

3-5.

151. Николаев Ю. Н., Кулешов В. М. Зависимость температурного коэффициента излучения светодиодов от тока питания Тез. докл. на V Всесоюз, конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». - М., 1984. - С. 164.

152. Опорные источники излучения на основе твердых растворов Ini-iGa,P/ О. Н. Ермаков, Р. С. Игнаткина, А. П. Карацюба, В. П. Сушков, В. Ф. Аксенов Журнал прикладной спектроскопии.- 1987.-Т. 46, № 1. - С 149-162.

153. Прецизионный термостат для термостабильных полупроводниковых измерительных излучателей и преобразователей/В. А. Запорожец, В. Е. Кравцов, Л. С. Ловинский, К. К. Семенюк. Тез. докл. на V Всесоюз. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». - М., 1984. - С. 174.

154. Keiner Р., Krause G. Einfache Schaltung zumi Eliminieren des Temperatur Koefficienten von Lumineszenz Dioden/ZSiemiens Bauteile Informal.- 1973.-

Mo 11., H. 1. -S. 14-15.

155. Кравцов В. E., Кузнецов В. И., Ловииский Л. С. Метод температурной стабилизации потоков излучения светодиодов Метрология. - 1979.- № 8.-С. 15-19.

156. Рыжиков И. В., Сушков В. П., Касаткин И. Л. Термовременностабильный свегодиод Письма в ЖТФ. - 1980. - Т. 16, № 9. -С. 451-544.

157. Пути повышения термостабильности силы света диодов на основе GaP/ В. Ф. Аксенов, О. Н. Ермаков, Р. С. Игнаткина, В. П. Сушков Электрон-ная промышленность.- 1982.- Вып. 5-6. С -53-55.

158. Аксенов В. Ф., Ермаков О. И. Опорные источники зеленого цвета свечения на основе СаР Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1982. - Вып. 6.-С. 31-34.

159. Баринова Э. Ю., Вишневская Б. И., Коган Л. М. Температурная зависимость параметров зеленого светодиода из GaP в интервале температур от -60 до -f 60°С Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1982. - Вып. 7. - С. 46-53.

160. Лукьянчикова Н. Б., Пекарь Г. С, Ткаченко Н. Н. Голубые светодиоды на основе ZnS с температурно-стабильными характеристиками излучения Тез. док. на III Всесоюз. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». - М., 1979, -С. 26. ,



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 [75] 76 77 78



0.0105
Яндекс.Метрика