Доставка цветов в Севастополе: SevCvety.ru
Главная -> Конструктирование оптикоэлектронной аппаратуры

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 [76] 77 78

161. Термостабильный двухцветный источник излучения (?.=560 нм и 7,= = 690 нм) на основе GaP/O. Н. Ермаков, Р. С. Игнаткина, А. П. Карацюба, В. П. СушковУ/Письма в ЖТФ. - 1982.- Т. 8, № 6. - С. 324-329.

il62. Ермаков О. Н., Аксенов В. Ф., Игнаткина Р. С. Светоизлучающие диоды зеленого цвета свечения с повышенной температурной стабильностью потока излучения Тез. док. на IV Всесоюз. конф. «Фотометрия и ее метро-.логическое обеспечение». - М., 1982. - С. 103.

163. Ермаков О. Н., Игнаткина Р. С, Аксенов В. Ф. Светодиоды видимого диапазона спектра с повышенной температурной стабильностью излучательных характеристик Тез. докл. на V Всесоюз. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». - М., 1984. - С. 157.

164. Синкевич В. Ф., Соловьев В. Н. Физические механизмы деградации полупроводниковых приборов Зарубежная электронная техника. - 1984. - Выц. 2 (273). -С. 3-46.

165. Механизмы естественного старения и вынужденной деградации полупроводниковых приборов/Б. М. Горин, А. Е. Кив, Л. Г. Плотникова, В. Н. Соловьев. - M.v, ЦНИИ «Электроника», 1983.-56 с. - (Обзоры по электронной технике; Вып. 48).

166. Птащеико А. А. Деградация светоизлучающих приборов Журнал прикладной спектроскопии. - 1980. -С. 33. -Вып. 5. - С. 781-803.

167. Елисеев П. Г., Завестовская И. И., Полуэктов И. А. О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной ре-комбинацни Квантовая электроника. - 1978. -• Т. 5, Wq 1. - С. 203-206.

168. Gold R. D., Weisberg L. R. Permanent Degradation of GaAs Tunnel Dio-des Solid Ste Electronics.- 1967. -Vol. 7, № 11. -P. 811-821.

169. Jordan A. S., Ralston J. M. A Diffusion Model for GaP Red LED Degradati-on J. AppL Phys.- 1976. -Vol. 47, № 10. -P. 4518-4527.

170. Птащенко A. A., Баранов В. М., Тепляков В. А. Деградация инжекщюн-ной электролюминесценции и дрейф примесных ионов в р-п переходах Журнал прикладной спектроскопии. - 1979.-Т. 30, № 4. -С. 751-752.

171. Сушков В. П., Щепетилова Л. А. Деградация интенсивности излучения инжекционных источников света Электронная техника. Сер. 2, Полупровод-нпковые приборы. - 1971. -Вып. 5. - С. 3-7.

172. Сушков В. П. Физические основы деградации полупроводниковых излучающих диодов Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. -Ч. 1. -Кишинев.- 1982. -С. 24-25.

173. Shimiano N. The Effect of Thermal Stress on the Temiperature Dependence of Degradation in GaAso.gPo.i LEDs Operating at High Currents Densities J. AppL Phys.- 1980. -VoL 51, Ws 3.-P. 1818-1824.

il74. Ермаков О. И. Оптоэлектронные приборы на основе твердых растворов в системе In-Ga-Р-As-М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. -Ч. III. -58 С. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы; Вып. 6).

175. Аладинский В. К., Карацюба А. П. Диффузионная теория деградационных явлений в электролюминесцентных диодах Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1978. - Вып. 4. - С. 51-58.

)176. Krispin Р., Maege J. Vp-Related Defects in Diffused GaP : N Diodes Phy-sica Status Solidi (a).- 1984. -Vol. 84, № 2.-P. 573-584.

177. Уваров E. Ф. Радиационные эффекты в широкозонных полупроводниках AliBV -М.: ЦНИИ «Электроника», 1978.-77 с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 13).

il78. Уваров Е. Ф., Храмцов А. П. Оптические н люминесцентные свойства об-.чученных широкозонных полупроводников АВ. -М.: ЦНИИ «Электроника», 1979. - (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы; Вып. 11). -66 с.

479. Dimiduk К. С, Ness С. Q., Foley J. К. Electron Irradiation of GaAsP LEDs IEEE Trans.- 1985.- VoL NS-32, № 6. -P. 4010-4015.

180. Исследование вольт-амперных и ампер-яркостных характеристик светоизлучающих диодов на основе соединения GaAso.ePo.JB. В. Николаенко, С. В. Свечников, В. П. Сушков, Н. И. Сыпко. Электронная, техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1981. - Вып. 6. -С. 63-72.



181. Исследование импульсных режимов работы полупроводниковых источникове света, используемых в системах отображения информации/Н. В. Мулюкин, В. П. Сушков, В. П. Новиков, Е. В. Кашеварова. Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1977.- Вып. 4. - С. 55-62.

182. Импульсная фотометрия ЦЗИ/Л. Н. Гурков, О. Н. Ермаков, Т. А. Ер-мошина, В. П. Сушков. Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов-Тбилиси -1980. - С. 70-71.

183. Егоров Л. П., Никифоров С. С, Воротинский В. А. Форсированные испытания для оценки надежности светоизлучающих приборов Электронная-техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы.- 1978. - Вып. 7. - С. ИЗ- 118.

184. Зи С. Физика полупроводниковых приборов/Пер. с англ. Под ред. Р. А. Су-риса.-М.: Мир, 1984. -Т. 1.-453 с.

185. Сушков В. П., Юрков С. И. Индикаторы на борту летательных аппаратов.-М.: ЦНИИ «Электроника», 1978. - 66 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы; Вып. 1).

186. А High-Brightness GaP Green LED Flat-Panel Devices for Character and TV Display/T. Nina, S. Kuroda, H. Yonel, H. Takesada/IEEE Trans.- 1979. -VoL ED-26, N 8. - P. 1182-1186.

187. Устройство регистрации информации на основе светодиодных линеек/Б. И. Седунов, К. Ш. Еникеева, А. Л. Визбул, В. А. Кубышкин. Электронная техника. Сер. 10, Микроэлектронные устройства. - 1977. - Вып. 5.-

188. Бартолини Р. А. Оптическая запись: информационно-поисковые системы с Q 3 9

высокой плотностью записи данных ТИИЭР. -1982. -Т. 70, К» 6. - С. 74-84.

189. Бутузов В. С, Меркулов В. А., Покровский В. М. Оптические устройства ввода-вывода и хранения информации в системе машинного проектирова-ния Электронная промышленность. - 1972. - Вып. 4. - С. 22-26.

190. Схема управления полупроводниковым семисегментным индикатором со-стабилизацией выходного тока/О. А. Акиньшина, Г. Л. Жданов, А. А. Мельников, М. Б. Цыбульников Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1977. -Вып. 8.- С. 88-92.

191. Деревягин А. М., Кожемякин А. Н., Тарасов М. Л. Микросхема управления индикатором К564ИК2 Электронная промышленность.- 1984.- Вып. 6. -С. 32-35.

192. Шевьев А. П. Проектирование гибридных интегрированных индикаторов Электронная промышленность.- 1982. - Вып. 5-6.- С. 61-62.

193. «Разумный» светодиодный индикатор со встренными регистрами-фиксато-рами Электроника. - 1980. - Т. 53, № 6 - С. 98-99.

194. Аллен Р. Современные индикаторы: борьба за области применения Элект-роника.-1980. -Т. 53, № 6. -С. 52-69.

195. Многоэлементные матричные полупроводниковые индикаторы- со схемам! управления/В. С. Абрамов, В. В. Леонов, М. Н. Платонов, В. К. Скарин Электронная промышленность. - 1982. - Вып. 5-6. - С. 58-61.

196. Aircraft Flat Panel Displays Relieve Cockpit Real Estate Canadian Electronics Engineering.- 1979. -March.-P. 18-21.

197. Mandal R. P. Ill-V Semiconductor Integrated Circuits Solid State Technology. - 1982. - January. - P. 94-103.

198. Горохов В. A. Перспективы создания электронной управляющей среды для твердотельного экрана Электронная промышленность. -1978. ~ Вып. 7. -С. 19-24.



ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Адаптация 26 Акцепторы 41

Атермические процессы 164, 165

Безызлучательная рекомбинация: оже 55-57

на глубоких центрах 156, 157

на Лй-центрах 60-62, 134

на М-центрах 62, 77

на дислокациях 57-60, 157 Бинарные соединения:

А"В1 136, 137"

A"iBV 132-139 Блоховские функции:

валентной зоны 38

зоны проводимости 38 Быстродействие 191

Вакансии 133, 134

Ватт-амперные характеристики 159

Волновые функции:

акцепторного состояния 36, 38

донорного состояния 38, 39 Вольт-амперные характеристики:

в области малых токов 118, 176

в области больших токов 175, 176 Вольт-яркостные характеристики 174 Время

жизни носителей: безызлучательное 133 излучательное 133 полное 64, 69

нарастания 183

спада 183 Встроенное поле 66 ,

Герметизация 105 Геттер 134 . Градиент:

состава 91, 93, 140

температуры 89

Деградация:

параметрическая 164

процессы 164

характеристики 170 Дефекты:

структуры 143

темных линий 166, 169

темных точек 167, 169 Диаграмма направленности 22 Дислокации:

линейные 57

наклонные 58, 59

несоответствия 91, 140, 142 Дисплеи 187 . Диффузия:

в замкнутой системе 96

в открытой трубе 96

разделительная 96, 99, 132

характеристики 97 Диэлектрические слои:

отражающие 101

поглощающие 101

просветляющие 101, 111

технология 101

характеристики 23 Доноры 38, 39

Законы:

Вегарда 144

нормальный логарифмический 179

Снелля 111

Тальбота 177 Засветка 22 Знак:

высота 17

тип 16, 17

ширина 17 Зонная диаграмма:

гетероперехода 32

гомоперехода 32 Зонная структура:

бинарных соединений 35

трехкомпонентных твердых растворов 36

четырехкомпонентных твердых растворов 145, 146

Идеальный индикатор 12, 13 Излучательная рекомбинация:

в непрямозонных материалах 50-

в промежуточно легированных прямозонных материалах, 49, 50 в сильнолегированных прямозонных материалах 49, 50 в слаболегированных прямозонных материалах 44, 45 межзонная 43, 44, 45 с участием акцепторных примесей 43, 45

с участием донорно-акцепторных пар 44, 51

с участием донорных примесей 44



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 [76] 77 78



0.0155
Яндекс.Метрика