с участием изоэлектронной примеси азота 44

Изотермы: ликвидуса 84 солидуса 84, 86

Имплантация 99, 100

Индикаторы: активные 8

вакуумно-люминесцентные 8 вакуумно-накальные 8 газоразрядные 8-10 жидкокристаллические на твист-эффекте 11

на эффекте «гость - хозяин» 12 пассивные 8

сравнительный анализ 13

электролюминесцентные 8, 10 Индикаторы полупроводниковые:

гибридные 108 на принципе рассеяния света 109

классификация 108

конструкции 108

космоцветные 152

монолитные 108, ПО

разновидности 15 Интенсивность отказов 180

Карбид кремния 135, 136 Катастрофический отказ 130, 183 Квантовый выход:

внешний 63

внутренний 32 Кластеры 172 Код:

ASC II 17 " • , .

двоичный 190 .

десятичный 190 Коммутация:

перекрестная 129, 194

сегментная 196 Компаунд:

полимеризация 182

характеристики оптические 105 термические 105 Контакт:

конфигурация 127

омический 137, 144

отражающий 113, 120

сплошной 120, 128 Контраст:

цветовой 149

яркостный 21 Контрастность 21 Корпус:

керамический 106, 107

рамочный 106. 107

стеклотекстолитовый 10, 107

технология изготовления 107

характеристики 107 Коэффициент:

активности 85

вывода излучения 65, 111-113, 121 инжекции 67, 73 переизлучения 65, 72 пересыщения 90 поглощения 112 полезного действия 33 преломления 111, 131 пропускания 24, 111 Пуассона 87

распределения 86, 134, 143 ,

стехиометрии 90

термического расширения 94

увеличения линзы 114 Кривая видности 139 Кристалл-излучатель:

конструкция 120

технология 104

Легирование:

промежуточное 42

сильное 42

слабое 42 Лейкосапфир 138 Линзы:

моноблочные ПО

иммерсионные 113, 125 Люмен-амперные характеристики:

в импульсном режиме 177, 178

в статическом режиме 177 Люмен-вольтные характеристики: 173. Люминофор 135, 152

Модель: * •

Голда-Вайсберга 166 \

диэлектрическая 85

Думке-Кейне-Стерна 155

Лонжини 166 Модули шкал:

гибридные 130

конструирование 130, 131

монолитные 130

характеристики 131 Модули экранов:

гибридные 127

конструирование 127-131

монолитные гибридные 128"

монолитные 128

характеристики 131 Монтаж кристалла:

пайкой эвтектическим сплавом 104

токопроводящим клеем 104 Мощность:

излучения 63, 65

рассеяния 191

Напряжение: обратное 158, 181

пробоя при линейном распределении примеси 182

в резком р-п переходе 182 прямое 29

Напряжения: механические 170 •

термические 182

Область пространственного заряда 115

Оптимизация: непрямозонных структур 76-83 оптических характеристик 111-114 прямозонных структур 68-76 режимов эксплуатации 179-185

Оптическая запись информации 130

Отражение 22

Параметр взаимодействия 84

Параметрический ряд: на величину прямого тока 30 на высоту знака 19 на количество элементов в разряде 19

на размер 19

на шаг между разрядами 19 Пиролиз 138, 203

Поверхностная рекомбинация 116, 146 Поликремний 127°, 128, 202 Политип 136 Потери.

обусловленные зеркальным отражением 111

связанные с полным внутренним

отражением 111 Приближение:

виртуального кристалла 41

квазирегулярное 84

квазихимическое 84 Примесная зона 42

Разделение пластин на кристаллы 104

Рассогласование постоянных решетки 141, 143

Режим питания:

импульсный 176, 184

статический 176, 184 Ресурс: ••-

95-процентный 180

медианный 179

Сила света:

импульсная 29

средняя 177

удельная 30 Сопротивление:

дифференциальное 161, 178, 182

контактное 102, 112, 124

модуляции 176

объема полупроводника 176

тепловое 112, 128, 178, 180 Спектральное соответствие 131

Cтexнoмeтptя 88, 134 Стыковка бесшовная 129, 130

Твист-эффект 11 Температура:

окружающей среды 180

р-п перехода 173 Температурная зависимость:

длины волны излучения 158, 159

квантового выхода 155, 157

мощности излучения 159

обратного напряжения 159

прямого напряжения 158

силы света 160

скорости деградации 171

способы управления 161-164 Теория эффективной массы 38, 40 Технология получения:

диэлектрических покрытий 101

кристалла 95-104

омических контактов 101, 102

сборки и монтажа 104-108

структур 84-94 Трехкомпонентные твердые растворы:

ALGai-xAs 37 ALGa.-xP 140-142 GaAsi--:tP.x 37 ln, :.ALP 142-143 In, Ga:<N 153 ln,-,,GaxP 139, 140 ZnSi:cSe.x 144

Угловой размер 18 Управление индикаторами: мультиплексное 189, 192-194 с памятью 189, 194 на основе светоизлучающих ди-нисторов 196-197 параллельное 189-192

Фотолитография 102-104

Цветовой график 150, 151

Четырехкомпонентные твердые растворы:

Ini-GarPi-zAsz 150

Ini :t-„Ga,:Al„P 146-149 Al:,Ga,-:.P;,Asi-„ 144-146

Ширина запрещенной зоны: • композиционная зависимость 36, 37 температурная зависимость 153, 154

Электролюминесценция: инжекционная 32, 34, 136 предпробойная 33, 34

Энергия:

активации 170

ионизации акцепторных примесей 37. 40,

донорных примесей 37

изоэлектронной примеси азота

54, 78 Эпитаксия: жидкофазиая 84-89, 134, 139, 142, 146

из газовой фазы 89-94, 133, 134 молекулярно-лучевая 94 Эффект:

. «гость-хозяин» 12

динамического рассеяния света 11 зонной структуры 146

многопроходности 112

люминесценции

управления полем двойного

преломления 12

управления полем фазового

хода 12 Эффективная масса:

плотности состояний 35

поперечная 36

проводимости 36

продольная 36 Явление псевдоморфизма 87

луче-пере-